【課題】磁気特性を向上させることが可能な電気めっき層の磁気特性制御方法を提供する。
【解決手段】電解析出層の中に含まれることとなる全ての元素を溶液中に含有するめっき浴を用意し、そのめっき浴に、約０．０５ｇ／ｌ以上０．３ｇ／ｌ以下の濃度でアリールスルフィネートを加え、電気めっき処理を行う。これにより、アリールスルフィネートを含まないめっき浴から電解析出された層の磁気特性とは異なる磁気特性を有する電解析出層を得る。この電解析出層は、磁気ヘッドに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒめっき摺動部材の摩擦係数を下げる。
【解決手段】摺動部材のＣｒめっき層の、Ｘ線回折分析により特定される（２２２）面が表面側を向いた（２２２）配向結晶１の存在率を６０％以上８０％以下とし、該Ｃｒめっき層表面に形成されるＣｒ酸化皮膜３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる１種又は２種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる１種又は２種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】クロム、燐および重金属を用いることなく製造可能な、裸耐食性および欠陥部耐食性に優れる表面処理鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、TiおよびFeを含む反応層と、該反応層上に積層した被覆層とからなる被膜を有する表面処理鋼板において、該被膜の形成後の酸素還元電流が同被膜形成前の酸素還元電流の１／１０以下となる被膜を形成する。 （もっと読む）

抑制剤としてポリ（アルキレン−ビグアニド）塩を含む銅電着のための電解質。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩によって起こされた抑制は、銅表面の促進剤濃度によって条件付けられる。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩の界面活性特性は、カソードと電解質とが接触している間に、電解質／大気界面を電解質／銅界面に即座に変換することを可能にする。本発明による電解質は、平滑で光沢のある電着物を得るため、およびマイクロエレクトロニクスで有用なサブミクロンスケールの凹部を有する表面上に銅を堆積するために適している。 （もっと読む）

【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極６ａ、６ｂ上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成する。
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２．８８９５±０．００２５Åの格子定数を有する結晶質クロム堆積物、および該結晶質クロム堆積物を含む物品。結晶質クロム堆積物を含む物品は、該結晶質クロム堆積物が｛１１１｝の優先方位を有する。基材上に結晶質クロム堆積物を電析させるための方法は、３価クロムおよび２価硫黄源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電気めっき浴を提供する工程；基材を該電気めっき浴に浸漬する工程；および該基材上に結晶質クロム堆積物を析出させるために電流を付与する工程を包含し、該クロム堆積物は、析出したときに結晶質である。
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【課題】銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面に生成する低融点金属の拡散層を抑え、銅箔と導電性ペーストとの界面にボイドや亀裂が発生しない銅箔、および該銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】元箔表面に、結晶方位が、Ｘ線回折法により測定した１１１面がもっとも多く、１１１面と２００面との結晶方位の積分強度比率（１１１面／２００面）が３以上である突起物群を設けた銅箔である。前記銅箔は、元箔表面に、過硫酸塩を０．１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下の比率で添加した硫酸銅めっき液を用いて、電気めっき法にて析出させて製造する。
【選択面】なし （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】エッジオーバーコーティングを防止すると共に、表面品質にも優れる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノードとめっき液を備えるめっき槽と、該めっき槽の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯を連続的に搬送する通電ロールとバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノードと被めっき鋼帯との間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記めっき槽の出側にめっき液排出口を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 （もっと読む）

