本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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金属酸化物層は、表面を前駆体溶液に高温で晒すことにより構造の金属又はセラミック表面上にｉｎ ｓｉｔｕで堆積させることができる。前駆体溶液は、有機金属、酸化剤、界面活性剤、キレート剤、及び水を含む。前駆体溶液は構造に注入され、所定期間に亘り所定の温度、ｐＨレベル、及び圧力に維持される。ｉｎ ｓｉｔｕで堆積させて得られる金属酸化物層は、構造内部の表面に永久的に結合し、且つ堆積後の熱処理を必要としない。
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本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。
【解決手段】 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。 （もっと読む）

金属、半導体、又は誘電体であってもよい被覆材料を無電解堆積するための方法を提供する。この方法は、比較的低い温度の使用液で実施され、この低い温度は、基板チャックの中に組み込まれた加熱器によって制御される基板上の上昇した温度により補償される。使用液の温度低下は溶液の熱分解を防止し、通常は上昇した温度において発生する気泡の形成を減少させる。基板の面上の気泡蓄積は、基板の処理された面の上向きになる方向付けによってさらに防止される。基板ホルダは、基板の表面を急速に加熱又は冷却するために交替で使用することができる基板加熱器と基板冷却器とを備えている。
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【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも一種、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏ、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａから選ばれる少なくとも一種の元素であり、各元素の含有量が５質量％≦Ｒ≦４０質量％、５０質量％≦Ｔ≦９０質量％、０質量％≦Ｍ≦８質量％、０．２質量％≦Ｂ≦８質量％）で表記される希土類永久磁石の表面に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ及びこれらの合金から選ばれる少なくとも一種のフレーク状微粉末と、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも一種の金属ゾルとを含む処理液による処理膜を加熱することにより得られるフレーク状微粉末／金属酸化物の複合皮膜を形成してなる耐食性希土類磁石。
【効果】 本発明によれば、耐熱性を有する耐食性希土類磁石を安価に提供でき、産業上その利用価値は極めて高い。 （もっと読む）

【課題】実行するのがより簡単であるにも関わらず、粗さが低く、且つ、従来技術の材料の圧電定数よりも高い圧電定数を有する圧電性材料を得る方法を提供する。
【解決手段】１つまたはそれ以上の圧電性の酸化セラミックに基づいて材料を作成する工程であり、以下の連続するステップを構成する。
ａ）酸化物セラミックの前駆体として、酸化セラミックの粉末とゾルゲル溶液、つまり、圧電性である酸化物セラミック及び／もしくは圧電性の酸化セラミックの前駆体であるゾルゲル溶液を含む分散の層を基板へ液体による方法で蒸着する。
ｂ）ステップａ）を１回またはそれ以上繰り返すステップで、それによって少なくとも２つの層から成る多層構造のフィルムを得る。
ｃ）相当するセラミックに変換する為に前記の層を熱処理する。
ｄ）ステップａ）と同一もしくは異なるゾルゲル溶液で多層構造を浸漬被覆することにより、ステップｃ）で得られた多層構造のフィルムを浸透するステップ。
ｅ）ステップｄ）を１回もしくはそれ以上反復するステップ。
ｆ）前記多層構造を熱処理し、多層構造のフィルムを浸透しているゾルゲル溶液を変換して相当するセラミックに変換するステップであること。 （もっと読む）

本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。 （もっと読む）

遊離−ＯＨ基と反応可能な疎水性成分が含まれる外側コーティング及び無機ゾル−ゲルコーティングである内側コーティングから成る二重コーティングが施されることにより容易に洗浄可能となる表面を備えた構造体であって、
前記外側疎水性コーティングが高くても１００℃までの穏やかな温度で乾燥された極めて反応性の高い内側ゾル−ゲルコーティングへ処理され、及び前記疎水性コーティングが縮合反応によって前記ゾル−ゲルコーティングへ化学的に強固に固定され、及び前記構造体表面上の前記二重コーティングが５０℃を越える温度で焼成されることを特徴とする前記構造体。 （もっと読む）

本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）

無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 （もっと読む）

二酸化スズ含有触媒コーティングを有する電気化学的プロセスのための電極を、スズ（ＩＶ）ヒドロキシクロリドを含む前駆体溶液から出発して製造する。二酸化スズの堆積のプロセスは、高い収率及び改良された再現性を特徴とする。 （もっと読む）