【課題】粒状物自体の分散性が改善されたカーボンナノチューブから成る粒状物を提案する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にめっき金属層が形成された多数本のカーボンナノチューブによって形成された塊状粒状物であって、該塊状粒状物を形成するカーボンナノチューブの各々は、その端部が前記塊状粒状物の外方に露出状態で突出することなく、前記めっき金属層によって相互に固着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑止しつつ均一なめっき膜を形成するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明による電気めっき装置は、ホルダ２０、めっき槽１０、電源７０、スイッチ回路２３とを具備する。ホルダ２０は、被めっき体４０を有する半導体ウエハ３０を保持する。めっき槽１０アノード電極５０を含むめっき液１００を保持する。電源７０は、被めっき体４０とアノード電極との間に定電圧を供給する。スイッチ回路２３は、電源７０に対して、被めっき体４０と並列に接続される。ホルダ２０は、スイッチ回路２３を介して電源７０に接続されるダミーカソード電極２２とを備える。ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。スイッチ回路２３は、ダミーカソード電極２２がめっき液１００に接した後に、電源７０とダミーカソード電極２２との接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜、金属パターンを、低エネルギーで、且つ、簡易に形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、ラジカル重合性基、及び、ラジカル発生部位を有するポリマーを接触させた後、該ポリマーに対して露光を行い、該基板上にポリマー層を形成する工程と、（２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、並びに、（４）該作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるナノスケールの微細構造物を用いた配線部分に金属をボイドなく埋め込み、電気的な不良を抑制して半導体装置の歩留りを向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。次いで、取得した電流値に基づいてめっき処理の累積電荷量を算出する。また、全めっき液の容積を算出する。そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。分解物量が予め設定された閾値以下である場合にのみ半導体基板のめっき処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバ等の半導体製品では高さ約１５〜２０μｍの電極形成のための金ＢＵＭＰメッキ工程がある。ＬＣＤドライバの金ＢＵＭＰ表面形状は実装時のコンタクト性向上のため平坦性が要求されている。一方、実装時の位置決めを画像認識で行なっている関係上、ＢＵＭＰ表面外観は光の反射が少ない無光沢性が要求されている。ＢＵＭＰ表面を無光沢にするには、光をあらゆる方向へ拡散させるために、ミクロ的に、ある程度の表面の粗さを保つことが重要であるが、マクロ的にはＢＵＭＰの断面形状は平坦にしなければならないという一見、矛盾する問題がある。
【解決手段】本願発明は２段メッキの２段目（初期低電流密度メッキ後の高電流密度メッキ・ステップ）の終了部を低電流密度にするものである。 （もっと読む）

【課題】活性化された酸素を含む照射処理をした後でも、レジストパターンが開口しているシード層、あるいは、金属構造体の表面に対し、メッキの堆積が均一で、且つ、制御性よく行えるようにする。
【解決手段】Ｏ₂プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。この有機物の残渣の処理において、シード層１０３の上にシード層１０３を構成している金の酸化物などからなる表面層１０３ａが形成される。この表面層１０３ａを、塩酸溶液などの酸の溶液（ｐＨ３以下）による浸漬処理（表面処理）を１分間行うことで除去する。 （もっと読む）

【課題】限界電流を増加させ金属イオンの析出速度を向上させることができ、特に被めっき基板の表面に形成された深い穴や溝に対して、入り口の閉塞により内部に空隙が生じさせないで、内部を金属めっき膜で埋めるのに好適なめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液２０に、被めっき基板１７とアノード１８を接触させ且つ対向させて配置し、めっき電源２１から電圧を印加し、該被めっき基板１７の表面に形成された該溝及び／又は穴を埋め込むめっき方法において、溝及び／又は穴の深さを代表長とした場合の、穴の内部におけるめっき液のレイリー数が、溝及び／又は穴の深さをＬ、幅Ｄとしたときに、そのアスペクト比をＡ（Ｌ／Ｄ）として９６．８×Ａ⁴以上、８．６４×１０⁵未満の値をとるように該めっき液に該被めっき基板の基板表面から基板裏面方向にかかる加速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽１０内のめっき液Ｑに浸漬させて配置されるアノードと、被めっき体Ｗを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダと、格子部３２ｂを有する板状部材からなり、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドル３２を駆動するパドル駆動部４２を制御する制御部４６を有する。 （もっと読む）

【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。
【解決手段】めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 （もっと読む）

