【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気接点部品であるスイッチの操作性を改善し、高温熱処理後における貴金属被覆層の密着性および接触抵抗値が向上する電気接点部品用金属材料を提供する。
【解決手段】導電性基材と貴金属層との間に、少なくとも２層の中間金属層が設けられ、導電性基材は１．５〜４．２質量％のＮｉと０．３〜１．４質量％のＳｉを含み、導電性基材の圧延方向に対して、０°、４５°、９０°の３つの引張強さの関係について、最大値が６００ＭＰａ以上かつ最大値と最小値との比が８５％以上１００％以下であり、中間金属層は、前記導電性基材に近い順に、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金で形成される第１中間金属層と、銅または銅合金で形成される第２中間金属層を含み、３００℃１５分間の大気中における加熱後に導電性基材と貴金属層との密着状態が維持され、４００℃１５分間の大気中における加熱後の接触抵抗値が１０ｍΩ以下である。 （もっと読む）

本発明は、たとえばマイクロリアクタシステム又はマイクロ触媒システム内に設置するのに適しているナノワイヤ構造体に関する。ナノワイヤ構造体の製造のために、ナノ細孔内でナノワイヤを電気化学的に堆積するテンプレートベースの方法を用いる。異なる角度で照射を行い、それによってナノワイヤ網を形成する。テンプレートフィルムの溶解及び溶解したテンプレート材料の除去によって、ナノワイヤ網内で構造化空隙を露出させる。ナノワイヤの網目状結合はナノワイヤ構造体に安定性をもたらす。ナノワイヤ間においては、電気的接続が確立される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタノールを燃料とする燃料電池において用いる透過性の構成材において、メタノールの酸化反応により生じる蟻酸による孔径の変化及び劣化を防止し、クロスオーバーを防ぎ、燃料電池の高エネルギー密度化、高出力化と長寿命化を図る構成材としての孔開き金属箔を提供することを目的とする。
【解決手段】メタノールを使用する燃料電池の構成材であり、厚さ方向に複数の微細貫通孔を備える孔開き金属箔であって、平均厚さが３μｍ〜５０μｍであり、少なくとも表面が耐蟻酸性材料からなる孔開き金属箔を採用することにより、耐食性に優れ、長期的に性能を安定させることができる透過膜とする。 （もっと読む）

【課題】めっき物を優れた生産性と十分な耐食性とをもって低コストに製造可能なめっき物の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２２の内部に、隔膜２４にて陽極室２６とめっき室２８とを画成して、陽極室２６内に、クエン酸三ナトリウム溶液からなる陽極液３６と不溶性陽極３０とを収容する一方、めっき室２８内に、クエン酸三ナトリウムが添加されたスルファミン酸ニッケル溶液からなるめっき浴３８と被めっき物たる金属素材からなる陰極３２とを収容する。そして、それら不溶性陽極３０と陰極３２との間に電流を流して、電気めっきを行うことにより、該陰極３２の表面に、ニッケルめっき層を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｍ_ｘＮ_ｙＬ_{（１００−ｘ−ｙ）}（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏの少なくともいずれかの金属であり、Ｎは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくともいずれかの金属であり、Ｌは、ＮｂとＶ、Ｔａの少なくともいずれかの金属であり、２０＜ｘ＜５０原子％、１０＜ｙ＜６０原子％である。）合金基板上にＰｄ又はＰｄ合金からなる触媒層を備える水素透過膜について、性状に優れた触媒層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ_ｘＮ_ｙＬ_{（１００−ｘ−ｙ）}合金からなる水素透過性基板、前記水素透過性基板の少なくとも一面上に形成されＰｄ又はＰｄ合金からなる触媒層とからなる水素透過膜の製造方法であって、前記水素透過性基板をフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液でエッチング後、めっきによりＰｄ又はＰｄ合金からなる触媒層を形成することを特徴とする水素透過膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
電気化学的用途における電気回路に低価格な塗装を提供でき、それらの電気導電性および／又は耐腐食性を強化することができる技術が望まれている。
【解決手段】
溶射技術を用いて高い導電性材料および耐腐食性材料、もしくは高導電性材料および耐腐食性材料に先行する初期物質を耐腐食性金属基板の表面上に被覆し、耐腐食性金属基板の全表面より少ない当該耐腐食性金属基板表面の一部を覆う複数スプラットを当該耐腐食性金属基板表面上に生成する方法。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】微細孔内の金属充填状態のばらつきの影響を回避し、メッキ処理により均一な頭部径の金属体を有する微細構造体の製造を図る。
【解決手段】複数の微細孔４を有する誘電体基材２と、各微細孔４内に充填された部分と各微細孔４から突出した頭部９ａとを有する、局在プラズモンを発生しうる大きさの金属体９とを備えた微細構造体１の製造方法であって、表面２ａに複数の有底４ｂの微細孔４を有する誘電体基材２を用意する工程（Ａ）と、微細孔４内に金属５を充填する工程（Ｂ）と、誘電体基材２の表面２ａに、電極となりうる金属７を堆積させる工程（Ｃ）と、誘電体基材２の裏面２ｂ側から、有底４ｂの微細孔４内に充填された金属５が露出するまで、誘電体基材２を除去する工程（Ｄ）と、露出した部分５ａに、メッキ処理により微細孔４の孔径４ｃより大きな径９ｂを有する頭部９ａを形成する工程（Ｅ）とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】アノードから遊離された金属イオンが、隣接したアノードと対向する基板に到達されることを防止することにより、均一なメッキの厚さを得ることができるので、メッキの信頼性が向上し、かつ、高品質のメッキ製品を生産することができるメッキ装置を提供する。
【解決手段】本発明によるメッキ装置は、複数の基板を一括でメッキする装置であって、複数の基板が投入されるメッキ槽１２と、複数の基板２８と各々対向して結合されるアノード１８と、隣接したアノード１８から遊離された金属イオンの到達を防止するために複数の基板２８を隔離させる分割板２０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一なメッキ厚さを得ることにより、メッキの信頼性が向上し、高品質のメッキ製品を生産することができるメッキ装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括でメッキする装置において、複数の基板２８が投入されるメッキ槽１２と、複数の基板２８のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノード１８と、複数の基板２８がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽１８を区画する分離隔壁２０と、を含み、複数の基板２８が各々独立的に独立したメッキ領域にてメッキされるようにして、アノード１８から遊離された金属イオンが、そのアノード１８に隣接したアノード１８と対向している基板２８に到達することを防止することを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れた回路を有する回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１の表面に被覆された金属薄膜２に回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、金属薄膜２を回路３の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層４を形成し、めっき下地層４の表面に、めっき下地層４の側からＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７の順に金属めっきを施すことによって回路３を形成した回路基板に関する。Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層８がＡｕめっき層に接して、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層９が第一中間めっき層８に接してそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超微細構造を有する半導体デバイスの内部回路の電気的特性を検査するのに有効であり、高強度および高バネ性を有するコンタクトプローブの形成を可能とする積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも２層のロジウム層と、少なくとも１層の金属層とを含み、前記金属層は、金、銀および銅からなる群より選択される少なくとも１種の元素により構成され、前記ロジウム層と前記金属層とが各１層づつ交互に積層されてなるロジウム積層体。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を付与するための被膜の作業性が良く、かつ耐摩耗性のバラツキが少ない耐摩耗補強方法及び摺動構造体を提供する。
【解決手段】摺動関係にある部品１，２からなり、一方の部品２の摺動面にはシール部材２ｂが設けられている航空機用アクチュエータＡの耐摩耗補強方法において、シール部材２ｂと一定の反応性を有するＲｈ（ロジウム）からなるＲｈめっき膜１ｆを他方の部品１の摺動面に設ける。 （もっと読む）

