【課題】例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等の凹部にあっても、銅等の金属材料を、内部にボイドを発生させることなく、凹部内に高速かつ確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】凹部２０２を有し該凹部２０２の内部を含む表面に通電層２０６を形成した基板Ｗを用意し、凹部２０２の内部を除く通電層２０６の表面に電着法で高分子絶縁膜２０８を形成し、高分子絶縁膜２０８を形成した基板Ｗの表面に電解めっきを行って凹部２０２内に金属材料２１０を埋込む。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】効率的に、良好な電極触媒担持体、膜電極接合体を製造することを可能にして、高性能な燃料電池を提供する。
【解決手段】チャンバ４０には、ＣＯ２供給部２３、界面活性剤供給部２２及びめっき液供給部２１が接続されている。このチャンバ４０には、攪拌ユニット３４、電解めっきを行なうための一対の電極（アノード３０とカソード３２）が設けられている。そして、ＣＯ２、界面活性剤及びめっき液の混合流体をチャンバ４０内に導入する。この混合流体に中には導電性粉体を混ぜておく。チャンバ４０内の圧力と温度とを制御して、ＣＯ２を超臨界状態にして混合流体を攪拌し、分散体を形成する。そして、アノード３０とカソード３２とに通電することにより、導電性粉体の表面に電極触媒金属を形成させる。 （もっと読む）

【課題】めっき発生核やめっき粒の微細化を図ることで緻密なめっき膜を形成でき、微細化が進む基板上の配線形成に対応することが可能な電解めっき方法及び電解めっき装置を提供する。
【解決手段】表面に微細凹部が形成された被めっき基板２０をめっき液１０中に浸漬させて金属めっき膜を成膜する電解めっき方法において、めっき処理槽１１内のめっき液１０を、めっき液循環配管３１に循環させながら冷却器３３でその液温が溶媒の凝固点以上１５℃未満になるように冷却し、その状態で金属めっき膜の成膜を行うことで、被めっき基板１０の微細凹部内に緻密でボイドの少ない金属配線材料を埋め込むことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

アルカリ媒体中におけるアンモニア及びエタノールの酸化に有用な電極触媒。本電極触媒は、カーボン支持体、ＯＨに対して強い親和性を有する第１のめっき層、及びアンモニア又はエタノールの酸化に対して強い親和性を有する第２のめっき層を含む。カーボン支持体は、カーボンファイバー、カーボンチューブ、カーボンマイクロチューブ及びカーボンマイクロスフェア等の材料から選択される場合がある。第１のめっき層は、ロジウム、ルテニウム、ニッケル及びパラジウム、並びにこれらの組み合わせから選択される。第２のめっき層は、白金、インジウム及びこれらの組み合わせから選択される。又、本明細書に記載の１つ以上の電極触媒、塩基性電解質、及びアンモニア又はエタノールを含む、水素を生成するための電解セルも提供する。又、本明細書に記載の電極触媒を利用するアンモニア燃料電池及びエタノール燃料電池も提供する。
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【課題】半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を小さくすることが可能な基板メッキ装置及び基板メッキ方法を提供すること。
【解決手段】表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板のメッキ装置１０であって、配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成する第１のメッキ槽１３と、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成する第２のメッキ槽１３を設けた。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。
【解決手段】溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。この底面部のメッキ促進添加剤含有膜は、メッキ促進添加剤を含む溶液に、メッキ形成用の開口基板を浸漬しつつ脱気して開口部内の気泡を除去した後、スピン・リンス法と乾燥処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程；前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程；前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源；ならびに少なくとも１種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 メッキに含有されたグラファイトの定着性を向上することができる電気接点材料製造方法及び電気接点材料を提供する。
【解決手段】 電気接点材料１０の母材の表面に、電気メッキによって銀メッキ８を形成する。電気メッキによって銀メッキ８を形成する際、メッキ液中にグラファイト９の粉末を混入することで、銀メッキ８にはグラファイト９が分散されている。グラファイト９にはそれ自体に潤滑作用があるため、銀メッキ８にグラファイト９が含有された材料を電気接点材料１０として用いた場合には、グリースやオイル等の潤滑剤を塗布しなくて済むことから、この電気接点材料１０はグリースレス摺動接点として使用される。銀メッキ形成後、電気接点材料１０に加圧処理を施すことで銀メッキ８の表面８ａを塑性変形させ、表面８ａ上のグラファイト９を銀メッキ８に定着させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにめっきを施す装置、特に、半導体ウエハの被めっき基板にバンプを形成するためのめっき装置に関し、めっき液が効率良く排出され、逆流を防ぐことによって、めっきの均一性を向上させる半導体ウエハのめっき装置を提供する。
【解決手段】上部にウエハ搭載部を有するめっきカップと、前記ウエハ搭載部の上部に設けたウエハ押さえと、前記ウエハ押さえと対向な位置にあり前記ウエハ押さえ側にノズルが突き出して配置されたノズル板と、めっき液を貯留するめっきタンクと、前記めっきカップと前記めっきタンクとの間に設けためっき液循環手段と、前記ウエハ搭載部と前記ノズル板との間に配置された多孔質吸水材とを具備し、前記めっき液は、多孔質吸水材を通過して排出される構造とした。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる放熱体を提供する。
【解決手段】本発明に係る放熱体３０は、めっき皮膜中に微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき層と３１、該めっき層３１とは異なる金属の異種金属からなるめっき層３２とが交互に多数積層され、該異種金属からなるめっき層３２の周縁部がエッチングにより除去されることによって、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき層３１が空間を介して多数並列していることを特徴とする。 （もっと読む）