【課題】開口部における異物の付着が抑制された、光透過性に優れる導電性シートの製造方法を提供する。
【解決手段】パターン形成された導電層を有する透明基板を電気めっき液に浸漬し、前記導電層に通電することにより電気めっき処理すると共に、前記導電層の通電されてない部分を、前記電気めっき液に含まれる酸で溶解させることを特徴とする導電性シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスキング層の粘着剤が劣化して剥離したり、マスキング層の剥離に支障を来たしたり、粘着剤が残存するおそれを排除できる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハのメッキ方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを平滑処理してその平滑なマスキング面に半導体ウェーハ用治具１０のマスキング層１２を密着し、マスキング層１２が密着された半導体ウェーハ１に前処理を加えた後にメッキ処理を施し、その後、メッキした半導体ウェーハをマスキング層１２が密着したままの状態で搬送、貯蔵、あるいはピックアップする。マスキング層１２をオレフィン系のエラストマーとし、エラストマーの半導体ウェーハのマスキング面に対する貼り付け面１３を鏡面処理する。エラストマー製のマスキング層１２を使用するので、体積変化が生じない限り、半導体ウェーハのマスキング面をマスキング層１２の密着により保護できる。 （もっと読む）

【課題】装身具、あるいは半導体の表面に、白金族金属、金、銀から選ばれる金属との合金の薄膜をメッキするための方法を提供する。
【解決手段】二酸化ゲルマニウムをアルカリ性溶液に溶解した後、遊離酸を添加して酸性ゲルマニウム溶液を作製し、更に、白金族金属、金、銀から選択される共析金属を溶解し、電解液とする。装身具においてはゲルマニウムの含有率を５〜４５重量％、半導体素子においてはゲルマニウムの含有率を８０〜９０％となるように用途に応じて電解液中のゲルマニウムの濃度を調整して電解メッキを施す。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面処理方法、さらにまた、該方法並びに該方法から得られるフィルム、コーティングおよび装置の、限定するものではないが、電子機器の製造、プリント回路板の製造、金属電気めっき、化学侵食に対する表面の保護、局在化導電性コーティングの製造、例えば化学および分子生物学分野における化学センサーの製造、生体医療装置の製造等のような種々の用途における使用に関する。もう１つの局面においては、本発明は、少なくとも１層の金属層、該少なくとも１層の金属層に付着した有機分子の層、および該有機分子の層上のエポキシ層を含むプリント回路板に関する。
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【課題】メッキリードの除去を容易に行えるようにする。
【解決手段】フレキシブル基板（１）の回路上の電解メッキを行う個所、すなわちランド（２）で回路上導通のない個所を、フレキシブル基板（１）上に重ね合わせたマスク（１０）に形成されたメッキリード（１２）により導通させ、次いで、回路上で電解メッキを行い、その後、前記マスク（１０）を取り外してメッキリード（１２）もフレキシブル基板（１）上から除去するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 炭素繊維の分散性を向上させ、機械強度を向上させた炭素繊維強化アルミニウム複合材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 まず混合工程において、アルミニウムまたはアルミニウム合金粒子と、ニッケルまたはニッケル合金がめっきされためっき炭素繊維とを分散混合させる。アルミニウムまたはアルミニウム合金粒子は、平均粒子径が０．１〜１０ｍｍであり、めっき炭素繊維は、アスペクト比０．１〜１００,０００、繊維径０．１〜３０μｍである。このようにして得た混合物を、焼結工程で焼結させることによって炭素繊維強化アルミニウム複合材料を得る。 （もっと読む）

【課題】貴金属を効率的に電気メッキすることが可能な方法を提供する。
【解決手段】水溶液系メッキ液を用いて電気メッキにて貴金属を導電性材料に担持させる貴金属の電気メッキ方法において、前記水溶液系メッキ液にアルコールを添加することを特徴とする貴金属の電気メッキ方法である。前記アルコールとしては、メタノール、エタノール及びそれらの混合液が好ましく、前記導電性材料としては、炭素材が好ましく、導電性ポリマーを焼成して得られた炭素材が更に好ましく、３次元連続構造を有する導電性材料が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】貴金属を効率的に電気メッキすることが可能な方法を提供する。
【解決手段】水溶液系メッキ液を用いて電気メッキにて貴金属を導電性材料に担持させる貴金属の電気メッキ方法において、前記水溶液系メッキ液にアミノ酸を添加することを特徴とする貴金属の電気メッキ方法である。前記アミノ酸としては、塩基性アミノ酸が好ましく、ヒスチジンが特に好ましく、前記導電性材料としては、炭素材が好ましく、導電性ポリマーを焼成して得られた炭素材が更に好ましく、３次元連続構造を有する導電性材料が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっき処理する際に微細孔の内側に残存する気泡に阻害されることなく、微細孔の内側にめっきを設けることができるめっき形成方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき形成方法は、被処理体１０ａの微細孔の内側にめっきを形成する方法であって、前記被処理体１０ａに対する表面張力が前記めっきを施すために用いられる溶液Ａ１６よりも小さい溶液Ｂ１７に前記被処理体１０ａを浸漬する工程と、前記被処理体１０ａをめっき浴に浸漬させて前記微細孔の内側に溶液Ａ１６を充填する工程と、を順に有することを特徴とする。 （もっと読む）