【課題】強酸性物質や強酸化性物質に晒されても、錆びることなく、導電性に優れた、めっき装置や電気化学的装置を構成するための材料を提供すること。また、ヨウ素等に代表される腐食性物質、酸化性物質の存在雰囲気下での使用においても長時間耐えうる、信頼性に優れた耐食導電被覆材料を提供すること。
【解決手段】特定の金属基体と白金めっき層との間に、熱処理によって形成された４族金属の酸化物及び／または５族金属の酸化物層、白金族金属層及び／またはその酸化物層、およびそれらの混合層が形成されることを特徴とする耐食導電被覆材料。 （もっと読む）

【課題】貴金属のナノ粒子からなる多次元構造体、その微構造化技術及び電気化学素子等の部材を提供する。
【解決手段】１次粒子より構成されるナノメートルサイズの多次元的な構造を有する微構造化貴金属体であって、直径１から１５ｎｍの大きさの粒子形状を有すること、上記の多次元的な構造が、５から２００ｎｍメートルの大きさの線径を有する細線形状、もしくは５から２００ｎｍの表面粗さを有する凹凸構造又は突起状構造、もしくは５から２００ｎｍの大きさの径を有する球状の構造を有すること、これらの構造が、テンプレートを必要としない自立状態で形成されていること、で特徴付けられる微構造化貴金属ナノ構造体と、その製造方法、及び電気化学素子、電極材料、触媒材料並びに窒素酸化物浄化反応器等の部材。
【効果】自立した状態のナノメートルサイズの多次元的な構造体へ変化させた微構造化貴金属ナノ構造体とその部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】マスキング層の粘着剤が劣化して剥離したり、マスキング層の剥離に支障を来たしたり、粘着剤が残存するおそれを排除できる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハのメッキ方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを平滑処理してその平滑なマスキング面に半導体ウェーハ用治具１０のマスキング層１２を密着し、マスキング層１２が密着された半導体ウェーハ１に前処理を加えた後にメッキ処理を施し、その後、メッキした半導体ウェーハをマスキング層１２が密着したままの状態で搬送、貯蔵、あるいはピックアップする。マスキング層１２をオレフィン系のエラストマーとし、エラストマーの半導体ウェーハのマスキング面に対する貼り付け面１３を鏡面処理する。エラストマー製のマスキング層１２を使用するので、体積変化が生じない限り、半導体ウェーハのマスキング面をマスキング層１２の密着により保護できる。 （もっと読む）

【課題】金めっき皮膜からなるバンプと同等の硬度、表面粗さを有し、安価な材料で形成されるバンプとその形成方法を提供する。
【解決手段】下地めっき層１０と表面めっき層１２とからなる高さ15〜22μｍのバンプであって、下地めっき層が、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる１層または２層以上のめっき皮膜からなり、表面めっき層がバンプ高さの30％以上の膜厚の金めっき皮膜からなるバンプ。このバンプは、パターンニングされた半導体ウエハー１上に、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる１層又は２層以上の下地めっき層１０を電解または無電解めっきにより形成した後、電解金めっきにより表面めっき層１２を形成することにより形成する。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）