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Fターム[4K022BA35]の内容

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Fターム[4K022BA35]に分類される特許

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【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および/またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、(a3)金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、(a4)電気めっきにより、表面抵抗率が1×10−1Ω/□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 (もっと読む)


【課題】 めっき、レジスト層形成といった煩雑な方法を用いることなく、連続発泡性成形物の表面およびその内部の連通気孔表面の所望部分に、膜厚がほぼ均一な金属層を選択的に形成する。
【解決手段】 ケイ素含有重合体の遷移金属塩に対する還元性を利用する。すなわち、連続発泡性成形物の表面およびその内部の連通気孔表面にケイ素含有重合体層を形成し、金属層の形成予定部分以外のケイ素含有重合体層に紫外線を照射した後、ケイ素含有重合体層に、カウンターアニオンがケイ素含有重合体のケイ素原子に配位し得る遷移金属塩を含む溶液または懸濁液を接触させ、紫外線非照射部分に選択的に金属層を形成する。 (もっと読む)


【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部12、13および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部12、13および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層14を形成する段階と、ワイヤボンディング部12、13および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層15を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層15上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層16を形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】Cu配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構10によりウエハ7に形成されたCu配線のみを加熱する。次にノズル9から無電解めっき液を吐出し、Cu配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたCu配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Cu配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のCu配線上への選択析出性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。 (もっと読む)


新規の無電解めっき方法を提供する。触媒被膜をマイクロチャンネル装置内に適用することができる。無電解触媒被膜によって燃焼及び水蒸気改質を含む様々な反応を実施することができる。
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【課題】 無電解めっき方法を可能にするための触媒層を、パラジウムを用いることなく、安価で、簡易な工程により形成することができる。
【解決手段】 錫化合物を含む錫化合物水溶液に基材を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、銅化合物を含む銅化合物水溶液に基材1を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、基材1を希硫酸に接触させる希硫酸処理工程と、希硫酸処理工程の後、基材1を銅めっき液に接触させて銅めっき膜2を形成するめっき処理工程と、めっき処理工程の後、基材1を、実質的に酸素および水素を含まない雰囲気内において加熱する熱処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高く絶縁基材の表面に形成することができ、また混成集積回路パターンに適用することも可能な無機薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材1の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層2を形成する(1)工程。この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層2の表面に析出させて無機薄膜3を形成する(2)工程。これらの工程を有して無機薄膜パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂基材の表面に形成することができるポリイミド樹脂基材の無機薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂基材1の表面に、所定のパターン形状のマイクロ流路溝2を有するマスク材3を密着させてマイクロ流路4を形成する(1)工程。マイクロ流路4内にアルカリ溶液5を供給して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させた改質層6を形成する(2)工程。マイクロ流路4内に金属イオン含有溶液7を供給して、改質層6に金属イオン含有溶液7を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成させる(3)工程。マイクロ流路4内に還元溶液、還元ガス、不活性ガス、又は活性ガスを供給して、前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、析出させて無機薄膜9を形成する(4)工程。これらの工程から無機薄膜パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】セラミックグリーンシート上に電極パターンを薄く形成することができるとともに、生産性が高く、高品質の積層電子部品を得ることができる無電解めっき膜形成方法、及び、無電解めっきのための触媒パターン形成装置を提供する。
【解決手段】触媒溶液32、42を含浸させた転写材31、41をセラミックグリーンシート1に接触させて、同シート1上に、触媒溶液32、42による触媒パターン320、420を形成する。その後、触媒パターン320、420に無電解めっきを施す。転写装置3、4は、支持体30、40と、転写材31、41とを含み、支持体30、40は転写材31、41を支持し、転写材31、41は触媒溶液32、42に対する保液性を有する。 (もっと読む)


【課題】高精度で微細なパターンを形成し、メッキ析出膜とベースパターンとの密着性に優れ、実用に耐えうる機械的強度を備えた回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板11と、基板11上に選択的に形成され、金属微粒子14を含有した非導電性の樹脂層12と、樹脂層12上に、樹脂層12から露出する金属微粒子14と接触させて形成された導電金属層13とを具備し、樹脂層12と導電金属層13との界面における樹脂層12の凹凸は、樹脂層12の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長(λc)が1μmの場合に、基準長さ(lr)1μm当りの最大高さ(Rz)を20nm≦Rz≦500nmの範囲とする。 (もっと読む)


