【課題】 熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。
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【課題】
無電解ニッケルめっき表面に、還元型無電解金めっき処理を行って金を析出させるに際して、従来予め置換型無電解金めっき処理を行って無電解ニッケルめっき面に中間層としての金を析出させていたが、この際に、無電解ニッケル面に孔食などの腐食が発生し、爾後の還元型無電解金めっき処理による金めっき皮膜が密着不良となって、電気配線基板の実装処理を行うに際してワイヤーボンディングでのボンディング不良や、配線基板に部品を半田付けする際の接続不良を生ずるなどの問題があったのを解決する。
【解決手段】
電気配線基板の接続端子部分に施した無電解ニッケルめっき皮膜面に、中間めっき処理としての置換型無電解金めっき処理を施すことなく、パラジウム触媒付与処理を行い、次にこれを還元処理液に浸漬した後、常法による還元型無電解金めっき処理を行ってその表面に良好な析出状態の金めっき皮膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】
軸部品に対する摺動性能及び耐摩耗性能を向上させると共に、軸受芯材のマスター軸からの分離を容易にし且つ樹脂成形部に対する転写を良好にすること、マスター軸の要部に軸受芯材となるメッキ皮膜を形成する際に、マスキング処理が寸法精度を高めた状態で容易且つ確実にできること、などを主たる目的とするものである。
【解決手段】
樹脂成形部１８の軸心側に軸部品を装着する筒状の軸受芯材が一体成形され、軸受芯材は肉厚状をした外側の電鋳層３Ｂと肉薄状をした内側の無電解メッキ層３Ａによる二重メッキ層３で形成すると共に、無電解メッキ層３Ａには自己潤滑性の微粒子分散させ、軸受芯材はマスター軸１の要部に二重メッキ層３を設けたインサート軸４から、樹脂成形部１８を射出成形する際に転写してマスター軸４から分離させた樹脂製軸受部品である。 （もっと読む）

【課題】高温のリフロー炉に複数回通過させてもはんだ付け性が劣化したり、めっき皮膜に微細なクラックが発生することのないようにする。
【解決手段】セラミック素体６の表面に形成された導電部７上に２層構造のＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。
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【課題】 多数の線材を織り込むことにより形成される篩網を備えたものにおいてより微細な対象物を分離することができる分離枠及び振動分離装置並びに前記篩網の網目をより微細にすることができる分離枠の製造方法を提供する。
【解決手段】 分離枠を構成する篩網は、線径が約２５μｍのＳＵＳ製の線材を目開きが約２５μｍとなるように綾織りすることにより素材網を成形する工程と、前記素材網にニッケルめっき処理を施すことにより篩網を形成する工程と、前記篩網をフレームに取付ける工程から構成されている。ニッケルめっき処理を施す工程はアルカリ脱脂処理工程、ニッケルストライクめっき処理工程、無電解ニッケルめっき処理工程、湯上げ工程、乾燥工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材の作製方法を提供すること。
【解決手段】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１表面をカーボファンクショナルシランを用いて活性化されたＣＦシラン被膜１１１を形成し、次いで、樹脂フィルム１１上に無電解メッキ処理により金属膜１２を形成し、続いて、温度２００℃で３０分間程度の加熱処理を行い、樹脂フィルム１１と金属膜１２との密着性を高めた配線基板用フィルム基材１０を作製する。
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【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板１上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜２を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜２の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が０．５〜１０の範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Ａｌ板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＺｎ層をめっきにより形成させ、さらにＺｎ層上に熱伝導性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板を構成し、この表面処理Ａｌ板をヒートシンクに適用する。 （もっと読む）

