【課題】積層チップコンデンサ等のセラミック電子部品の外部電極に無電解めっきを施す際にセラミック層を溶出させにくい無電解めっき液の提供、及びセラミック電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】セラミック層１と内部電極２からなるチップ本体３、および下地電極４から構成されるセラミック素子８の下地電極４の上に、Ｎｉを無電解めっきするための無電解めっき液であって、ニッケル及び還元剤を含有し、ハロゲン含有量が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であり、ｐＨが７〜１０である無電解めっき液である。また、Ｎｉめっき層の上に公知の方法によってＳｎめっき層を形成することによってセラミック電子部品１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法、それにより得られる金属膜、及び金属膜形成用基板を提供することにある。
【解決手段】（ａ）基板に直接化学結合しており、メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、及び架橋性基前駆体を有するポリマーを形成するポリマー層形成工程と、（ｂ）該ポリマー層上にメッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｃ）該メッキ触媒又はその前駆体に対してメッキを行うメッキ工程と、（ｄ）ポリマー層に架橋を行う架橋工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐折り曲げ性に優れたニッケルめっき皮膜を形成できる新規な無電解ニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】
下記一般式（Ｉ）


［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基：


（式中、Ｒ^５は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、ｍは１〜１０の整数である）であり、ｎは２又は３である。］で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とする自己触媒型無電解ニッケルめっき液。 （もっと読む）

【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜、或いは、金属パターンを簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び金属パターン形成方法、それにより得られた平滑な基板との密着性に優れる金属膜積層体、金属パターン材料及びそれらの形成に好適に用いられる金属膜形成用基板、金属パターン形成用基板、及び、ポリマー前駆体層形成用塗布液組成物を提供する。
【解決手段】メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有し、ｐＨ＝１２以上で加水分解しないポリマーを、基板に直接化学結合させてポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、該ポリマー層上にメッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒等付与工程と、該メッキ触媒またはその前駆体を付与したポリマー層にメッキを行うメッキ工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を、ポリイミド樹脂フィルムの種類によらないで、安定して確保できる。
【解決手段】ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含むポリイミド樹脂材の表面金属化方法であって、上記前処理工程が、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、表面酸化処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、上記無電解めっき処理工程が無電解ニッケルめっき処理工程であり、上記厚付け銅めっき処理工程が、無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも１つのめっき処理工程である。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、特に平均粒径が２０μｍ以下の微粒子であっても優れためっき密着性を有する導電性無電解めっき粉体及びその工業的に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性無電解めっき粉体は芯材粉体の表面をメラミン樹脂で被覆処理し、更に無電解めっきにより金属皮膜が形成されてなることを特徴とする。また、その製造方法は該芯材粉体と該メラミン樹脂の初期縮合物を接触させて該初期縮合物の重合反応を行って該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体を得る工程、次いで該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体の表面に貴金属を担持させる工程、次いで該貴金属を担持させた該芯材粉体を無電解めっき処理する工程とを、含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき液の析出性を阻害することなく、良好な安定性を付与することが可能な、安全性の高い物質からなる無電解ニッケルめっき用安定剤を提供する。
【解決手段】アリルアミン、アリルアミン塩、ジアリルアミン、ジアリルアミン塩、ジアリルアンモニウム塩、リシン、リシン塩、及びジシアンジアミドからなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物を構成モノマーとする重合体からなる無電解ニッケルめっき液用安定剤。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき液から亜リン酸イオンを除去するとともに次亜リン酸イオンの補充を行なうことで無電解ニッケルめっき液を長寿命化することのできる経済的に有利な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液中に被めっき物を浸漬させて、前記被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を施す無電解ニッケルめっき方法において、亜リン酸イオンが蓄積された前記無電解ニッケルめっき液をニッケルめっき槽から抜き出し、抜き出された前記無電解ニッケルめっき液を、アミン含有有機溶媒と次亜リン酸含有水溶液とを接触させて有機相中に次亜リン酸アミン錯体を形成させ相分離して得られる次亜リン酸アミン錯体含有有機相に接触させ、有機相中に亜リン酸イオンを亜リン酸アミン錯体として抽出するとともに水相中に次亜リン酸イオンを移行させた後、相分離して得られる水相を前記ニッケルめっき槽に戻すことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物である金属微粉末をめっき浴中で均一に安定して分散させ、且つ気泡を発生さ・付着させない無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 金属粉末表面に無電解めっき浴を用いて導電性の高い金属をめっきするにあたり、めっき浴を層流にて高速攪拌できる泡レスタイプ・超高速ミキサーを用い、１，０００〜１０，０００ｒｐｍの条件下で撹拌しながらめっきする方法を採用する。撹拌手段としては、泡レスタイプの高速ミキサーが利用できる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】一貫して湿式法により絶縁基体の表面に密着性の優れためっき層を形成しためっき体、およびめっき方法を提供することにある。
【解決手段】ガラス基板に対する酸・アルカリ洗浄工程ＳＴ１工程、マスキング工程ＳＴ２、触媒化処理工程ＳＴ３、無電解ニッケルめっき工程ＳＴ５、金めっき工程ＳＴ６をこの順に行う。ニッケルめっき層としては、リン含有量が６〜１０質量％のニッケルめっき層（柱状析出タイプの中リンニッケルめっき層）を用いる。また、中リンニッケルめっき層を形成する前段階で行う洗浄工程では、水洗浄として超音波洗浄を行い、水洗浄後には水溶性有機極性溶媒による溶剤洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）イソチオ尿素及びその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる安定剤、
を含有する水溶液からなる自己触媒型無電解金めっき液。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルおよび次式（１）で表される水酸化アルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、上記無為電めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、スルホン酸型アニオン界面活性剤および下記式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アルキル基およびヒドロキシアルキル基よりなる群から選ばれる何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）下記式


