【課題】添加剤を含むめっき液でめっき処理を行う際に、添加剤の消費を低減する。
【解決手段】めっき処理装置２００は、めっき槽２０１中に配置された被処理基板１００とアノード２２０との間に、中性濾過膜２１０と陽イオン交換膜２０８との積層体２０４を、被処理基板１００側に中性濾過膜２１０が位置するように配置して、積層体２０４によりめっき槽２０１を被処理基板１００および添加剤を含む第１室２０２ａとアノード２２０を含む第２室２０２ｂとに隔離した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法を用いて金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】給電層２が形成された半導体基板１を支持基板３上に固定し、一端が半導体基板１上の給電層２と接触し、他端が支持基板３上に固定されるように導電性テープ５を貼付する。そして、導電性テープ５の半導体基板１と接触してない部分８にコンタクトピン７を接触させて電解メッキを行い、メッキ１０を形成する。これにより、コンタクトピン７の接触圧に起因する半導体基板１のクラック発生を抑制し、良好な金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】非水電解液の流通が可能な経路が活物質層内に必要且つ十分に形成され、初期充電の過電圧を低くすることが可能な非水電解液二次電池用負極を提供すること。
【解決手段】非水電解液二次電池用負極１０は、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備えている。粒子１２ａの表面の少なくとも一部がリチウム化合物の形成能の低い金属材料１３で被覆されている。これと共に、該金属材料１３で被覆された該粒子１２ａどうしの間に空隙が形成されている。該粒子１２ａの嵩密度が０．２〜０．８ｇ／ｍｌである。 （もっと読む）

【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１３の合計面積と、レジストパターン１７の合計面積と、レジストパターン１８の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンＡ〜Ｃのめっき処理を行う際のめっき領域Ｒ１３，Ｒ１７，Ｒ１８の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンＡ〜Ｃを極めて効率的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】カップ内で半導体ウェーハに金属皮膜（めっき）を形成後、ウェーハに付着しためっき液を迅速かつ確実にカップ内に戻すことにより効率的に処理しうる自動金属皮膜形成装置及びウェーハへの金属皮膜の形成方法を提供。
【解決手段】ローダー・アンローダー部と、ウェーハアライナー部と、スカラロボットと、めっき処理カップ部と、リンサードライヤー部と、めっき液を供給・循環するポンプとを具備し、これら一連の動作をスカラロボットがウェーハを把持し各部へ搬送しながら処理を行う自動金属皮膜形成装置であって、前記めっき処理カップ部には、めっき処理終了後に、めっき液面から持ち上げられ、可動手段によってカップの上で傾斜させられたウェーハに向かって、洗浄用媒体を噴射して、ウェーハに付着している液をカップ内に戻すための噴射ノズルが設けられていることを特徴とする自動金属皮膜形成装置によって提供。 （もっと読む）

【課題】電気めっきにより円板上にめっき層を形成する方法において、簡便な装置を用いて円板上のめっき膜厚の面内均一性を可能にし、かつ両面８枚同時にめっきする方法を提供する。
【解決手段】円板上の外周部から給電リングにより、給電する給電冶具をカソード電極１とし、その両側に対向させてアノード電極３を配置し、カソード電極１とアノード電極３の両者に平行に円形の孔を持つ電流遮蔽板２を配置し、攪拌ノズル４により、給電冶具上にめっき液を均一な流速に流しながらめっきを行い、かつ給電リングは一部分を開放し、補助カソード機能を兼ね備えた。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

【課題】０．０５ミクロンから１ｍｍの微小なスルーホールやビアホールを有するプリント基板の配線形成時のめっきなど、微小な凹部空間を有する材料のめっきにおいて、凹部空間内表面に金属をめっきする方法の提供。
【解決手段】凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 （もっと読む）