【課題】 樹脂との密着性のよいめっき皮膜を得ることができる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】 また本発明に係る無電解めっき前処理剤は、次の化学構造式で示されるS−アルキル置換されたトリアジンチオール誘導体からなる。
【化6】


ただし、R1は、H、Li、Na、Kなどの1価の元素、R2は、H、Li、Na、Kなどの1価の元素もしくはアルキル基、R3はアルキル基を示す。 (もっと読む)


【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高靭性の窒化珪素配線基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素配線基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板1は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板11の表面に金属からなる配線回路パターン13がろう材により接合されるとともに、配線回路パターン13の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪素基板11の表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下である。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき技術を使用した回路パターン形成方法を提供する。
【解決手段】親水性を有する部分と撥水性を有する部分の両者でパターンが形成された基板を、チオール化合物と貴金属微粒子を含有する触媒化液に浸漬して上記基板の親水性を有する部分又は撥水性を有する部分のいずれか一方に前記貴金属微粒子を選択的に吸着させることにより無電解めっきの触媒となし、次いで該基板上にめっき法によるパターン回路を形成させる工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 感光性材料を用いて内部に鬆のない多段型の電鋳部品を製造できる電鋳型、及びこの電鋳型を少ない工程で製造するための製造方法、並びにこの電鋳型を用いて内部に鬆のない電鋳部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 電鋳型1は、一表面2aが導電性を有する基板2と、基板2の一表面2aの一部に配された第一樹脂層3と、第一樹脂層3の表面に配された触媒5と、触媒5が配された第一樹脂層3の表面の一部に、第一樹脂層3に対して階段状に形成された第二樹脂層6と、基板2の一表面2aの露出面及び触媒5の露出面にそれぞれ配された導電層7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成される外部接続端子に関し、電極、配線又はパッドとして使用される金属パターンとはんだとの密着性を向上すること。
【解決手段】外部接続端子は、基板上又は基板上の絶縁膜の上に形成された電極と、電極上に形成されてリン又はホウ素のいずれかの第1元素を含有する第1元素含有ニッケル銅層と、第1元素含有ニッケル銅層の上に形成され且つ第1元素を第1元素含有ニッケル銅層よりも多く含む高第1元素含有ニッケル銅層と、高第1元素含有ニッケル銅層の上に形成されたニッケル銅錫合金層と、ニッケル銅錫合金層の上に形成された錫合金はんだ層とを有する。前記錫合金はんだ層は、銅を含んでいるようにしても良い。 (もっと読む)


【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約6.5より大きいpHを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。 (もっと読む)


【課題】コネクタとフレキシブル配線基板が接合される接触部に銀を含有する錫系のめっきを施すことにより接続部に加わる外部応力に起因して発生するウィスカーを抑制することができる電気コネクタの接続構造を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板1用の電気コネクタ接合構造であって、フレキシブル配線基板1の接続部を挿入できる接続孔を有し、該接続孔より電気コネクタ6のハウジング7内部に向かって形成された端子装着空間に装着された複数の金属端子8と、隣接する金属端子8が接触しないように当該金属端子間を電気的に分離する分離壁と、フレキシブル配線基板1の接続部に電気コネクタ6の金属端子が圧接される導電層4部と、を備え、導電層4部は、所定の厚さの銅パターン上に銀を含有する所定の厚さの錫層が形成される。 (もっと読む)


【課題】 微細かつ高密度の導電性回路を、正確かつ低コストで形成する。
【解決手段】 パラジウムを混入した熱可塑性樹脂を射出形成して基体1を形成し、この基体の表層1aに含まれるパラジウムを除去する。パラジウムを除去した表層1aにレーザー光2を照射して、この表層を除去すると共にその下の触媒を含む下地層1bの露呈面1dを粗化して親水性にする。基体1に無電解銅めっきを施すと、下地層1bの露呈面1dにのみ導電層3が形成され、この導電層によって導電性回路を形成することができる。 (もっと読む)


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