表面に孔食がない金めっき被膜が得られ、はんだ付けを行った際に十分なはんだ付け強度が確保できる無電解金めっき液を提供することを目的とする。
金の水溶性化合物を含有し、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。


（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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【課題】 無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させると共にポリイミド樹脂をポリアミック酸に改質する工程。（２）この改質された層にポリアミック酸を可溶な溶媒を接触させることによって、改質層の一部を除去して凹部を形成する工程。（３）凹部近傍のカルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。（４）この金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。 （もっと読む）

毒性が低く、中性付近で使用でき、はんだ密着性及び被膜密着性が良好な非シアン系置換型無電解金めっき液を提供する。 非シアン系水溶性金化合物、及びピロ亜硫酸化合物を含有することを特徴とする無電解金めっき液。該めっき液は、さらに亜硫酸化合物、アミノカルボン酸化合物を含有していてもよい。ピロ亜硫酸化合物としては、ピロ亜硫酸、又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム塩等を用いることができる。
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【課題】 精密な表面加工を可能にする軽量でかつ研磨性能に優れた安価な磁性砥粒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 活性炭粒子上に磁性を有する含ニッケル無電解めっき層が形成されている磁性砥粒により、上記課題を解決した。この磁性砥粒は、活性炭粒子をＮｉＳＯ_４／ピコリン酸溶液に浸漬した後、この活性炭粒子を不活性雰囲気下にて加熱乾燥して、活性炭粒子に付着したピコリン酸とニッケルのキレート化アニオンをニッケル金属に還元すると共にピコリン酸を炭化させて、活性炭粒子上にニッケル金属元素を形成して、活性炭粒子の活性化を行い、次いで、含ニッケル無電解めっきを行うことにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】超硬合金のための複合粉末製品の提供。
【解決手段】超硬切削工具及び耐磨耗製品のために適当な複合粉末製品が記載される。該製品は、硬質相上にコバルト又はニッケル又はコバルトとニッケルの混合物のコーティングが付着させられるところの、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物等内から選択される硬質粒子相を含む。硬質粒子相は０．１ないし１０μｍ、好ましくは０．１ないし２μｍの粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】金属調の輝度を有しながら、透明感のある彩度の高い着色粒子を得る。
【解決手段】透明性を有する基体粒子、及び有機顔料を含み、カチオン性顔料分散剤及び／またはノニオン性顔料分散剤が添加された水性分散液（Ａ）を調製し、
該水性分散液（Ａ）を攪拌しながら金属塩溶液（Ｂ）及び還元剤溶液（Ｃ）を同時に滴下して、無電解めっき反応を行わせる。 （もっと読む）

【課題】初期摺動特性等の諸特性が改善された無電解ニッケルめっき膜を提供すること。
【解決手段】表面にリン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬して無電解ニッケルめっき膜を形成し、次いで、前記無電解ニッケルめっき膜をリン酸塩溶液と接触させることにより前記無電解ニッケルめっき膜上にリン酸塩被膜を形成する。表面にリン酸塩被膜を有することを特徴とするニッケル合金めっき膜。 （もっと読む）

自己触媒無電解めっき浴を用いて基板に金属めっきする方法において，めっき浴において少なくとも２つの相が存在するようめっき浴の曇り点よりも高い温度でめっき浴を作用させる方法を開示する。銀金属を被覆するための自己触媒無電解めっき浴も記載する。また，介在金属層を必要とせずに銀金属をシリコン表面上に直接自己触媒めっきする方法も開示する。得られた銀析出物は均一な非多孔質であり，電気特性を有する。この技術は，異なる方法及びめっき浴組成，すなわち，異なる金属，錯化剤及び還元剤に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材表面を触媒化処理することなく、基材表面上に直接金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が還元剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有し、第１スズ化合物と第２スズ化合物を合わせたスズ化合物の総モル量に対して第２スズ化合物が３５乃至７５モル％の範囲にあることを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液を用いて得られた基材の銀鏡皮膜の腐食ムラ（斑点状ムラ）を防止する。また第２に活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、塩酸以外の酸を含有し、かつ第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有することを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化４で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化４】
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本発明は、広範囲多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために必要な、高さばらつきの少ない高アスペクト比のドーム型バンプの形成を可能にする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長ニッケルバンプを有する製品の形成方法、異方成長ニッケルバンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤を提供することを目的とする。本発明は、異方成長促進効果を有する量の異方成長促進剤を含有することを特徴とする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴を提供する。
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【課題】 屈曲可能で、寸法安定性、回路形成性、導体引き剥がし強度などに優れる金属めっき基板、それを用いてなるフレキシブルプリント配線板と多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 繊維基材に、硬化物の弾性率が５００〜７０００ＭＰａ（ＡＳＴＭ Ｄ−８８２に準じて測定）である接着剤組成物を含浸させてなる熱硬化型接着シートの少なくとも片面にめっき皮膜を形成し、該接着シートを加熱硬化させてなる金属めっき基板、この金属めっき基板を用いてなるフレキシブルプリント配線板、及び前記金属めっき基板を用いて得られた内層回路板に、回路を形成した各層を接着シートを介して一体的に接合してなる多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するパラジウム−銀合金皮膜を形成できる、無電解パラジウム−銀合金めっき液を提供する。
【解決手段】
（ｉ）水溶性パラジウム化合物、
（ii）水溶性銀化合物、
（iii）アンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン及びモノエタノールアミンからなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
（iv）一般式：
【化１】


（式中：ｎは１〜５の整数であり、Ｒは水素原子又は−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＨ₂である）で表されるエチレンジアミン類、
（ｖ）水溶性アルデヒド化合物、並びに
（vi）周期律表第四周期の遷移元素を含む水溶性化合物、
を含有する水溶液からなる無電解パラジウム−銀合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

金属酸化物層は、表面を前駆体溶液に高温で晒すことにより構造の金属又はセラミック表面上にｉｎ ｓｉｔｕで堆積させることができる。前駆体溶液は、有機金属、酸化剤、界面活性剤、キレート剤、及び水を含む。前駆体溶液は構造に注入され、所定期間に亘り所定の温度、ｐＨレベル、及び圧力に維持される。ｉｎ ｓｉｔｕで堆積させて得られる金属酸化物層は、構造内部の表面に永久的に結合し、且つ堆積後の熱処理を必要としない。
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