カルコゲニド型メモリ・デバイスにおいて導電性相互接続部の上側に金属キャップを形成する方法が提供され、該方法は、基板１０の上側に第１導電性材料の層２１を形成する工程と、基板及び第１導電性材料の上側に絶縁層２０を堆積させる工程と、絶縁層に開口２２を形成して、第１導電性材料の少なくとも一部分を露出させる工程と、絶縁層の上側に且つ開口内に第２導電性材料３０を堆積させる工程と、第２導電性材料を部分的に除去して開口内に導電性区域を形成する工程と、開口内の導電性区域を絶縁層の上面よりも低い高さまで凹ます工程と、開口内の凹まされた導電性区域の上側に第３導電性材料のキャップ４０を形成する工程と、キャップの上側にカルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックを堆積させる工程と、カルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックの上側に導電性材料を堆積させる工程とを備え、第３導電性材料は、コバルト、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの合金の群の中から選択される。
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【課題】めっき形成された金属皮膜に微細なクラックが生じるのを回避することができるようにする。
【解決手段】Ｚｎ成分が含有されたセラミック素体６の表面に導電部７が形成され、無電解Ｎｉめっきにより前記導電部７上にＮｉ−Ｐ皮膜８が形成されたセラミック多層基板において、無電解Ｎｉめっきを施す前に錯化剤溶液で被めっき物を処理してＺｎ成分を溶出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜８中のＺｎ元素の含有量を０．６重量％以下に制御する。このようにＺｎの溶出処理を行なうことにより、セラミック素体６の表面６″からの深さＡが少なくとも５μｍ以下の表層部６′におけるＺｎ定元素の含有量は、表層部６′以外の領域よりも少なく、かつ表層部６′におけるＺｎ元素の含有量が、セラミック素体６の内部から表面６″側へ略傾斜状に減少するように形成されている。
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均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】無電解めっきにおいて部分的金属不着部のある被めっき物形成方法、それを利用した電解めっき膜形成方法、被めっき物、電解めっき膜を提供する。
【解決手段】液体状態の合成樹脂に、その合成樹脂を硬化させる硬化剤と水に溶解する水溶性物質とを混合して、その混合物を成形して固化させて基材を形成する。そしてその基材のめっき処理を施す被めっき面の少なくとも一部領域を削って合成樹脂に内包された水溶性物質を基材の被めっき面に露出させ、基材を無電解めっき液に浸漬させて、被めっき面に露出した水溶性物質を無電解めっき液に溶解させながら、被めっき面の被めっき面に露出した水溶性物質に対応する以外の領域に無電解めっき膜を形成する。さらにその無電解めっき膜に、電解めっき処理を施して、空孔を有する電解めっき膜を形成する。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

【課題】酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化４で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化４】
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【課題】被めっき材の被めっき面により均一な膜厚のめっき膜を容易に形成できるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材Ｗを保持する保持部１０と、めっき液２２を保持するめっき槽２４とを有し、被めっき材Ｗをめっき槽２４内のめっき液２２に接液させてめっきを行うめっき装置において、保持部１０は加熱部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】 連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションの促進することなく、平滑性を維持しながらポリイミド樹脂フィルムと金属との密着性を確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ水溶液で処理してカルボキシル基を生成させて、生成したカルボキシル基に金属イオンを吸着させ、還元剤水溶液で吸着した金属イオンを還元させた後、金属イオンの活性状態を維持しながら無電解めっきに浸漬し、無電解めっきを行なうポリイミド樹脂フィルムの金属化方法であり、この方法を用いたフレキシブルプリント配線板である。 （もっと読む）

本発明は、広範囲多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために必要な、高さばらつきの少ない高アスペクト比のドーム型バンプの形成を可能にする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長ニッケルバンプを有する製品の形成方法、異方成長ニッケルバンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤を提供することを目的とする。本発明は、異方成長促進効果を有する量の異方成長促進剤を含有することを特徴とする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴を提供する。
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【課題】 割りスリーブに形成されためっき層の表面硬度を確保して耐磨耗性を向上させると同時に、割りスリーブを長期間にわたって使用した場合にもめっき層の表面が変色しないように耐候性を向上させることである。
【解決手段】 スリーブ本体１６と、このスリーブ本体１６の少なくとも内周面にめっき層１７が形成されてなる略円筒状の割りスリーブにおいて、前記めっき層１７を少なくとも２層で形成する。そして、下地めっき層１８を非結晶構造のめっきで形成し、表面めっき層１９を結晶構造のめっきで形成することによって、めっき表面の耐摩耗性と耐候性とを満足させる。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】充分な還元力を呈することができ、廃棄の際には、簡単な処理で済み、且つ生物環境等に対する負荷を充分に軽減し得る還元剤を用いた無電解めっきの前処理方法を提供する。
【解決手段】めっき対象物の無電解めっきの前処理として、表面に無電解めっきの核となる触媒金属を成分として含む化合物を吸着しためっき対象物を、前記化合物の触媒金属成分を還元してめっき対象物の表面に前記触媒金属を生成する還元剤を含有する溶液に浸漬する際に、該還元剤として、アスコルビン酸塩が溶解された水溶液を電気分解して得られたアルカリ性電解水を用いることを特徴とする。 （もっと読む）