【解決手段】 金属源と平均粒径が１μｍ以下の炭素微粒子とを含有するめっき液、該めっき液の調製に好適なめっき液の製造方法、上記めっき液を使用した表面処理方法及び被検体の電極に接触させる端子部を有し、被検体の電気的特性を検査する際に、端子部を被検体の電極に接触させて導電確認する接点部材Ａであって、接点部材Ａを構成する基体１の上記端子部に、炭素の微粒子３を含んだ微粒子含有金属膜４を備えた接点部材Ａ。
【効果】 上記めっき液で接点部材の接触部の表面処理をすると、低接触抵抗と異物付着防止性能とが両立した接点部材を得ることが可能となり、上記めっき液の製造方法により、非常に微細な炭素微粒子を含有するめっき液が得られ、上記表面処理方法により、接点部材の端子部に低接触抵抗と異物付着防止効果とを付与することが可能となり、上記接点部材により、低接触抵抗とはんだ等の異物付着防止効果とを両立させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】金属調の輝度を有しながら、透明感のある彩度の高い着色粒子を得る。
【解決手段】透明性を有する基体粒子、及び有機顔料を含み、カチオン性顔料分散剤及び／またはノニオン性顔料分散剤が添加された水性分散液（Ａ）を調製し、
該水性分散液（Ａ）を攪拌しながら金属塩溶液（Ｂ）及び還元剤溶液（Ｃ）を同時に滴下して、無電解めっき反応を行わせる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に適用した場合に、垂直方向の記録磁界を優先的に強め、かつ急峻化することができる軟磁性薄膜、その生産性の高い製造方法、トラック走行方向の磁化応答性に優れた高品質の垂直磁気記録媒体およびこの垂直磁気記録媒体を備えた垂直磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本軟磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有し、錯化剤およびホウ素系還元剤を含有し、金属イオンの濃度比率が、モル単位で、０．１５≦（Ｎｉイオン／全金属イオン）≦０．４０、０．５０≦（Ｃｏイオン量／全金属イオン量）≦０．８０および、０．０５≦（Ｆｅイオン量／全金属イオン量）≦０．１５である無電解めっき浴中に基板を浸漬し、基板面に平行な５〜２０００Ｏｅの範囲の磁場中で無電解めっきを行って得ることができる。 （もっと読む）

【課題】苛酷な高温高湿環境に曝された後に、ＤＣ帯電法によって、例えば６００ｄｐｉの中間調画像のような高精細画像を出力した場合においても、均一な帯電が行える帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、鋼材からなる芯金１と、該芯金上の導電性弾性体２を有する帯電ローラにおいて、該鋼材の表面が、ピンホールの無いニッケルめっきで被覆されていることを特徴とする帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきにより形成された電極間に不要なめっき膜が析出せず、ショートの発生を防止することのできる電極形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上にめっき用被覆部材２によりパターニングを行うパターニング工程と、該パターニングされためっき用被覆部材２を有する基板にめっき触媒６を付与する触媒付与工程と、該めっき触媒６が付与された基板に無電解めっきによりめっき処理することにより、めっき触媒６が付与された部位にめっき膜を形成する無電解めっき処理工程と、めっき膜形成後にめっき用被覆部材２を除去する除去工程とを有する電極形成方法で、触媒付与工程とめっき処理工程との間に、めっき用被覆部材２によりパターニングされた基板を、めっき用被覆部材２に対して相溶性を有する溶液を用いて、めっき用被覆部材２を除去することなく、該めっき用被覆部材２上のめっき触媒６を不活化させる不活化工程を有する。 （もっと読む）

自己触媒無電解めっき浴を用いて基板に金属めっきする方法において，めっき浴において少なくとも２つの相が存在するようめっき浴の曇り点よりも高い温度でめっき浴を作用させる方法を開示する。銀金属を被覆するための自己触媒無電解めっき浴も記載する。また，介在金属層を必要とせずに銀金属をシリコン表面上に直接自己触媒めっきする方法も開示する。得られた銀析出物は均一な非多孔質であり，電気特性を有する。この技術は，異なる方法及びめっき浴組成，すなわち，異なる金属，錯化剤及び還元剤に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材表面を触媒化処理することなく、基材表面上に直接金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が還元剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定性が良好であって、かつ均一な無電解コバルトめっき皮膜を形成し得る新規な無電解コバルトめっき液を提供することを主な目的とする。
【解決手段】１）水溶性コバルト化合物、２）水溶性次亜リン酸化合物、３）脂肪族ジカルボン酸、脂肪族トリカルボン酸、アミノカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選択された少なくとも１種の脂肪族カルボン酸類、並びに４）硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、ホウ酸及びホウ砂からなる群より選択された少なくとも１種の無機添加剤、を含有する水溶液からなる無電解コバルトめっき液。 （もっと読む）

