【課題】繊維めっき装置の小型化を図るとともに、繊維めっきに必要な時間を短縮し、効率的に繊維めっきを実施することができる繊維めっき治具、及び、これを用いた繊維めっき方法を提供する。
【解決手段】繊維めっき治具１０は、回転軸１４を中心に回転するものであって、漸次狭幅となる部分等を備えた開口スリット１２ａが形成され、被めっき繊維が掛架される掛架凹部１２ｂが列設された被めっき繊維の掛架板１２を備え、掛架凹部１２ｂが回転軸１４を中心とする円周上に配置され、且つ、開口スリット１２ａが回転軸１４に対して外向きに形成される。掛架板１２は、回転軸１４を中心とし、これを取り囲んで複数設けられ、回転軸１４と平行に配置される支持骨格１６ｃに取り付けられ、支持骨格１６ｃにより支持される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき触媒などの金属に対して十分な吸着性を有し、吸水性が低く、加水分解耐性に優れ、その表面上に形成される金属パターンの絶縁信頼性に優れた被めっき層（絶縁性樹脂層）を形成しうる被めっき層形成層組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】重合性基を有するユニット（Ａ）、ＣｌｏｇＰが０以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット（Ｂ）、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット（Ｃ）を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性に優れ、貴金属の持つ光沢を維持することができる貴金属物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銀又は銀合金からなる銀粘土焼結体２の表面の少なくとも一部に金銀合金被覆層３が形成された貴金属物品１であって、金銀合金層３は、最表面の組成が銀：２０重量％〜５０重量％、残：金および不可避不純物であり、最表面から深くなるにしたがって銀の比率が高くなっており、その製造方法は、銀粘土焼結体の表面に目付け０．２〜１．２ｍｇ／ｃｍ^２の金被覆を施す被覆工程と、被覆工程の後、金被覆を施した銀粘土焼結体を加熱保持して金銀合金被覆層を形成する加熱工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層が形成された電気絶縁性材料表面に、適度な厚みを有する密着性の強い金属膜が形成された電気絶縁体とその製造方法。
【課題解決手段】
電気絶縁性材料表面に近いほうから順に、i)π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層、ii)Ni又はNi合金層、iii)Ni又はNi合金より電気伝導度の高い１層以上の金属層からなる層が累積形成された当該金属多層積層電気絶縁体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収を大きくすることが可能な高アスペクトな金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】柱状の金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法であって、基板上に、導電性を有するシード電極と、前記シード電極の一部が露出するようにシリコンからなる格子とが設けられたモールド基板を用意する工程と、前記シリコンからなる格子の頂上部から深さ方向に対して０度より大きな入射角にて絶縁物を斜方蒸着する工程と、前記絶縁物が斜方蒸着されたモールド基板に金メッキを行い、前記シリコンからなる格子の間隙に柱状の金メッキ物を形成する工程を有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

プラスチックの表面を金属化する方法を提供する。この方法は、１）前記プラスチックの表面を気化して、前記化学めっき促進剤を露出するステップと、２）前記プラスチックの表面に、銅またはニッケルの層を化学めっきするステップと、３）ステップ２）でめっきされた表面に、電気めっきまたは化学めっきにより、少なくとももう一度めっきを行い、前記プラスチックの表面に、金属化層を形成するステップと、を有する。また、プラスチック製品を調製する方法、およびその方法によって製造されたプラスチック製品を提供する。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地Ｎｉめっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地Ｎｉめっき層の表面粗さＲａが０．１〜０．８μｍの範囲にあり、下地Ｎｉめっき層の表面に、下地Ｎｉめっき層の表面の角状又は針状の凹凸プロファイルに合わせてフラッシュめっきにより貴金属めっき層１３を形成した。ここで、貴金属めっき層１３は、Ｐｄ、Ａｕ、及びＡｇめっきの少なくとも１である。 （もっと読む）

【課題】高温中で使用されてもその直径によることなく抵抗値の上昇を抑制可能なコンタクトプローブを提供する。
【解決手段】円筒状のバレルと、前記バレルの端部に設けられるプランジャーと、前記バレル内に収納されて前記プランジャーを外方に向かって付勢する弾性体とを含むコンタクトプローブにおいて、前記プランジャーは、基材と、前記基材の表面に形成されたＮｉメッキ膜と、前記Ｎｉメッキ膜上に形成されたＡｕメッキ膜と、前記Ｎｉメッキ膜と前記Ａｕメッキ膜との間に介在し、Ａｕ、Ｐｄ及びＣｏを含有する合金膜であって、真空雰囲気中で加熱されてなる合金中間膜と、を備え、前記バレルは、その内周を形成するＡｕ層と、前記バレルの外周を形成するＮｉ層と、を含み、前記バレルは、所定の直径を有する芯線の外周面に電鋳法により形成される。 （もっと読む）

【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】 ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ＡｕまたはＡｕ合金めっき層で被覆した部材であり、ステンレス鋼とＡｕまたはＡｕ合金めっき層の密着性に優れ、耐食性の高いＡｕまたはＡｕ合金めっきステンレス部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ｐＨ２以下でかつＡｕが３価であるシアンＡｕイオンを含有するＡｕまたはＡｕ合金めっき浴を用いて、ＡｕまたはＡｕ合金めっきをおこなう。 （もっと読む）

【課題】反りが低減し、機械的強度が高くなり、平坦性が向上する金属充填微細構造体、および、その製造方法の提供。
【解決手段】１×１０⁶〜１×１０¹⁰／ｍｍ²の密度で、孔径１０〜５０００ｎｍ、深さ５０〜１０００μｍの貫通孔を有する絶縁性基材からなる貫通構造体の貫通孔内部に、貫通孔の深さの８０％以上の深さまで金属が充填されている金属充填微細構造体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）