【課題】通電ロールへの金属錫の析出を効果的に抑制することができる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノード５とめっき液４を備えるめっき槽１と、該めっき槽１の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯Ｓを連続的に搬送する通電ロール２とバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノード５と被めっき鋼帯Ｓとの間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記錫アノード５と出側通電ロール２との間に遮蔽ダム９を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁歪振動が抑制され騒音低減効果をもたらす磁歪特性に優れる方向性電磁鋼板を提供する。
【解決手段】まず、方向性電磁鋼板の表面にフォルステライトを主体とする無機鉱物質被膜を、さらにその上層には、平均密度が3.1g/cm³以上で平均硬度が15GPa以上の被膜を有することとする。例えば、上記上層被膜はコロイダルシリカとアルミナゾルを種々の割合で混合し、この混合物をフォルステライト被膜のある鋼板に900℃から1050℃の温度範囲で焼き付けることで形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は電解質成分と同様に、基板上にクロム・ベアリング電解質から機能的なクロム層を堆積するための方法に関するものである。
【解決手段】本発明による電解質成分はスルホ酢酸から構成される。本発明による方法は、電流密度が約２０から約１５０Ａ／ｄｍ^２の間で、電流効率が３０％より高い状態で行う事ができ、８００ＨＶ０．１より高い硬度と、２００時間を超えて耐食を示す層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】開口部内のはんだボール電極上に嵩上げ導体層を直流の電解銅めっきにて形成する際、予め電解銅めっきに使用する銅めっき液に銅めっき添加剤（促進剤）を添加することにより、嵩上げ導体層の表面形状を制御するようにしたＢＧＡ型キャリア基板の製造方法及びＢＧＡ型キャリア基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＢＧＡ型キャリア基板１００は、絶縁基材１１の一方の面にランド２１ａ及び半導体チップを接続するための電極パッド２１ｂと、他方の面にランド２１ａと電気的に接続されたはんだボール形成用の嵩上げ導体層３１とＮｉ／Ａｕめっき層５１とが形成されており、嵩上げ導体層３１を直流の電解銅プラグめっきで形成する際、銅めっき液に予めジスルフィド（二硫化物）系銅めっき添加剤（促進剤）を所定量添加しておく。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（ａ１）基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、（ａ２）ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ａ３）金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が１０〜１００ｋΩ／□の導電性層を形成する工程と、（ａ４）電気めっきにより、表面抵抗率が１×１０⁻¹Ω／□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 （もっと読む）

【課題】陽極として不溶性陽極を使用した場合においてもプリント配線板用銅箔に連続的に安定しためっきを施すことができ、かつ、環境への負荷を低減することができるニッケルめっき液とその製造方法およびニッケルめっき方法、並びにプリント配線板用基材との接着性が良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔７は、硫酸ニッケルを１００ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ未満と、クエン酸ナトリウムを１０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ未満又はクエン酸を８ｇ／Ｌ以上２５ｇ／Ｌ未満とを水に溶解させ、塩化ニッケルを添加せず、ｐＨが２以上４未満となるように調製して製造したニッケルめっき液を使用し、陽極として不溶性陽極を使用するニッケルめっき方法により施されたニッケルめっき層（ニッケル−コバルト合金めっき層３）を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】銅板材に連続的なめっきを実施する場合に生じる品質的な欠陥を防止でき、かつ設備・維持コストが安価にできる、銅板材に適しためっき装置とめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１０は、電解脱脂槽１（脱脂用電極１ａ、電解脱脂浴１ｂ）と、電解溶解槽２（溶解用電極２ａ、電解溶解浴２ｂ）と、電解めっき槽３（めっき用電極３ａ、電解めっき浴３ｂ）と、銅板材１１を巻戻すアンコイラー４と、銅板材１１を巻取るリコイラー５と、脱脂用電極１ａと結線された第１の正極６ａ及び溶解用電極２ａと結線された第１の負極６ｂを有する第１の電源６と、溶解用電極２ａと結線された第２の負極７ｂ及びめっき用電極３ａと結線された第２の正極７ａを有する第２の電源７とを備え、銅板材１１と直接接触するコンタクトローラを備えていない。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗の高いフィルムに対しても、メッキを均一に付けることができ、生産性の高いメッキ処理方法を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面を、ｐＨ３以下の酸性銅メッキ液１５でメッキ処理する酸性メッキ処理工程と、前記酸性メッキ処理工程後に、ｐＨ８〜１３のアルカリ性銅メッキ液１９でメッキ処理するアルカリ性メッキ処理工程とを有することを特徴とするメッキ処理方法、該方法により製造された導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 （もっと読む）

【解決手段】 微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、コバルト塩をコバルト基準で０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で０．１〜０．５ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】 本発明の金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）