電気化学的方法で使用する水溶液が開示され、該水溶液は、スルホン酸を含み、低濃度の低原子価または還元されやすい高原子価の硫黄化合物を有し、電着、電池、導電性ポリマーおよびスケール除去方法への使用を目的とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸／硫酸銅5水和物の重量比率が０．１以下で、そのメッキ液のＰＨが４．５以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ１μｍ以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 内部に陽極電極５が設けられためっき処理槽１００を備え、めっき処理槽１００内にめっき液及び電解液を流入し、半導体ウェハ１の被めっき面ｗに下方側からめっき液の噴流を当接させる一方、陽極電極５へ電解液を流入させながら、陽極電極５と半導体ウェハ１との間を通電することでめっきを行うめっき装置であって、めっき処理槽１００には、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、半導体ウェハ１と陽極電極５とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 面方向だけでなく厚み方向にも優れた熱伝導性を有し、ノートパソコンやプラズマテレビ等の電子・電気機器において発生する熱を効率良く拡散して放散するための放熱シート等として好適に利用可能な膨張黒鉛シート及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面に金属めっきが施された膨張黒鉛粉体、もしくは、膨張黒鉛粉体と表面に金属めっきが施された膨張黒鉛粉体との混合物、或いは、膨張黒鉛粉体と表面に金属めっきが施された膨張黒鉛粉体とナノカーボンの混合物、を圧延処理又はプレス成形によってシート状に成形する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に形成された溝内部の良好なメッキ埋め込み性を得ることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 溝パターンと、少なくとも前記溝パターン内部に第1の電極となる電極層が形成された絶縁膜を備えた半導体基板を、第２の電極が設置されるメッキ液中に導入する工程と、前記第１、第２の電極間に、直流電界に周波数１００Ｈｚ以上の交流電界を重畳して印加し、前記金属層上に金属膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に設けられた細孔２２内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液Ｉ（２７）および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液ＩＩ（２６）を用意する工程、該溶液Ｉ（２７）を基板の細孔内に充填する工程、溶液Ｉを充填した基板を溶液ＩＩ（２６）に浸漬し、溶液Ｉの金属イオンと溶液ＩＩの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属２８を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】添加剤の消耗量を抑え、効率的にめっき液を使用することでランニングコストと環境負荷の低減を同時に実現することができ、また、高品質のめっき処理を行うことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液４５を保持するめっき槽５０と、カソードに接続された基板Ｗを少なくともめっき液４５中で保持するヘッド部４７と、めっき槽５０の内部に配置されるアノード４８と、めっき液４５をめっき槽５０に供給するめっき液噴出ノズル５３とを備える。めっき液４５の電気伝導率よりも小さい電気伝導率の高抵抗要素３２４を基板Ｗとアノード４８との間に配置する。めっき液噴出ノズル５３は、めっき処理に先立って高抵抗要素３２４にめっき液４５を供給する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、例えば、コレクタ面にコレクタ電極を形成する場合において、ウエハの反りを抑制することができ、別途余分な部材を設けること無く、また完成品の素子動作を阻害すること無く、当該コレクタ電極を形成することができる、実用性のある半導体装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法では、まず、アノード電極２に対向して、めっき液４にスイッチング半導体素子５のコレクタ面を浸漬させる。次に、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をゲート電極５ｂに印加し、スイッチング半導体素子５を導通状態にする。そして、当該導通状態において、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をアノード電極２に印加することにより、めっき液４とスイッチング半導体素子５に電流を流す。 （もっと読む）