【課題】活性化処理液の保存安定性が良好であり、且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定して銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることができる活性化処理液を提供すること。
【解決手段】プラスチック、金属、ガラス等の基材の表面に銀鏡皮膜を形成するにあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化するための、第１スズ化合物を含有する活性化処理液において、過酸化水素を含有することを特徴とする銀鏡用活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】 本発明を用いることで、分散体は長時間分散状態を維持することができる。また、分散体を輸送する際にも粒子の凝集を防止することができ、分散体の分散状態を維持でするものである。
【解決手段】 本発明は、保護剤により被覆されている金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子を溶剤に分散してなるナノ粒子分散体を当該保護剤の融点以下、又は融点が１０℃以下であるときは１０℃以下で保存することを特徴とするナノ粒子分散体の保存方法である。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ高効率な導電性微粒子の製造方法を提供すること。さらに、導電性微粒子の突起の大きさを容易に調節可能な導電性微粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】被めっき粒子の表面に触媒を担持させる触媒担持工程と、被めっき粒子の被めっき面積２．５ｍ^２／Ｌ〜３０ｍ^２／Ｌに対して、めっき液１Ｌ当たりニッケル塩０．０１７ｍｏｌ〜２．５６ｍｏｌ、還元剤０．３４モル当量〜３．４モル当量含有する酸性めっき液中、温度２５℃〜７５℃において、ニッケル塩又は還元剤を添加することなく、かつ１回の建浴によって被めっき粒子にめっき処理を施す無電解ニッケルめっき工程と、を含む方法によって、導電性微粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高価な触媒を使用せずコストを低減し、かつ金属被覆層が均一で経時的安定性が著しく高い導電性微粒子の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ポリマー微粒子（Ａ）、金属親和性の高い官能基（ｂ）を有する化合物（Ｂ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法であり、また、金属親和性の高い官能基（ｂ）を表面に有するポリマー微粒子（Ｆ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法でもある。 （もっと読む）

安定性に優れて数回使用でき、沈殿物による膜質の低下が防止できるコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及び前記無電解鍍金方法から製造された薄いコバルト系列合金薄膜を提供する。コバルト前駆体、タングステン前駆体、リン前駆体、還元剤、錯化合物形成剤、ｐＨ調節剤、及び安定剤とからなるコバルト系列合金無電解鍍金溶液において、還元剤はジメチルアミンボラン（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅｂｏｒａｎｅ、ＤＭＡＢ）またはホウ水素化物（ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）であり、安定剤はイミダゾール、チアゾール、トリアゾール、ジスルフィド、及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とするコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及びこれから製造された薄膜を提供する。
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【課題】銀めっきなどの金属めっき層で問題となる密着強度不足、及び、特に銀鏡反応による銀めっきの「シケ」とよばれるめっき腐食の発生に関する耐食性を向上させた金属めっき材を提供する。
【解決手段】基材の表面に、少なくともアンダーコート層、金属めっき層、トップコート層を備えた被金属めっき材において、該アンダーコート層および該トップコートの少なくとも１つにベンゾトリアゾール化合物を含有することを特徴とする被金属めっき材。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき皮膜上に形成された置換型の金めっき皮膜上に更に自己触媒的に金めっき皮膜を形成する目的等に使用できる無電解金めっき液であって、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な自己触媒型無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）第四級アンモニウム基を含む化合物及び第四級ホスホニウム基を含む化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
を含有する水溶液からなる自己触媒型無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】室温から高温領域にわたる広い温度範囲において高い硬度を有し、摺動性および靭性に優れ、しかも高速で形成することができるめっき皮膜、および上記めっき皮膜で摺動部分を被覆した、広い温度範囲で硬度が高く、摺動特性に優れた機械部品を提供すること。
【解決手段】Ｃｏを１〜５０質量％、Ｗを１〜２０質量％、Ｐを１〜５質量％含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。摺動部分を有する機械部品。少なくとも前記摺動部分を上記皮膜で被覆する。Ｎｉイオンを０．０３〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、Ｃｏイオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、ＷＯ₄イオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、リン化合物を０．１５〜０．３０ｍｏｌ／Ｌ含有する無電解めっき浴。 （もっと読む）