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、低級アルキル基又は水素原子であり、該低級アルキル基は、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、基：―Ｎ（Ｒ^３）_２（但し、Ｒ^３は水素原子又は低級アルキル基である）、基：−ＳＯ_３Ｍ^１（但し、Ｍ^１は水素原子又はアルカリ金属である）、ヒドロキシル基、基：−Ｏ（ＣＨ_２）_ｎ−ＯＨ（但し、ｎは２又は３である）、シアノ基、ニトロ基、ホスホン基及びフェニル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の置換基を有してもよい）で表される化合物、
を含有する水溶液からなる無電解金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好で、かつ電極との接続信頼性の高い、突起を持つ銀めっきされた導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 基材粒子の表面にニッケルメッキ被膜が形成され、該ニッケルメッキ被膜下地層の表面に無電解銀メッキにより銀メッキ被膜が形成され、最表面に微小突起を有することを特徴とする導電性微粒子。ニッケルメッキ被膜の表面に銀メッキ被膜が形成されていることにより、経時的にニッケルメッキ層が腐食して電気抵抗が増大することなく、しかも安価で電気抵抗が低い銀メッキ被膜を有しているため、導電性が良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】危険度の高いエッチング液を使用することなく、銀メッキ層との密着性も高く、良好な銀層を有するフィルムやシートを経済的に得ようとする。
【解決手段】プラスチック製のフイルム又はシートの表面に、ウレタン変性した飽和ポリエステル樹脂を含有する組成物を塗布した処理層を設ける。この処理層の上に銀鏡反応により銀層を生成する。これによって、良好な銀層を有するフイルム又はシートを得ることができる。
また、プラスチック製のフイルム又はシートの表面に飽和ポリエステル樹脂を含有する組成物を塗布した下処理層を設け、この下処理層の上に上記ウレタン変性した飽和ポリエステル樹脂の処理層を形成する。この処理層の上に銀鏡反応により銀層を生成する。これによって、良好な銀層を有するフイルム又はシートを得る。 （もっと読む）

【課題】表面が外部に露出する状態でおかれる鋼材が海水等に含まれる塩化物イオンに接触して劣化して痩せ細ってしまうことを防止する。
【解決手段】鋼材表面に硝酸銀水溶液を塗布することにより銀鏡反応を起こさせて鋼材表面に銀鏡を発生させ、これによって鋼材表面を銀で被覆し、該被覆した銀に塩化物イオンが接触したときに難溶性の塩化銀になるようにし、これによって鋼材表面が塩化物イオンに接触して劣化して痩せ細ってしまうことを防止するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の形状により製品品質が低下することを抑止する。
【解決手段】 被処理物２の表面に銀鏡処理を施すための薬液を被処理物２に向けて噴出する薬液噴出手段３Ａ、３Ｂと、被処理物２を回転させる回転手段５とを設けてある銀鏡薄膜形成設備において、薬液噴出手段３Ａ、３Ｂによる薬液噴出で被処理物に付着する薬液を回転手段５による被処理物回転での遠心作用により被処理物２から飛散させる構成にするとともに、この飛散薬液の飛散域Ｐ１に位置して飛散薬液を受け止める薬液受止体１０Ａを設け、この薬液受止体１０Ａを、飛散薬液を受け止める作用位置と被処理物２の経路及びその経路の直上方から外れた待避位置とに切替移動させる受止体移動手段１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物、タリウム化合物、ヒドラジンなどの有毒な化学物質を用いることなく、かつ、ニッケル下地メッキ層中に、リンまたはホウ素等の不純物が含まれない、無電解メッキ液および無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】スルホオキシド、具体的には、化学構造：Ｒ₁−Ｓ（＝Ｏ）−Ｒ₂（Ｒ₁とＲ₂はｎ＝１〜３のアルキル基）を有するスルホオキシド、または、テトラメチレンスルホオキシド（化学式：Ｃ₄Ｈ₈ＳＯ）を用いて、メッキ金属のハロゲン化物、硝酸塩、酢酸塩およびクエン酸塩のいずれかを添加して無電解メッキ液とする。 （もっと読む）