【課題】無電解ニッケルめっき液から亜リン酸イオンを除去するとともに次亜リン酸イオンの補充を行なうことで無電解ニッケルめっき液を長寿命化することのできる経済的に有利な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液中に被めっき物を浸漬させて、前記被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を施す無電解ニッケルめっき方法において、亜リン酸イオンが蓄積された前記無電解ニッケルめっき液をニッケルめっき槽から抜き出し、抜き出された前記無電解ニッケルめっき液を、アミン含有有機溶媒と次亜リン酸含有水溶液とを接触させて有機相中に次亜リン酸アミン錯体を形成させ相分離して得られる次亜リン酸アミン錯体含有有機相に接触させ、有機相中に亜リン酸イオンを亜リン酸アミン錯体として抽出するとともに水相中に次亜リン酸イオンを移行させた後、相分離して得られる水相を前記ニッケルめっき槽に戻すことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】たとえばチップ状電子部品のような小型の多数の被めっき物を無電解めっきする際、被めっき物の凝集が生じにくく、その結果、めっき膜の異常析出や浴分解が生じにくい、めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液１３内の被めっき物１４を底面形成部材１６によって受け、他方、めっき槽１２内に、上下方向に向く軸線１７のまわりで螺旋状に延びる搬送路１８を形成する搬送路形成部材１９を設け、底面形成部材１６と搬送路形成部材１９とを逆方向に回転駆動する。搬送路形成部材１９は、その下端部において、底面形成部材１６上の被めっき物１４を搬送路１８上にすくい、次いで、搬送路１８に沿って上方へ搬送した後、上端部において、被めっき物１４を底面形成部材１６に向かって落下させることを繰り返す。これによって、被めっき物１４の凝集が抑制されながら、被めっき物１４に無電解めっきが施される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルおよび次式（１）で表される水酸化アルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、上記無為電めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、スルホン酸型アニオン界面活性剤および下記式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アルキル基およびヒドロキシアルキル基よりなる群から選ばれる何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）下記式


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、低級アルキル基又は水素原子であり、該低級アルキル基は、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、基：―Ｎ（Ｒ^３）_２（但し、Ｒ^３は水素原子又は低級アルキル基である）、基：−ＳＯ_３Ｍ^１（但し、Ｍ^１は水素原子又はアルカリ金属である）、ヒドロキシル基、基：−Ｏ（ＣＨ_２）_ｎ−ＯＨ（但し、ｎは２又は３である）、シアノ基、ニトロ基、ホスホン基及びフェニル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の置換基を有してもよい）で表される化合物、
を含有する水溶液からなる無電解金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】高分子電解質体のイオン伝導パス中に金が必要な量だけ制御性よく形成された、高分子アクチュエータの電極を得る方法を提供する。
【解決手段】高分子電解質体１にエタノール水溶液が予備含浸（Ｓ１）されたのち、この高分子電解質体１が、塩化金酸と純水と水酸化ナトリウムからなるめっき浴に浸漬され、全面に金２が析出されて金めっきされる（ステップＳ２）。その後、高分子電解質体１の全面のうち表裏面以外の４つの側面を切除して表裏面のみに金２による電極３，３を形成する（Ｓ３）。そして、高分子電解質体１が含水した状態で、表裏面の電極３，３に対して電圧を印加することにより高分子電解質体１をアクチュエータとして機能させる。このとき、エタノール水溶液に膨潤剤と還元剤を兼ねさせ、予備含浸（Ｓ１）でのエタノール水溶液の濃度により析出する金の量を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】ヒドラジンを還元剤として用いた無電解ニッケルめっき方法において、めっき速度を向上させる。
【解決手段】ニッケルイオンと還元材としてのヒドラジンとを含有し、ＰＨを弱塩基性領域とした無電解ニッケルめっき液を使用し、めっき浴１００中において、被めっき物２０にめっき浴固有の混生電位のマイナス電位を付加することにより、被めっき物２０に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板上における原料溶液の液滴の化学反応の進行を十分なものとして均質な膜質で低抵抗な導電性膜を形成することができ、また基板の面内の温度分布を抑えて導電性膜の膜質にバラツキが生じるのを防ぐことができる導電性膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜の形成方法は、加熱された基板３の上面に原料溶液の微粒子をスプレーすることにより基板３の上面に導電性膜を形成するスプレー熱分解法による導電性膜の形成方法において、スプレーされた原料溶液の微粒子が基板３の上面の近傍で原料溶液の微粒子の粒径分布を５〜５０μｍかつ平均粒径を１０〜３０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物、タリウム化合物、ヒドラジンなどの有毒な化学物質を用いることなく、かつ、ニッケル下地メッキ層中に、リンまたはホウ素等の不純物が含まれない、無電解メッキ液および無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】スルホオキシド、具体的には、化学構造：Ｒ₁−Ｓ（＝Ｏ）−Ｒ₂（Ｒ₁とＲ₂はｎ＝１〜３のアルキル基）を有するスルホオキシド、または、テトラメチレンスルホオキシド（化学式：Ｃ₄Ｈ₈ＳＯ）を用いて、メッキ金属のハロゲン化物、硝酸塩、酢酸塩およびクエン酸塩のいずれかを添加して無電解メッキ液とする。 （もっと読む）

