【課題】吸引力ヒステリシスの発生を少ないアクチュエータの提供。
【解決手段】固定子側の摺動面に施したコーティング層内にグラファイト粒子を含ませることでアクチュエータに好適な摺動特性を実現できることを見いだした。すなわち、可動子とその可動子を往復動自在に支持する固定子とを有するアクチュエータにおいて、前記可動子の摺動面には無機化合物から形成されたコーティング層を有し、前記固定子の摺動面にはグラファイト粒子を含有するコーティング層を有することを特徴とする。特に、前記可動子の摺動面に形成された前記コーティング層は金属クロム、ＤＬＣ及びグラファイト粒子からなる群から選択された１以上の無機化合物を含有させることで、可動子側の摺動面の硬度を高くすることが可能になり、摺動面の接触面積を長期間小さく保つことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素粒子と、芳香族アルデヒドまたは芳香族ケトンなどの芳香族カルボニル化合物とを添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成し、同種の錫めっき材同士の摩擦係数が０．１８以下、好ましくは０．１３以下、光沢度が０．２９以上、皮膜の厚さが０．５〜１０μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．５重量％、接触抵抗が１．０ｍΩ以下である錫めっき材を製造する。この錫めっき材では、皮膜の表面に互いに離間した複数の突起部が形成され、これらの突起部が炭素粒子を含有し、錫マトリックスが１０１面に配向している。 （もっと読む）

【課題】 被表面処理物の表面を電気化学的な方法により均一に処理することができる電気化学的表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 メッキ槽１０１中に、被表面処理部材である陰極１０５と、陰極１０５との間に所定の電圧が印加される対極の陽極１０６と、が配置され、陰極１０５と陽極１０６との間に設けられた円筒状の遮蔽部材１０２は、２個の電極間の電気力線を遮る電気力線遮蔽手段として作用し、攪拌子１０４の回転により、メッキ液１０３の金属イオンが陰極１０５に均一に供給される。 （もっと読む）

【課題】従来のはんだめっき装置は、リードフレームをチャッキングし、はんだめっき処理を行う際、めっき液に浸漬する部分は、絶縁処理が施されていないため、電流がリークし、この部分にもめっきが付いてしまい、効率が落ちてしまう。また、リードフレームの部分によるめっき膜厚の違いができ、特に下側両端部の膜厚が多くなる傾向となり、安定せずバラツキが発生してしまうという問題があった。
【解決手段】本発明のはんだめっき装置は、めっき液が浸漬する部分にテフロン（登録商標）加工を施し、完全に絶縁する。また、はんだめっき装置のベース左右両端部に補助陰極を備えて、めっき膜厚の均一化を図る。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。めっき装置（１７０）は、めっき液（１８８）を保持するめっき槽（１８６）と、被めっき材を保持して該被めっき材の被めっき面をめっき槽（１８６）内のめっき液（１８８）に接触させるホルダ（１６０）と、めっき槽の内部に配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽（１８６）内にめっき液（１８８）を供給する複数のめっき液噴射ノズル（２２２）を有するリング状のノズル配管（２２０）を備えている。
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【課題】 ６価クロムを使用せず、しかも、６価クロムを使用した場合と匹敵する強度と耐摩耗性を有する金属体を提供する。
【解決手段】 真鍮からなるレンズマウント１の表面部２に、表面側から、ニッケル系鍍金層、純ニッケル層、３価クロム層がこの順に形成されている。３価クロム層は６価クロム層に匹敵する硬度と耐摩耗性を有するが、鍍金層が厚くできず、かつ真鍮との密着性が悪いので、その分をニッケル系鍍金層を鍍金することで補っている。純ニッケル層は、光沢を出すために使用されている。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、金属膜を内部にボイドを発生させることなく確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 第１めっき液を該第１めっき液にアノードを浸漬させて保持する第１めっき槽１７０ａと、第１めっき液より金属濃度の低い第２めっき液を該第２めっき液にアノードを浸漬させて保持する第２めっき槽１７０ｂと、第１めっき槽１７０ａと第２めっき槽１７０ｂとの間を移動自在で、被めっき材を該被めっき材に通電可能に保持するホルダ１６０を有し、ホルダ１６０で保持した被めっき材を第１めっき槽１７０ａ内の第１めっき液に接触させて行う第１めっき処理と、第２めっき槽１７０ｂ内の第２めっき液に接触させて行う第２めっき処理を順次繰返す。 （もっと読む）

【課題】 高位置精度部分めっきを確実かつ安定して行えるようにする。
【解決手段】 搬送ガイド面を有しかつ基軸線を中心に回転可能な回転体と、周方向に離隔配設された複数の電極ノズルを有しかつ給電めっき液を各電極ノズルからその径方向に噴射可能な電極構造体とを設け、電極ノズルの配設角度範囲が回転体の搬送ガイド面に被処理物が係合している角度範囲よりも小さく選択され、回転体および電極構造体の基軸線方向の相対位置を各電極ノズルから噴射されためっき液が連続搬送中の各めっき必要部分に吹き付けることができる状態として保持可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ポリマー及び有機高分子、電着され得て特定の金属の中にある固体、最終的に沈殿又は重力により堆積され得る固体を表面に確実に位置決めし、その材料を表面に付着させる共通のプロセスを提案すること
【解決手段】本発明は、表面上に材料を堆積又は付着することに関する。本発明は、第１材料及び第２材料による表面の被覆プロセスに関し、次の諸工程を含む：
− 前記表面上に前記第１材料をする工程、
− 前記表面上に配置された前記第１材料の中に前記第２材料の前駆体分子を挿入する工程、
− 被覆された前記表面上で、且つ前記表面上に配置された前記第１材料内部に前記第２材料が形成されるように、前記第１材料の中に挿入された前記第２材料の前駆体分子を前記第２材料へ転化する工程。
本発明のプロセスの目的は、あらゆるタイプの表面上にあらゆるタイプの材料を堆積することである。
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【課題】被めっき物上の導電部以外の部位へのめっき成長を極力抑制することができ、かつ良好なはんだ濡れ性を確保することができるニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。
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【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 スズまたはスズ合金めっきを行った後、室温で５０００ｈｒ放置した場合であっても、確実にウィスカーの発生を防ぐことのできる簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、（Ｂ）過酸化物および（Ｃ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有するスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤並びに被めっき素材を、上記のスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤に浸漬した後、スズまたはスズ合金めっきを行うことを特徴とするスズまたはスズ合金めっきのウィスカー防止方法。 （もっと読む）