【課題】従来の金属塩が含浸された活性炭素や各々の金属を連続的に鍍金して製造された複合体に比べて高い堅着力および比表面積を維持し、純粋な金属の導入により反応性が良く、金属の組成および含量の微細制御が可能であり、気相／液相の汚染源除去用フィルタ素材および二次電池、燃料電池、コンデンサ、水素貯蔵体電極材料用活物質に有用な活性炭素−多種金属複合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】２種以上の金属からなる合金板が設置された陽極と、伝導性支持体に固定された活性炭素の陰極を利用した電気鍍金を行い、前記活性炭素の表面に２種以上の金属が導入された複合体を形成することを特徴とする活性炭素−多種金属複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良質で均一な金属膜を簡易かつ高い生産性で半導体ウェハ上に形成できる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】１つのめっき浴内でめっき液を循環させ、カソードであるウェハ１４ａ〜１４ｃとアノード１３ａ〜１３ｃである電極との間を通電させて該ウェハ１４ａ〜１４ｃに対して電気めっきを施す電気めっき装置１であって、ウェハ１４ａ〜１４ｃの表面近傍のめっき液を攪拌して乱流化するパドル１８と、めっき浴中のめっき液全体を攪拌する攪拌子１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅と同等以上の抵抗率の導電層（シード層）を有した基板に対して、より均一な膜厚で、全面に亘って膜質の良好なめっき膜を成膜できるようにする。
【解決手段】基板保持部で保持した基板表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板保持部で保持した基板の表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、内部にめっき液に浸漬させるアノード９８を収納し、基板保持部で保持した基板と対向する開口端部に多孔質構造体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成したハウジング９４を有し、めっき液室１００は仕切り板１５０で複数の部屋１５４ａ，１５４ｂに仕切られ、アノード９８は複数に分割された分割アノード９８ａ，９８ｂから構成されて、各分割アノード９８ａ，９８ｂはめっき液室１００の各部屋１５４ａ，１５４ｂの内部に独立しためっき電流が流せるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基材上に均一にＡｕメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。
【解決手段】Ｓｉ基材１上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ方法であって、Ｓｉ基材１上に、Ｃ、Ｓ及びＡｕを含み半導電性を有するＣ−Ｓ−Ａｕ膜よりなる下地層３を形成する下地層形成工程と、電気メッキによるＡｕメッキを施して下地層３上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ工程とを備えている。Ｓｉ基材１の表面に下地層３を形成してから、レジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分に下地層３のＣ−Ｓ−Ａｕ膜が表出したＣ−Ｓ−Ａｕ膜表出部を所定パターンで形成し、レジストの加工パターンをマスクとして、Ｃ−Ｓ−Ａｕ膜表出部上にＡｕメッキ層２を形成すれば、ナノメータレベルの連続したＡｕメッキ細線を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種々のエッチングバスを採用することのできる、非導電性基板（サブストレート）への金属被覆（メタライゼーション）方法を提案する。
【解決手段】少なくとも下記の工程、
（ａ）前記基板を金属含有活性化溶液に接触させる工程と、
（ｂ）次いで、前記活性化溶液に接触させた基板を少なくとも１つのチオ硫酸塩を含む処理溶液に接触させる工程と、
（ｃ）続いて、前記処理基板上に、金属又は合金層を析出させる工程と
から構成される、非導電性の基板（サブストレート）に金属被覆（メタライゼーション）をする方法であって、
前記チオ流酸塩を含有する前記処理溶液は、リチウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、あるいはこれらの混合物からなるイオングループの、少なくとも１つのイオンを含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より均一性に優れた膜厚分布および組成分布を有するめっき膜を繰り返し安定して形成可能なめっき装置に搭載される電極組立体を提供する。
【解決手段】カソード電極組立体１Ａは、被めっき物４と電気的に接続された主電極の近傍に配置されると共に、めっき処理の進行に伴う表面積の拡大を防止し得る構造を有する補助電極を備えている。すなわち、電極板１２の内周縁１２Ｔ１を覆うように立設する絶縁壁１３を設けると共に、電極板１２の外周縁１２Ｔ２を取り囲むように立設する凸部１１Ｔを設けるようにしている。これにより、電極板１２およびめっき膜Ｍ１２が補助電極として良好な機能を発揮し、経時変化せずに安定した電界分布を被めっき物４の周辺に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】銅でないメッキ可能層の上への銅の直接電気メッキのためのプロセスを提供する。
【解決手段】半導体構造物中に相互配線を形成するためのプロセスであって、基板の上に誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上に第一の障壁層を形成する工程と、第一の障壁層の上に第二の障壁層を形成する工程であって、第二の障壁層は、ルテニウム、白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからなる群から選ばれ、第二の障壁層の形成は、第二の障壁層中の酸素のバルク濃度が２０原子パーセントまたはそれ未満となるように操作される工程と、第二の障壁層の上に導電層を形成する工程と、を含むプロセス。本プロセスは、さらに、第二の障壁を処理して第二の障壁層の表面の酸化物の量を減少させる工程を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維内部へのメッキ液の浸透性を高め、金属を均一に且つ大量に担持することが可能な炭素繊維の表面処理方法を提供する。
【解決手段】芳香環を有する化合物を酸化重合してフィブリル状ポリマーを生成させ、該フィブリル状ポリマーを焼成して生成させた炭素繊維に、アルカリ脱脂液で表面処理することを特徴とする炭素繊維の表面処理方法である。上記アルカリ脱脂液は、アミン化合物及び界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

無電解堆積および電気堆積プロセスをインサイチュで実行することによって、非常に信頼性のあるメタライゼーションが供給され、その際に、シード層を形成する、従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）ならびに物理気相堆積（ＰＶＤ）技術にみられるような、汚染物質ならびにデバイススケーリングに関する欠点を克服することができる。ある実施例では、バリア層はさらに、ウェット堆積プロセスに基づいて堆積される。
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【課題】 現行磁気メディアと同等或いはそれ以上の優れた磁気特性を備えたコバルト−白金合金磁性膜を製造する技術を提供する。
【解決手段】 本発明のコバルト−白金合金磁性膜の製造方法は、塩化コバルト六水和物を０．５〜２０ｇ／Ｌと、塩化白金酸（ＩＶ）を２〜６０ｇ／Ｌと、酒石酸アンモニウムを０．５〜５０ｇ／Ｌとを含有するコバルト−白金合金電析めっき浴を用いて、電析コバルト−白金合金膜を形成し、該電析コバルト−白金合金膜を２００℃〜８００℃において熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）