【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

熱画像形成方法によってベース基体上にパターニングされた触媒層を含むパターニングされた基体を提供するステップの後、めっきして金属パターンを提供するステップを含む、高い伝導性の金属パターンの製造方法が開示される。提供される金属パターンは、電磁妨害遮蔽デバイスおよびタッチパッドセンサーを含む電気デバイスに好適である。 （もっと読む）

【課題】より小さな数十ナノメールから数百ミクロンの構造領域においても、より大きな表面積と空隙率を与え得る内部連通性を有する金属多孔質構造体を提供する。
【解決手段】金属より成る多数の連結節４が相互に連なるように結合して内部連通性の空隙を形成しているモノリシックな多孔質構造の金属多孔質体３であって、連結節４の大きさが１０ｎｍ〜１０００ｎｍである金属多孔質構造体３。一例として、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）からなる基板２を通常のナノインプリンティングリソグラフィー法により用意した。Ａｇイオンを１×１０−５ｍｏｌ／Ｌの濃度で含むアンモニア性銀イオン水溶液をスプレーにより噴霧した。このとき同時に還元剤としてグルコース水溶液をスプレーにより上記金属イオン溶液が噴霧された領域に噴霧した。しかる後、基板を風乾処理したのち６０℃の温度で１０分間加温し、乾燥した。 （もっと読む）

【課題】耐食性、剛性に優れ、薄肉化による軽量化が可能な電子機器用マグネシウム製筐体部品を提供すること。
【解決手段】マグネシウム純金属またはマグネシウム合金からなる成形体と、前記成形体をプラズマ電解酸化処理することによって前記成形体の表面に形成され、厚さが２μｍ以上、かつナノインデンテーション法による弾性率が２００ＧＰａ以上である高剛性緻密質のプラズマ電解酸化膜とを具備する電子機器用マグネシウム製筐体部品。 （もっと読む）

【課題】金属との密着性が高く、かつ、表面平滑性のある金属薄膜を形成することができる、液晶ポリマー材料からなる物品の表面改質方法を提供すること。
【解決手段】液晶ポリマー材料からなる物品の表面にイオン照射することを含む、液晶ポリマー材料からなる物品の表面改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

本発明は、金属といった導電基板上及び／又はその中に析出するための金属イオンを調整し、金属間の接触から摩擦を実質的に無くすための組成及び方法を提供する。それは、水溶液の実施例で全ての金属基板に新たな金属面を形成するよう使用される。本工程は、導電基板上及び／又はその中に吸収又は吸収し得る金属及び非金属イオンの安定な水溶液を形成する。水溶液は、元素の周期律表の１族乃至８族による水溶性の金属又は非金属塩と混合した、アンモニウムアルカリ金属リン酸塩、及び／又はアンモニウムアルカリ金属硫酸塩から成る。水溶液により、導電基板上及び／又はその中への金属イオンのナノ析出が可能となる。析出した金属イオンによって形成された表面は、金属の不動態化を与え、炭化水素ベースの潤滑剤を使用せずに金属間の接触での摩擦を実質的に無くす。 （もっと読む）

【課題】無電解Ｎｉメッキで表面処理された電子部品をはんだを利用し、接合させる際にはんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を提供する。
【解決手段】電子部品に無電解ＮｉＸＰ（Ｘ＝Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも1種）メッキを施して金属層を形成する段階と、該無電解ＮｉＸＰ層上にはんだをリフローし接合する段階とから構成し、はんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を達成する。 （もっと読む）

本発明は亜鉛めっきおよび／または亜鉛合金めっきされた鋼材表面または少なくとも部分的に亜鉛表面を有する接合された金属構造部品を、複数の処理工程を含む表面処理により金属被覆前処理する方法に関する。本発明の方法においては、処理後の亜鉛表面上に、特に１００mg／ｍ²以下のモリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル、鉛、錫および／または好ましくは鉄による金属被覆層が形成される。本発明の他の態様には、本発明の金属被覆前処理が施されているが、その後の被覆が施されていない、または次の被覆が予定されている金属構造部材、並びに自動車製造工程における車体製造、造船、建設、および白物家電製品の製造を目的とする上記構造部材の利用も含まれる。 （もっと読む）

【課題】メッキ液が安定で、メッキの選択析出性が良好なメッキ法を提供する。また、そのメッキ法により形成されたメタルキャップ膜を埋め込み配線上に有し、配線間のリーク耐性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】メッキ後、メッキ廃液を回収して再利用する循環式メッキ法であって、メッキ液を収容する容器からメッキ液を取り出す工程と、取り出したメッキ液に、メッキ助剤であるジメチルアミンボランを添加する工程と、ジメチルアミンボランを添加したメッキ液でメッキする工程と、生じたメッキ廃液を、メッキ液を収容する容器に回収する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、セラミックス微粒子を用いた湿式コーティング法によるセラミックス膜の製造において、平滑で良好な特性を有する膜を得ることのできるセラミックス膜の製造方法を提供する。
【解決手段】塗布液組成物を基体上に塗布し加熱焼成してセラミックス膜を形成する湿式コーティングと焼成による膜製の造方法であり、分散媒中にセラミックス粒子を分散させてなる塗布液組成物（Ａ）を基体上に塗布し、乾燥および／または焼成して得られた被膜基体上の最上層に有機酸金属誘導体を溶解させてなる塗布液組成物（Ｂ）を塗布し、焼成する工程によるセラミックス膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる低抵抗の銅配線の表面に、置換めっきによる触媒付与を行うことなく、無電解めっきによる配線保護膜を選択的に形成する。
【解決手段】基板Ｗに形成した銅または銅合金配線９の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜１２で選択的に覆われており、触媒含有膜１２の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜１０で選択的に覆われている。 （もっと読む）

【課題】新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子を提供する。
【解決手段】光触媒化合物、金属触媒化合物及び光増感剤を含む溶液を基板にコーティングして光金属触媒層を形成した後、これを選択的に露光して結晶成長用核の潜在的パターンを得、該潜在的パターンを１種以上の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させて１層以上の金属パターンを得る、金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子。 （もっと読む）

【課題】経時的な増粘を防止し、保存安定性が高い金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】金属化合物と、樹脂成分とを含有する金属膜形成用組成物において、樹脂成分としてカルボキシル基を含有していない水溶性ポリマー、又は５０ｍｇ／ｇ以下の酸価を有する水溶性ポリマーの少なくともどちらか一種の水溶性ポリマーを用いた。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減するための集積回路の形成方法および、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減した集積回路を提供する。
【解決手段】
集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）