【課題】種々のプリン基板上に、無電解メッキ法のみで配線パターンを形成させる方法を提供する。
【解決手段】金属コロイド水溶液を無電解メッキ溶液とし、該金属コロイドと相互作用を持つ部位を有するプリント基板上の配線以外の範囲を、印刷によりマスキングした後、該プリント基板を無電解メッキ液に浸漬して配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、パターン精度の向上が図れるめっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、（ａ）遮光層１２が形成された第１の基板１０の上方に界面活性剤層１４を形成すること、（ｂ）第１の基板１０の遮光層１２以外の領域を透過する光２４を、第１の基板１０に対して界面活性剤層１４が形成された側とは反対側から照射し、界面活性剤層１４をパターニングすること、（ｃ）界面活性剤層３０を第１の基板１０から第２の基板２０に転写すること、（ｄ）界面活性剤層３０の上方に触媒層３２を形成し、触媒層３２の上方に金属層３４を析出させること、を含む。 （もっと読む）

【課題】 簡単なプロセスで必要な部分のみに金属層を析出させるめっき方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るめっき方法は，
基板１０の上方に界面活性剤層２８を形成する工程と、
基板１０を透過する光２４を、光源２６と界面活性剤層２８との間に配置されたマスク３２を介して照射し、界面活性剤層２８をパターニングする工程と、
界面活性剤層２８の上方に触媒層を形成する工程と、
触媒層の上方に金属層を析出させる工程と、を含み、
光２４は，基板１０に対して界面活性剤層２８が形成された側とは反対側から照射される。 （もっと読む）

【課題】温・湿度依存性の低い導電膜の形成方法を提供すること。また、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた金属配線を製造する際に好適な導電膜の形成方法を提供すること。更に、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた導電パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、親水性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程と、無電解メッキを行う工程と、前記親水性基を疎水性に変換する工程と、をこの順に有することを特徴とする導電膜の形成方法、及び該方法で得られた導電膜をエッチングする工程を含む導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 亜硫酸金塩を金イオン源とする無電解金めっき液を用いてめっきを施す場合に、無電解金めっき液の液安定性を十分維持可能であり、かつ金イオンを無駄なく十分有効に無電解金めっき液に供給することができる無電解金めっき液再調製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、亜硫酸金塩を含有する無電解金めっき液に、亜硫酸金塩を含むアルカリ性水溶液と亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩及び塩酸若しくは硫酸を含むｐＨ調整液とを混合してなる金イオン含有液を、無電解金めっき液中の金イオン濃度が所定範囲内に維持されるように添加する工程を有する無電解金めっき液再調製方法を提供する。 （もっと読む）

金属表面のはんだ付け性を向上させる方法を開示し、この方法では、前記金属表面にはんだ付けを受けさせる前にそれを浸漬もしくは無電解銀メッキでメッキしておいた後、その浸漬銀メッキをビニルポリマー水溶液とアクリルポリマー水溶液と抗菌・カビ剤とベンゾトリアゾールまたはベンズイミダゾール化合物を含有して成るアルカリ性ポリマーコーティングで処理することで、耐エレクトロマイグレーション性を示しかつ抗変色性で抗腐食性のコーティングを与える付着物を前記表面の上に生じさせる。 （もっと読む）

【課題】射出成形加工時に表面を粗面化することなく表面を全体的又は選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能なように改質された成形品を提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなる成形品であって、前記成形品の表面近傍には、金属元素が析出していることを特徴とする成形品を提供する。 （もっと読む）

【課題】 簡単かつ安価に、不活性素材上に無電解めっき皮膜を形成できる感受性化処理方法及びそれを用いた無電解めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 不活性素材の表面に固体を接触させて付着させる感受性化処理方法であって、前記固体は、２価のスズを含む化合物を含有することを特徴とする感受性化処理方法。 （もっと読む）

【課題】 多くの電子デバイスに好適に使用できる配線や電極として用いられるアルミニウム膜を容易かつ安価に形成しうる方法を提供する。
【解決手段】 表面にチタン化合物の塗膜を備えた基体と、水素化アルミニウム化合物とアミン化合物との錯体または下記式（１） Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３Ａｌ・・・（１） ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、フェニル基、炭素数７〜１２のアラルキル基である、で表わされるアルミニウム化合物を含有するアルミニウム溶液組成物とを準備し、（ｉ）基体を、予め加熱したアルミニウム溶液組成物中に浸漬するか、（ｉｉ）予め加熱した基体を、アルミニウム溶液組成物中に浸漬するか、あるいは（ｉｉｉ）基体をアルミニウム溶液組成物中に浸漬したままで加熱するか、により、チタン化合物の塗膜上にアルミニウム膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】無線物品用ループアンテナを製作する、テレホンカード等のスマートカード用回路を製作する、及び電子装置の電磁気シールドを設けるために、金属パターンを非導電性基板上に設ける方法を提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）

【課題】 無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させると共にポリイミド樹脂をポリアミック酸に改質する工程。（２）この改質された層にポリアミック酸を可溶な溶媒を接触させることによって、改質層の一部を除去して凹部を形成する工程。（３）凹部近傍のカルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。（４）この金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 安価な材料を用いてケイ素系重合体の表面をメタライズ処理するための表面処理方法を提供することである。また同様に任意の材料からなる基体表面をメタライズあるいは配線などの金属層のパターンを形成する方法を提供することである。
【解決手段】 ケイ素系重合体を遷移金属塩溶液あるいは遷移金属塩の懸濁液と接触させ、その後、該ケイ素系重合体を還元剤に接触させることにより、該ケイ素重合体上あるいはケイ素重合体中に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴とするケイ素系重合体の表面処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材の作製方法を提供すること。
【解決手段】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１表面をカーボファンクショナルシランを用いて活性化されたＣＦシラン被膜１１１を形成し、次いで、樹脂フィルム１１上に無電解メッキ処理により金属膜１２を形成し、続いて、温度２００℃で３０分間程度の加熱処理を行い、樹脂フィルム１１と金属膜１２との密着性を高めた配線基板用フィルム基材１０を作製する。
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本発明は、絶縁性基体上への金属付着のための粘度調整可能な感光性分散液に関し、該感光性分散液は、光照射下に酸化−還元特性を与える顔料、金属塩、該金属塩の封鎖剤、液状膜形成性高分子配合物、塩基性化合物、有機溶媒および水を組み合せて含む。本発明はまた前記分散液の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高温のリフロー炉に複数回通過させてもはんだ付け性が劣化したり、めっき皮膜に微細なクラックが発生することのないようにする。
【解決手段】セラミック素体６の表面に形成された導電部７上に２層構造のＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。
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金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理液を使用して、膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続して成膜できるようにする。
【解決手段】 表面の配線用凹部に埋込み配線を形成した基板を用意し、基板の表面に処理液に接触させつつ、基板の表面に対する処理液の相対的な流動状態を変化させて、配線の表面に膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続的に成膜する。 （もっと読む）