【課題】 安価な材料を用いてケイ素系重合体の表面をメタライズ処理するための表面処理方法を提供することである。また同様に任意の材料からなる基体表面をメタライズあるいは配線などの金属層のパターンを形成する方法を提供することである。
【解決手段】 ケイ素系重合体を遷移金属塩溶液あるいは遷移金属塩の懸濁液と接触させ、その後、該ケイ素系重合体を還元剤に接触させることにより、該ケイ素重合体上あるいはケイ素重合体中に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴とするケイ素系重合体の表面処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。
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【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板１上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜２を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜２の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が０．５〜１０の範囲に設定されている。 （もっと読む）

均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 高酸化還元活性でかつ水素ガスの発生が抑制された銀担持触媒とその簡便な製造方法を提供すること。また、該銀担持触媒を含む高活性電極、とりわけ銀触媒担持型ガス拡散電極及びそれらの製造方法を提示すること。さらには、産業廃液を安全、且つ効率よく電解無害化するための電解装置を提供すること。
【解決手段】 多孔性の導電性担体の分散液中にて水溶性銀塩を湿式還元して該導電性担体に金属銀を担持させた後、該分散液のｐAgを上げて金属銀担持導電性担体を凝集沈降させることによって該金属銀担持導電性担体から吸蔵された共存塩類、残存還元剤及び還元反応生成物を洗浄除去して得られたことを特徴とする銀担持触媒。 （もっと読む）

【課題】 基材の種類にかかわらず、短時間で、かつ薄膜金属層と、基材との間で優れた密着性を有する薄膜金属積層体が得られる薄膜金属積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上への薄膜金属積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
（１）基材を準備する工程
（２）基材表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物の気体状物を、４００℃以上の熱源を介して吹き付け処理する工程
（３´）紫外線硬化型樹脂からなる下地層を形成する工程
（３）薄膜金属層を金属イオンの還元処理、例えば、銀鏡反応により形成する工程 （もっと読む）

無電解金属めっき浴中へナノメーターサイズの粒子を添加することによって、該めっき浴中で発生するシーディングの低減又は除去がもたらされる。該シーディングの低減化によって、塗膜中の混在物又は孔食の低減化がもたらされる。一般的には、保全と頻繁におこなわれるタンク洗浄のスケジュールを通常の２〜３日間を越えて延長させることができる。塗膜の特性は、該浴中での該粒子の共沈着によって改良される。硬度、耐食性及び耐水性等の特性が改良される。 （もっと読む）

第一の金属をめっきするための無電解浴中の還元剤の濃度を、第二の金属の電着速度に対する還元剤の影響から測定する。無電解ニッケル及びコバルト浴の場合、無電解めっき浴の試料を酸性銅めっき溶液に添加し、銅電着速度をサイクリックボルタンメトリー溶出（ＣＶＳ）分析によって計測する。次亜リン酸塩及びジメチルアミンボランの別個の分析は、両方の還元剤を使用する浴中、酸性溶液中のジメチルアミンボランの選択的分解によって達成される。
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【課題】光沢に優れ、変色、ムラのない銀皮膜を形成することが可能な、スプレー塗布用等として有用な２液性無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】（ｉ）銀化合物及びアンモニアを含む銀含有水溶液、並びに
（ii）還元剤を含む還元剤含有水溶液
の２液からなり、
更に、一般式：Ｒ¹Ｒ²Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＲ³）_nＲ⁴（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコシキ基又はエポキシ基である。ｎは、１〜４の整数である。）で表されるエチレンアミン類が、銀含有水溶液及び還元剤含有水溶液のいずれか一方又は両方に含まれていることを特徴とする、２液性無電解銀めっき液。 （もっと読む）