【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜又は金属パターンを簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び金属パターン形成方法を提供すること。また、簡便な工程で、多大なエネルギーを用いることなく製造された、平滑な基板との密着性に優れる金属膜、金属パターンを提供すること。
【解決手段】（ａ）基板上に、メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、重合性基、及び２価の硫黄原子を含む置換基を有するポリマーを直接化学結合させてポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｂ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｃ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法、これにより得られた金属膜、前記金属膜形成方法を応用した金属パターン形成方法、これにより得られた金属パターン。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水溶性銅塩、（Ｂ）還元剤、（Ｃ）錯化剤、（Ｄ）めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール−プロピレングリコール共重合体、及び（Ｅ）めっき析出促進剤として８−ヒドロキシ−７−ヨード−５−キノリンスルホン酸を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、上記（Ａ）成分、（Ｂ）還元剤としてグリオキシル酸又はその塩、上記（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、並びにこれらを用いた無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法。
【効果】ボイド等の欠陥の形成を可及的に防止しつつ、トレンチの効率的な埋め込みが可能であり、更に、微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成をせずに、全工程を湿式工程で構成して、より均一かつ確実にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】塗布に際し問題となるハンドリング上の問題点を解決した、アルミニウム膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルオキシチタン酸から形成された酸化チタン膜を有する基体上に、水素化アルミニウム化合物とアミン化合物との錯体を含有する組成物を塗布し、次いで加熱および／または光処理する、アルミニウム膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金の被めっき物の表面に黒色めっき膜を均一に形成する。
【解決手段】銅または銅合金の被めっき物を、液温が３０℃以下の無電解めっき浴に所定時間浸漬する。この無電解めっき浴は、ニッケル塩、チオ尿素系の化合物、第二スズ化合物、キレート剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】 中性且つ低温でも、金の析出速度が高く、安定性も優れた無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】 金塩と、下記一般式（Ｉ）で表される還元剤と、重金属塩と、を含むことを特徴とする無電解金めっき液。
【化１】


［式中、Ｒ^１は水酸基又はアミノ基を示し、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜を基体上に容易に形成するための組成物と方法を提供すること。
【解決手段】アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体および大気圧下での沸点が３００℃より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体と反応しない媒体とを含有するコーティング用組成物、ならびに上記組成物を基体上に塗布し、熱処理または光照射してアルミニウム膜を生成し次いで前記媒体を除去するアルミニウム膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 金属、セラミックス及び樹脂表面に原子、原子団及び分子レベルで付着して機能的な反応性を付与する。
【解決手段】
下記一般式（１）：
【化７】


で示されるアルコキシシリルトリアジンジチオール。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】色調および耐磨耗性に優れた無電解ニッケル黒色めっき膜を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケル黒色めっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬してめっき膜を形成し、前記めっき膜に黒色化処理を施し、前記めっき膜を黒色保持処理に付し、次いで、前記黒色保持処理後のめっき膜を１００〜３００℃の範囲の温度で熱処理する。Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ＝４６〜４９°に回折ピークを有する無電解ニッケル黒色めっき膜。 （もっと読む）

新規の無電解めっき方法を提供する。触媒被膜をマイクロチャンネル装置内に適用することができる。無電解触媒被膜によって燃焼及び水蒸気改質を含む様々な反応を実施することができる。
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【課題】細孔とセル径を制御可能とし、大面積基板に対して適用可能で、低コスト且つ簡易な装置によるナノ構造体を得る方法、及び該ナノ構造体を鋳型として金属ナノ構造体を得る方法及び金属ナノ構造体の提供。
【解決手段】アルミニウム等の基体２を陽極酸化し、細孔拡大処理により孔径を拡大させたアルミナ皮膜３からなる多孔質酸化皮膜ナノ構造体１を鋳型とし、金属Ｍ２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら鋳型を浸漬して鋳型に金属イオンＭ３を担持させる工程、金属Ｍ２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ３を担持した鋳型を浸漬して鋳型に金属Ｍ２のコロイドを担持させる工程、金属Ｍ１のイオン、還元剤及び平滑化剤を含む溶液に金属Ｍ２のコロイドを担持した鋳型を浸漬する無電解めっき工程、及び、酸化皮膜３を選択的にエッチング除去する工程とを含む方法により金属ナノ構造体４を得る。 （もっと読む）