【課題】 耐磨耗性、耐食性に優れ、摩擦係数の小さいＷ−Ｐ系合金を安定して効率的に得るための電気めっき浴、それを用いる電気めっき方法ならびに得られるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜を提供する。
【解決手段】 タングステン（Ｗ）；ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）もしくは鉄（Ｆｅ）；ならびにリン（Ｐ）の供給源を含有し、ＷとＮｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＭｏもしくはＦｅとの質量比が１：０．０２〜０．３であることを特徴とするＷ−Ｐ系合金電気めっき浴。この電気めっき浴を用いて、好適には浴温４０〜９０℃、ｐＨ３．０〜９．０および電流密度０．３〜２０A/ dm^２で電気めっきを行なうことにより、Ｗ含有量３５．０〜５５．０wt％、Ｎｉ含有量５２．５〜６４．３wt％およびＰ含有量０．７〜２．５wt％であり、ビッカ−ス硬さがＨv８００〜２５００であるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電気メッキ工程でニッケル／非磁性層構造の多層金属テープを製造、既存の工程に比べて磁気ヒステリシス損失が極めて抑制され、二軸配向性に優れた低磁気ヒステリシス損失の二軸配向性多層金属テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、単結晶又はそれに近い配向性を有する負極と、高純度ニッケル板より構成された正極とよりなる電気メッキ浴槽で負極を回転させて、表面に二軸集合組織を有するニッケル金属層を形成させる段階と、前記負極の表面に形成されたニッケル金属層を水洗槽で洗浄する段階と、前記洗浄されたニッケル金属層を非磁性金属メッキ浴よりなるメッキ槽で負極を回転させて、その表面に非磁性金属層を形成させ、ニッケル／非磁性金属層を製造する段階と、前記ニッケル／非磁性金属層よりなる金属テープを剥離して巻き取る段階とで構成される。 （もっと読む）

【課題】 溶融・冷却後の凝固組織にボイドが発生しないＡｕ−Ｓｎ合金のめっき皮膜を提供する。
【解決手段】 被めっき材の表面に電気めっき法で形成されたＡｕ−Ｓｎ合金のめっき組織から成るＡｕ−Ｓｎ合金めっき皮膜において、そのめっき組織を溶融したのち冷却して得られた凝固組織にはボイド発生が認められず、そのＡｕ−Ｓｎ合金は、Ａｕ：７５〜８６質量％、残部がＳｎであることを基本組成とし、更に、Ｃ、ＳおよびＮの群から選ばれる少なくとも１種が不純物として含有されていてもよく、その場合、Ｃは多くても０．０６質量％、Ｓは多くても０．０００６質量％、Ｎは多くても０．０６質量％にそれぞれの含有量が規制されているＡｕ−Ｓｎ合金のめっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】 電子部品のＳｎめっき皮膜に関し、電子部品に於けるＰｂフリーはんだめっきの１つであるＳｎめっきの皮膜に於いて、Ｓｎウィスカが発生し難いＳｎめっき皮膜を実現させようとする。
【解決手段】 電子部品にめっきされたＳｎめっき皮膜に於いて、該Ｓｎめっき皮膜に含まれる炭素量が０．０５容量％以下であること、または、該Ｓｎめっき皮膜に於けるめっき結晶粒の大きさが平均径で２．５μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 実際のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜を備えたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ化合物（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体２と、磁石素体２表面を被覆する、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％であるめっき膜３とを備えるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１により、上記課題を解決する。本発明において、めっき膜３のＣ含有量は０．００７≦Ｃｃ≦０．１８ｗｔ％であることが望ましい。また、めっき膜３としては、電解Ｎｉめっき膜を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 実際のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜を備えたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の提供を目的とする。
【解決手段】 Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ化合物（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体２と、磁石素体２表面を被覆する、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％であるめっき膜３と、を備え、めっき膜３は、磁石素体２表面側に配置される第１めっき層３ａと、第１めっき層３ａ上に配置される第２めっき層３ｂを含み、第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂのＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金上に亜鉛／銅／ニッケル／アルミニウム４層構造めっき膜を形成した場合、被めっき物の形状が複雑化した際に、ニッケルめっき膜の内部応力により、アルミニウムめっき後に被膜全体の密着性が低下する。
【解決手段】 マグネシウム合金上にマグネシウム合金側から順にニッケル／銅／アルミニウムの３層構造を有する被膜をめっき法により形成し、更に表面のアルミニウム層の一部を陽極酸化する。ニッケルめっき膜とアルミニウムめっき膜との間に応力緩和層として銅めっき膜を形成することで、ニッケルめっき膜及びアルミニウムめっき膜に発生する内部応力が緩和されるので、被膜全体の密着性は向上する。 （もっと読む）