【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線用凹部の内部に、内部にボイドを生じさせることなく、めっき金属をより高速で埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に配線用凹部を有する基板を用意し、促進剤、金属イオン及び酸を含む第１前処理液に基板を浸漬させて第１前処理を行い、第１前処理液に含まれる促進剤の効果を阻害する添加剤を含み且つ促進剤を含まない第２前処理液に基板を浸漬させて第２前処理を行い、しかる後、基板の表面に、少なくとも金属イオン、酸及び抑制剤を含み、促進剤を含まないめっき液を使用した電解めっきを行って、配線用凹部内にめっき金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層６を貫通した貫通穴７を有する基板中間体４と、前記貫通穴７に対応した位置に開口部を有する２枚の導電性マスク５とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴７に合わせて前記基板中間体４の表裏両面の全域を前記各導電性マスク５で覆い、前記基板中間体４の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク５を密着させて被めっき処理体２を形成し、該被めっき処理体２をめっき液３に浸漬し、前記貫通穴７の内面を含んだ前記被めっき処理体２の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体４から前記導電性マスク５を除去する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収を大きくすることが可能な高アスペクトな金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】柱状の金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法であって、基板上に、導電性を有するシード電極と、前記シード電極の一部が露出するようにシリコンからなる格子とが設けられたモールド基板を用意する工程と、前記シリコンからなる格子の頂上部から深さ方向に対して０度より大きな入射角にて絶縁物を斜方蒸着する工程と、前記絶縁物が斜方蒸着されたモールド基板に金メッキを行い、前記シリコンからなる格子の間隙に柱状の金メッキ物を形成する工程を有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

少なくとも１つの金属を有する金属マトリックスとカーボンナノチューブ浸出繊維材料とを含有する複合材料が本明細書に記載される。金属マトリックスには、アルミニウム、マグネシウム、銅、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、銀、金、チタン、及びこれらの様々な混合物が含まれる。繊維材料には、ガラス繊維、炭素繊維、金属繊維、セラミック繊維、有機繊維、炭化ケイ素繊維、炭化ホウ素繊維、窒化ケイ素繊維、及び酸化アルミニウム繊維が含まれる。複合材料は、少なくともカーボンナノチューブ浸出繊維材料を、任意的には複数のカーボンナノチューブをオーバーコートする保護層を含むことができる。金属マトリックスは、金属マトリックスとカーボンナノチューブ浸出繊維材料との親和性を向上させる少なくとも１つの添加剤を含むことができる。繊維材料は、金属マトリックス中において、均一に、不均一に、又は勾配をもって分布する。不均一な分布は、金属マトリックスの異なる領域に、機械的、電気的又は熱的に異なる性質を付与するために用いられてもよい。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】反りが低減し、機械的強度が高くなり、平坦性が向上する金属充填微細構造体、および、その製造方法の提供。
【解決手段】１×１０⁶〜１×１０¹⁰／ｍｍ²の密度で、孔径１０〜５０００ｎｍ、深さ５０〜１０００μｍの貫通孔を有する絶縁性基材からなる貫通構造体の貫通孔内部に、貫通孔の深さの８０％以上の深さまで金属が充填されている金属充填微細構造体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】絶縁性部分を含む被めっき物の該絶縁性部分にめっきを施すための触媒付与溶液であって、水溶性パラジウム化合物、還元剤、分散剤、カテコール、銅酸化防止剤、及び緩衝剤を含有し、ｐＨが４以上であることを特徴とする触媒付与溶液。
【効果】Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液と比べると、Ｓｎを含有しないＰｄ単独のコロイド溶液であるので、プレディップ処理やＳｎ除去処理が不要となり、触媒付与処理が簡略化できる、ｐＨが４以上であるため、ハローイングが生じない、触媒付与溶液中の還元剤により還元雰囲気にあるので、銅表面が酸化されず、銅溶解が生じないことから、パラジウム置換反応が起こらない、といった利点がある。 （もっと読む）

【課題】グラファイト基板前処理方法を提供する。
【解決手段】
本発明のグラファイト基板前処理方法は、グラファイトの電気めっき工程を行う前に行う表面処理方法であって、ｐＨ値がｐＨ３〜ｐＨ９の間に介在するソルビタン系活性剤と濃度が３％〜５０％の間に介在する硝酸を利用し、グラファイト基板の電気めっき工程を行う前に行う表面処理方法が使用する活性剤及び溶剤とし、グラファイト基板表面に対する侵蝕破壊を防止し、グラファイト基板表面に付着した金属層に良好な結合力を持たせることができ、金属層の寿命を増長することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】はんだを使用せずに、より高温の環境においても、積層される上下の部材の熱応力を効果的に緩和することのできる金属基複合材料を使用した積層構造体を提供する。
【解決手段】材料Ａ１と、材料Ｂ５と、材料Ａ１と材料Ｂ５との間に挟まれた材料Ｃ４とからなり、材料Ａ１および材料Ｂ５の線膨張係数が、α_ａ＜α_ｂの関係を満たし（ここで、α_ａは材料Ａ１の線膨張係数を表し、α_ｂは材料Ｂの線膨張係数を表わす）、材料Ｃ４は２元素からなるマトリックス材および微粒子を含み、緻密状態２および多孔質状態３を含み、材料Ｃ４の材料Ａ１に接する側が緻密状態２であり、材料Ｂ５に接する側が多孔質状態３であることを特徴とする積層構造体１０。 （もっと読む）

【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）