【課題】この発明は、例えば、コレクタ面にコレクタ電極を形成する場合において、ウエハの反りを抑制することができ、別途余分な部材を設けること無く、また完成品の素子動作を阻害すること無く、当該コレクタ電極を形成することができる、実用性のある半導体装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法では、まず、アノード電極２に対向して、めっき液４にスイッチング半導体素子５のコレクタ面を浸漬させる。次に、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をゲート電極５ｂに印加し、スイッチング半導体素子５を導通状態にする。そして、当該導通状態において、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をアノード電極２に印加することにより、めっき液４とスイッチング半導体素子５に電流を流す。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。めっき装置（１７０）は、めっき液（１８８）を保持するめっき槽（１８６）と、被めっき材を保持して該被めっき材の被めっき面をめっき槽（１８６）内のめっき液（１８８）に接触させるホルダ（１６０）と、めっき槽の内部に配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽（１８６）内にめっき液（１８８）を供給する複数のめっき液噴射ノズル（２２２）を有するリング状のノズル配管（２２０）を備えている。
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【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第１の密度の凹部領域上で平面となる前に第１の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第２の電流密度範囲は、第１の電流密度範囲よりも大きい。１つの例においては、該方法は更に、金属層が第２の密度の凹部領域上で平面となるまで第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第３の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第２の密度は第１の密度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤を有し、多孔質膜に直接接触しても、多孔質膜の内部に浸入することがないようにした湿式処理液を提供する。
【解決手段】 界面活性剤が添加され、多孔性膜表面の湿式処理に使用される湿式処理液であって、界面活性剤として、溶液として前記多孔質膜に対する接触角が９０°より大きく、１８０°以下となるものを使用した。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の噴流式めっき装置において、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部におけるめっき液流動の滞留を解消するめっき処理装置を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽の上部開口縁に、めっき槽内壁面より内側に突出するように設けられた環状載置台及び該環状載置台上部に配置されたシールパッキンを有する載置部と、めっき槽の底部に設けられた液供給管と、載置部の下方位置に設けられた液流出口とを備え、液供給管から上昇流で供給されるめっき液に、液流出口からめっき槽の外部へ流出させる流動を形成させ、めっき対象物の被めっき面全面にめっき液を接触させてめっき処理を行うめっき装置において、載置部には、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部に滞留するめっき液を外部に排出するための液排出孔が設けられているものであるめっき装置とした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板内の半導体チップを無駄にすることなく、被処理基板の面内において均一なメッキ層を形成することができる電解メッキ装置および電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ装置は、被処理基板１０の被メッキ面を浸すメッキ液５を収容する収容槽６と、被処理基板１０に含まれる複数の単位素子を区画するスクライブラインに接触するカソード電極４ａを備える給電手段４と、カソード電極４ａとの間で電圧が印加されるアノード電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗ上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法であって、めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去または低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理を行い、さらに第二のめっき処理を行う。 （もっと読む）

直径の小さなビアと直径の大きなトレンチ２０５を含む誘電層に金属をメッキする新しい方法で、例えば誘電層２０３の少なくとも非パターン領域におけるメッキ槽においてレベラーの量を低減することによって表面粗度が生成され、後続の化学機械研磨（ＣＭＰ）における材料除去の均一性を向上させる。
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【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】導電性をもつ粉体の大きさや比重に関係なく、安全かつ低コストで該導電性粉体の表面に金属を担持させることのできる金属担持導電性粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属前駆体を溶媒に溶解させる金属前駆体溶液の作製工程と、導電性粉体を溶媒に分散させる導電性粉体溶液の作製工程と、前記金属前駆体溶液と前記導電性粉体分散溶液とを混合し金属前駆体を担持した導電性粉体を作製する担持工程と、前記金属前駆体を担持した導電性粉体を第１の電極に固定する電極固定工程と、前記第１の電極を電解液に浸し陰極とし、陽極となる第２の電極を前記電解液に浸し、前記第１と第２の電極に電流を流す電解還元工程と、前記電極から導電性粉体を回収する回収工程を経て金属担持導電性粉体を製造する。 （もっと読む）