【課題】 白金の層（１８）により、対象物（１０）の表面（５４）を少なくとも部分的に被覆するための方法（５０）を提供する。
【解決手段】 方法は、対象物表面に白金前駆体物質を塗布すること（５２）、白金を含む残留物が表面上に残存するように対象物表面から白金前駆体物質を蒸発させること（５６）、および残留物が蒸発し白金を含む層として対象物表面上に再析出するように対象物を加熱すること（６０）からなる。前記白金前駆体物質を塗布すること（５２）は、白金有機金属化合物を対象物表面（５４）に塗布することを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明を用いることで、分散体は長時間分散状態を維持することができる。また、分散体を輸送する際にも粒子の凝集を防止することができ、分散体の分散状態を維持でするものである。
【解決手段】 本発明は、保護剤により被覆されている金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子を溶剤に分散してなるナノ粒子分散体を当該保護剤の融点以下、又は融点が１０℃以下であるときは１０℃以下で保存することを特徴とするナノ粒子分散体の保存方法である。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ高効率な導電性微粒子の製造方法を提供すること。さらに、導電性微粒子の突起の大きさを容易に調節可能な導電性微粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】被めっき粒子の表面に触媒を担持させる触媒担持工程と、被めっき粒子の被めっき面積２．５ｍ^２／Ｌ〜３０ｍ^２／Ｌに対して、めっき液１Ｌ当たりニッケル塩０．０１７ｍｏｌ〜２．５６ｍｏｌ、還元剤０．３４モル当量〜３．４モル当量含有する酸性めっき液中、温度２５℃〜７５℃において、ニッケル塩又は還元剤を添加することなく、かつ１回の建浴によって被めっき粒子にめっき処理を施す無電解ニッケルめっき工程と、を含む方法によって、導電性微粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高価な触媒を使用せずコストを低減し、かつ金属被覆層が均一で経時的安定性が著しく高い導電性微粒子の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ポリマー微粒子（Ａ）、金属親和性の高い官能基（ｂ）を有する化合物（Ｂ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法であり、また、金属親和性の高い官能基（ｂ）を表面に有するポリマー微粒子（Ｆ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法でもある。 （もっと読む）

【課題】 メッキ面の保存性を損なわずに、スズメッキ後の水洗に際してメッキ面上への白色の微細粒子の発生を防止する方法を提供する。
【解決手段】 酸性無電解スズメッキ液に被メッキ物を浸漬してスズメッキを施し、水洗し、乾燥する無電解スズメッキ方法において、酸性無電解スズメッキ液によるメッキ工程の後で、且つ、水洗工程の前に、メッキ工程で使用した上記メッキ液とは異なる劣化のない酸性無電解スズメッキ液でメッキ面を洗浄することからなる後処理を施す無電解スズメッキの後処理方法である。メッキ直後に水洗せずに、劣化のない無電解メッキ液で洗浄するため、皮膜上の４価スズ塩は酸性を呈するメッキ液に溶解した状態でメッキ液と共に皮膜上から除去され、水洗後に白い微細粒子が凝集することを良好に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 微細な電気配線を確実に形成すること。
【解決手段】 基板８０に配線パターン状の溝８１を形成する工程（ａ）〜（ｃ）と、基板８０の溝８１の内部に光触媒層８２（８２０）を形成する工程（ｄ）、（ｅ）と、金属イオン及び犠牲剤を含む溶液８３に基板８０を浸漬しつつ、基板８０の光触媒層８２に紫外線９４を照射して、基板８０の溝８１の内部に金属８４を析出させることにより、溝８１の内部に電気配線を形成する工程（ｇ）を備える。光析出する工程（ｇ）の前に、溝８１の内部に形成されている光触媒層８２に紫外線９４を照射して光触媒層８２を親水化する工程（ｆ）をさらに行うことが、好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行わずに、金属を含有した連続膜を形成する金属含有膜の形成方法を提供する。
【解決手段】水素化アルミニウムリチウムとシクロペンタシランとを含有する液体１２をセル１１内に充填し、液体１２とセル１１の内壁面１１ａとを接触させる。次いで、セル１１の外壁面１１ｂの一領域１１ｂ’にスポットＵＶ照射器１４を密着させて紫外線Ｖを照射することで、領域１１ｂ’の裏面側となる内壁面１１ａの一領域１１ａ’にシリコン膜２１ａと金属膜２１ｂとが順次積層された金属含有膜２１を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水溶性銅塩、（Ｂ）還元剤、（Ｃ）錯化剤、（Ｄ）めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール−プロピレングリコール共重合体、及び（Ｅ）めっき析出促進剤として８−ヒドロキシ−７−ヨード−５−キノリンスルホン酸を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、上記（Ａ）成分、（Ｂ）還元剤としてグリオキシル酸又はその塩、上記（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、並びにこれらを用いた無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法。
【効果】ボイド等の欠陥の形成を可及的に防止しつつ、トレンチの効率的な埋め込みが可能であり、更に、微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成をせずに、全工程を湿式工程で構成して、より均一かつ確実にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】塗布に際し問題となるハンドリング上の問題点を解決した、アルミニウム膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルオキシチタン酸から形成された酸化チタン膜を有する基体上に、水素化アルミニウム化合物とアミン化合物との錯体を含有する組成物を塗布し、次いで加熱および／または光処理する、アルミニウム膜の形成方法。 （もっと読む）