本発明は、半導体基板（Ｓ）の表面において電気化学反応を実施するためのデバイスであって、電解質（Ｅ）を含有するように意図された容器（１０）、容器内に配設された支持体（２０）であって、支持体（２０）上に半導体基板を取り付けるように適合された支持体（２０）、容器（１０）内に配設された対向電極（３０）、光線を放出するための発光源（５１）および半導体基板（Ｓ）の前記表面の全面に光線を均一化して、半導体基板（Ｓ）の表面を活性化するための手段（５２）を備えた照明手段（５０）、ならびに半導体基板および対向電極に連結して、電気化学反応を可能にする電位で前記半導体基板（Ｓ）の前記表面を分極するための連結手段を備えた給電源（４０）を備えることを特徴とする、デバイスに関する。本発明はまた、対応する半導体基板の表面において、電気化学反応を実施するための方法にも関する。
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【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】アノードの全体に均一に通電することができ、アノードを均一に溶解させることができ、アノードを安定して保持することができるアノードホルダ用通電部材およびアノードホルダを提供する。
【解決手段】めっき槽内に基板とアノードを対向させて縦型に配置するめっき装置に用いられ、アノード５に給電するためのアノードホルダ用通電部材１において、アノード５の裏面の略全面に接触可能な円板状の導電性材料からなる接触部材２と、接触部材２とめっき装置の給電部とを接続する導電性材料からなる接続部材３とを備え、接続部材３は、接触部材２がアノード５と接触する面の裏面の中心部から延びている。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド（ＰＡＩ）コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）コーティング７１２が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および／または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜厚によらず、めっき膜の膜厚分布の均一性を向上する。
【解決手段】半導体装置製造装置は、基板保持部８と、給電部３と、アノード６と、複数の誘電体１３とを具備する。基板保持部８は、カソード５有する基板２０を保持可能である。給電部３は、カソード５の周辺部に電力を供給する。アノード６は、カソード５と対向する位置に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５とアノード６との間に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５表面に平行な平面に複数の誘電体１３を射影したとき、射影のパターンが平面内で略均一であり、射影の面積が可変であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき時の基体の反りを抑制し基体の汚れを有効に除去するめっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置は、めっき層を形成すべき基体を保持する保持板１２と、前記基体１０にめっき液２２を供給するめっき液供給部５０と、前記基体１０のめっきを行う第１の面３６に対向する第２の面３８を、前記めっき液２２よりも高い温度に加熱する加熱手段１８とを具備し、前記基体の表面にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のビアへ、次工程で電解めっきを行なうために必要な通電のための導電層を欠陥なく形成することができる技術を提供する。
【解決手段】最初にスパッタにてウェハ４００の表面、及び孔４１０の、スパッタが付着するエリア４１１ａにスパッタ膜を形成し、その後、パラジウムを吸着させた後、無電解銅めっきにより、スパッタ膜４１１ａ上、及びスパッタ膜が付着していないエリア４１１ｂに無電解銅皮膜４１２を形成することにより、基板表面及びビア内壁全体に通電を行なうための導電層を形成する。その後、電解めっきにより金属４１４を充填する。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

先の出願に記載された２以上の電極を備える電気化学析出装置にて用いられる方法が開示される。この方法によれば、０．０２〜０．８Ｓ／ｃｍの範囲の伝導度の硫酸銅ベースの電解液にて、５０〜９００Åの厚さの抵抗銅シード層を有する半導体ウエハに、ＷＦＮＵが２．５％より小さい値で均一な銅フィルムが形成される。
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本発明は、金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンド前面に金属ナノ粒子を沈着させる前にホウ素ドープダイヤモンド前面を酸処理することで強酸化剤を生成する工程を含む、方法に関する。酸洗浄により得られた金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素終端化された前面を有する。金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素センサーとして電極中に用いられ得、この電極は、ホウ素ドープダイヤモンド柱を製造し；この柱の前面のみが露出するように柱を絶縁し；柱の前面を研磨し；柱の前面を酸処理し；柱の前面に金属ナノ粒子を沈着させることで作製され得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

電極材料、電極および触媒としてのプラチナ金属に基づく塩化水素電気分解法を記載する。電極材料は、プラチナおよび銀粒子のナノスケール混合物を含有する。
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【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【目的】密着性を向上させることができるカーボン素材のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】カーボン素材のめっき方法は、（１）カーボン素材をカチオン系界面活性剤溶液に浸漬することにより、当該カーボン繊維の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（２）カチオン処理工程を経たカーボン素材ＡをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬することにより、ＰｄとＳｎをカーボン素材Ａの表面に吸着させるＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（３）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経たカーボン素材Ｂを酸溶液に浸漬することにより、Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程で吸着させたＰｄ及びＳｎのうちＳｎを溶かし、カーボン素材ＢにＰｄのみを吸着させるアクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき液に含まれる構成成分の濃度を演算し、めっき液の調整を適正に行い、めっき処理の品質を維持する。
【解決手段】めっき液に一または複数の添加剤を加えて半導体ウエハにめっき処理を行う工程（ステップＳ１）と、めっき処理の処理状態を示す一または複数のパラメータを測定する工程（ステップＳ３）と、パラメータからめっき液に含まれる構成成分の濃度を演算する工程（ステップＳ４）と、演算された構成成分の濃度が予め定めた閾値以内に収まるように、めっき液の調整処理を行う工程（ステップＳ６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基材上に一定の厚さの均質な電析層を形成する。
【解決手段】電析装置１は、参照電極３２と樹脂フィルム９の導電層との間に電圧を付与して主面９１上に電析層を形成しつつ導電層に流れる電流を検出する電源部３と、主面９１における電析対象部を分割した複数の分割領域に向けて電析液を吐出する複数の吐出部４とを備える。電析層の形成の際に、検出電流の値が異常となる場合に、吐出流量を正常流量から変更する吐出部を複数の吐出部４において順に切り替えつつ検出電流の変化を監視することにより、対応する分割領域における電析層の成長が正常処理時と相違する吐出部４が特定吐出部として特定される。特定吐出部４からの電析液の吐出流量を正常流量から変更することにより、特定吐出部４に対応する分割領域における電析層の成長を正常処理時におけるものに近似させることができ、樹脂フィルム９上に一定の厚さの均質な電析層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】擦りによる剥がれが起きにくい表面印刷および電気メッキの方法を提供する。
【解決手段】事前メッキを行ってメッキする金属または非金属製品の表面に先ず事前メッキ層を形成し、それによって金属または非金属表面を酸化されにくいようにし、次にインク印刷を行い、その後に非印刷部に電気メッキを印刷された層より高くなるように行い、結果として、油インク印刷はメッキ層において保護され、それによって擦りによる剥がれが起きにくくする。 （もっと読む）