【課題】
ウエハーに部分めっきをおこなう際に、陽極と陰極の間に、被めっき物と同極でかつ電流比率をコントロールできる本補助陰極を被めっき物の陽極側全面に格子状あるいは網目状に配置し、めっきエリアの偏在を軽減し、その結果、厚みばらつきの少ないめっきを行なう方法。
めっきエリアの偏在した品物をめっきする場合、めっき厚ばらつきが大きくなる。
ばらつきの大きいことは生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】
被めっき物の前に格子状の本補助陰極を配置し、被めっき物と本補助陰極トータルでのめっきエリアの偏在をおさえる。また、被めっき物と本補助陰極に流れる電流を個別に管理することにより、本補助陰極に流す電流を必要最小限に抑える。また、前面に配置した本補助陰極が被めっき物の特定の部分に影響を与えないよう、相対位置をめっき作業中に変化させる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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【課題】 「セミアディティブ法」を用いて回路パターンの微細化を図ったプリント配線板において、繰返し屈曲されたときの回路パターンの抵抗上昇率が十分に低く抑えられたプリント配線板及びこのようなプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１上に導電材料からなる回路パターン２がメッキによって形成されたプリント配線板において、回路パターン２は、第１のメッキ電流密度により形成された第１の層２ａ及び第２のメッキ電流密度により形成された第２の層２ｂの少なくとも２層が積層されて構成されている。第１のメッキ電流密度は、第２のメッキ電流密度より低く、この第１のメッキ電流密度により形成された第１の層２ａは、第２のメッキ電流密度により形成された第２の層２ｂよりも緻密となっている。 （もっと読む）

第1の材料にマクロスケール領域を有する秩序化されたシングル・ドメイン・ナノポア・アレイが提供される。制御されたパターンを有するナノポア・アレイを製造する方法は、第1のパターンを有する第1の表面を含む基板を設けることと、第1のパターンを有する第1の表面上に、ナノポアを形成できる第1の材料を付着させることと、第1の材料を陽極酸化し、陽極酸化された第1の材料に制御されたパターンを有するナノポア・アレイを形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

高度に制御された電着工程中に基板への電流配分を最良化させるよう、その形状が可変である動的形状アノードが開示されている。工程の改善された制御は基板全体にさらに均一な厚みの堆積物を提供し、サブミクロン特徴部のメッキ加工を改善する。そのようなアノードはサブミクロン構造部のメッキに特に有用である。アノードは金属イオン源を利用でき、カソードの近くに設置されて基板の汚染を最低限に抑える。アノード形状は堆積処理中に変更可能である。アノードは複数の同心領域を有することができ、それぞれは独立した電圧と電流で利用できる。
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【課題】 本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、自己組織化単分子膜を基板の表面に形成する成膜工程と、前記自己組織化単分子膜に選択的に光を照射する露光工程と、前記自己組織化単分子膜の露光部を除去する洗浄工程と、前記基板の上にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板の上に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 雑菌の繁殖を抑制し、また臭いの発生も抑制することができる抗菌部材を提供すること。
【解決手段】 非導電性の母材の表面の少なくとも一部にカーボン材を混在させ、カーボン材の表面に銀３８を析出させた抗菌部材。抗菌部材にはカーボン材が混在されているので、非導電性の母材を導電性にして電解処理を行うことが可能となり、電解処理によって電解液中の銀３８を析出させて、この銀３８の殺菌作用によって抗菌作用を持たせることができる。また、カーボン材は、臭いの吸着作用を有し、不快な臭いの発生を抑制することができる。更に、抗菌部材には、カーボン材に加えて粉末状シリカゲルを混在させることができる。 （もっと読む）