【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第１金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第１金属より貴な第２金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第２金属または第３金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】高価な材料を含まず、且つ製造が労働集約的でないスリップリングの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップリング部品（１０６）の製造方法、スリップリング部品及びスリップリング組立体を開示する。スリップリング部品の製造方法は、第１ショット（４０４）を形成する工程と、第２ショット（４０２）を形成する工程と、第１ショット（４０４）及び第２ショット（４０２）を浸漬する工程とを具備する。浸漬工程においては、第２ショット（４０２）の露出面に導電めっきを付ける。 （もっと読む）

【課題】酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有するアルミニウム材を提供する。
【解決手段】マグネシウム含有量が１重量％以上８重量％以下、ケイ素含有量が０．０００１重量％以上０．０２重量％以下、鉄含有量が０．０００１重量％以上０．０３重量％以下であり、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、鉄以外の元素の含有量が、それぞれ０．００５重量％以下であり、かつ、アルミニウム、マグネシウム以外の元素の含有量の合計が、０．１重量％以下であるアルミニウム合金を表面処理してなるアルミニウム材。該アルミニウム材は、酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有すため、建築材料、自動車材料、電池、キャパシタなどの蓄電デバイス材料、燃料電池用セパレータや筐体などとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜１０は、Ａｕ_{（１００−ｘ−ｙ）}−Ｍ_ｘ−Ｃ_ｙからなる。ただし、ＭはＡｕ以外の金属元素であり、１≦ｘ≦２２、かつ、３≦ｙ≦３０、かつ、４≦（ｘ＋ｙ）≦４０である。めっき液５０は、Ａｕイオンと、Ｎｉイオンと、くえん酸（Ｃｉｔ）イオンと、ＣＮイオンと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】 ピッチズレが抑制されためっき物からなる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性の基板表面に感光性樹脂の層を形成する第１工程と、前記感光性樹脂の層を露光および現像することで前記基板表面の一部を露出させ、前記感光性樹脂の構造体を形成する第２工程と、前記感光性樹脂の構造体を第１のめっき液に浸漬し、前記基板表面が露出した部分から第１のめっき層を形成する第３工程と、前記第１のめっき層を形成した後、前記感光性樹脂の構造体を硬化させる第４工程と、前記感光性樹脂の構造体を硬化させた後、前記第１のめっき層の少なくとも一部を除去する第５工程と、硬化させた前記感光性樹脂の構造体を前記第１のめっき液と異なる第２のめっき液に浸漬し、前記第１のめっき層を除去した部分から第２のめっき層を形成する第６工程とを有する微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕ被覆層の厚みが薄くても耐食性を向上させることが可能な燃料電池用金属セパレータ材料の製造方法を提供する。
【解決手段】オーステナイト系ステンレス鋼薄板からなる基材２の表面に、ｐＨ１．０以下のＡｕめっき浴を用いて厚み２０ｎｍ以下のＡｕ被覆層を形成する燃料電池用金属セパレータ材料の製造方法であって、基材及び／又はＡｕめっき浴に超音波振動を付与した状態で電解めっきする。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ra）が３．０ｎｍ以下であるＡｕめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度下でも半導体ウエハにめっき焼けやめっき形状の凹凸を呈することなく、めっき面内均一性が得られ生産性を向上できるカップ型めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽の下部からめっき液を噴出する液流入部と、めっき槽内に設置されるアノード２と、めっき槽の上部で半導体ウエハ４と電気的に接続されるカソード３とを備えた、半導体ウエハ４の表面にバンプ電極を形成するカップ型めっき装置であって、前記アノード２を十分な電極面積を有するプロペラ形状とし、回転可能にめっき槽底部のシャフト７に連結したカップ型めっき装置。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として１〜２０ｇ／Ｌであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が５〜１５０ｇ／Ｌであり、光沢化剤の含有量は、０．５〜１００ｍｍｏｌ／Ｌである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び／又はスルホンから選択される１種又は２種以上の化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】コネクター等の電子部品表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】金めっき液およびそのめっき方法であって、金源としてのシアン化金またはその塩及びコバルト化合物と、少なくとも窒素含有複素環化合物とエピハロヒドリンを反応させて得られる生成物を含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スポットめっきの課題として、めっき滲みがある。めっき滲みを抑制するには、マスク部の厚みを厚くする、めっき液の流速を低下させるなどの方法があるが、いずれも、めっきヤケの発生、耐食性の低下などの問題があった。これらは、Ａｕめっきの電流密度を下げることで回避可能であるが、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】 部分めっき装置の開口部を、曲線部を含み、曲線部の長さが開口部の全外周部の長さの４割以上となる形状とする。開口部を正方形または長方形から円または楕円に近づけることで、マスク材の厚みを厚くすることなく、生産性を維持し、めっきヤケの不具合がなく、かつめっき滲みが少ない部分めっき方法および部分めっき装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、７．４ｍｍｏｌ／ｇ以上のシアノ基含有量を有する第１の樹脂層を形成する工程（１）と、前記第１の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程（２）と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第２の樹脂層を形成する工程（３）と、前記第２の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（４）と、めっきを行い、前記第２の樹脂層上に金属膜を形成する工程（５）と、を備える、金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続搬送される帯状被処理物の必要部分のみにめっき液を噴出して連続部分めっきしながら、余剰のめっき液が付着したマスク回転体を効率的に洗浄することができる連続部分めっき装置及びそれを用いた連続部分めっき方法の提供。
【解決手段】長尺の被処理物１１を搬送しつつ、めっき必要部分にのみめっき処理を施すための連続部分めっき装置であって、アノード電極となる側板に形成された多数の電極ノズル孔から放射状にめっき液を噴出する電極構造体と、該電極構造体の外側に、それ自体がカソード電極となる被処理物１１を搬送しながら回転し、被処理物１１のめっき不要部分にめっき液を接触させないようにするマスク回転体３を同心円状に配置し、余剰のめっき液が付着したマスク回転体３に向かって微量の純水を噴霧する洗浄ノズル１、マスク回転体３の表面から過剰な液体を落とす拭き取り部材２を付設したことを特徴とする連続部分めっき装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を９０〜７００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを３０〜２３０にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成した。Ａｌ合金の基材１０は、例えば、Ｓｉ：１３．０質量％以下、Ｆｅ：１．５質量％以下、Ｃｕ：６．８質量％以下、Ｍｎ：１．５質量％以下、Ｍｇ：５．６質量％以下、Ｃｒ：０．５質量％以下、Ｚｎ：８．４質量％以下、及びＴｉ：０．２質量％以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 （もっと読む）