【課題】 本発明の目的は、めっき表面に生じる凹凸をなくし平滑な表面を有する電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、球体からなるコアボールを用意し、次いで前記コアボールを包囲するようにはんだめっき層を形成して複合体とし、次いで前記はんだめっき層の表面を平滑化加工する電子部品用複合ボールの製造方法であり、前記平滑化加工は、前記はんだめっき層の表面にメディアを接触させて行なうことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行う際に、めっき外観、皮膜物性、フィリング性等を改善することができるＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用の添加剤を提供する。
【解決手段】アルケン類及びアルキン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる、ＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用添加剤、
銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を含有する水溶液を基本めっき浴として、上記添加剤を含有することを特徴とする、ＰＲパルス電解法によるめっき用銅めっき液、
該銅めっき液中で、被めっき物をカソードとして、ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行うことを特徴とするＰＲパルス電解法による銅めっき方法。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板表面上に高速で硬質クロム層の沈着をするための方法に関する。
【解決手段】本発明に係る方法は、被覆される基板表面が、周囲圧力に対して減圧下でガルバニー電気沈着に適するクロム含有電解質と接触され、クロム層の基板表面上への沈着中に、基板表面と電解質の相対的運動が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】作業環境への反応ガスの放出を抑制できると共に、シリンダ内周面と電極間の隙間流路に反応ガスが滞留することを抑制して通電不良等の不具合を防止できること。
【解決手段】シリンダブロック１におけるシリンダ２のシリンダ内周面３の一端部をシール治具１３がシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極１２の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理するシリンダブロックのめっき前処理装置であって、シリンダ内周面３と電極１２間に隙間流路２７が形成され、電極に電極内流路１２Ａが形成され、隙間流路２７が、シール治具１３に最も接近して設けられたスリット２６を経て電極内流路１２Ａに連通され、隙間流路２７内をシール治具１３へ向かって流れる処理液が、スリット２６を経て電極内流路１２Ａへ流出可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】被処理材の表面に、部分的に所望の箇所にめっき被膜を効率的に形成することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】燃料電池用の金属製のセパレータ１０の被処理表面１０ａに金を電気めっきするセパレータのめっき処理方法であって、前記被処理表面１０ａが電極３０に対向するように、セパレータ１０を金のイオンを含むめっき液中に浸漬し、被処理表面１０ａと電極３０との間にパルス波形の電流を流しながら被処理表面１０ａに金を粒子状に析出させる。 （もっと読む）

電極材料、電極および触媒としてのプラチナ金属に基づく塩化水素電気分解法を記載する。電極材料は、プラチナおよび銀粒子のナノスケール混合物を含有する。
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【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】銅からなる金属層の電解析出のための経済的で簡単な方法を見出す。
【解決手段】高い電流密度の箇所でも一様な光沢性、高い破断伸びと引っ張り強さ並びに一様な層厚分布を備えた微細結晶構造の金属層を、パルス電流乃至パルス電圧法を用いて、電解析出するための方法にして、ａ）陰極として複雑に形作られた被加工物上に、ｂ）貴金属又は貴金属の酸化物で被覆され不活性で寸法安定な不溶解性陽極を使用して、ｃ）c1)析出されるべき金属のイオン、c2)光沢性、破断伸び及び引っ張り強さの制御のための添加化合物、並びにc3)少なくとも１種の電気化学的に可逆な酸化還元系の化合物であって、その酸化形態によって析出されるべき金属のイオンを、対応する金属部分の分解によって形成するような酸化還元系の化合物、を含有する析出溶液から、上記金属層を電解析出し、c4)上記陽極は、穴を明けられているか、陽極メッシュであるか、エキスパンドメタルの形状である、電解析出方法。 （もっと読む）

【課題】各種用途に有効に適用可能で且つ軽量化を図ることができる線材を提供する。
【解決手段】アルミニウム線に銅めっき又はそのクラッド被覆することにより、ミニチュアモーター巻線用、スピーカーボイスコイル用、自動車などの配線用単線、撚り線、バッテリー接続用ケーブル、送電線に用いる。ニッケルめっき被覆、亜鉛めっき被覆、錫めっき被覆又はこれら金属のクラッド被覆をすることによりヒューズなどの電機部品に用いる。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第１の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第２の成膜工程と、を含み、第１の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから１０秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル（ｍｍ）で表した基板直径Ｄにｒｐｍで表した回転数Ｎを使ってＤ×Ｎ×πで定義した周速が６０００×πｍｍ／分以下となるような第１の回転数Ｎで回転され、被処理基板にメッキ電流が１０ｍＡ／ｃｍ²以下の第１の電流密度で供給され、第２の成膜工程では被処理基板は、第１の回転数よりも大きな第２の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度で供給される。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜特性を良好にする。
【解決手段】めっき方法は、カソードとアノードとの間に直流電流を流してカソード上にめっき膜を形成する工程（Ｓ１０）と、直流電流とともに、カソードとアノードとの間に交流成分を重畳させて、カソードとアノードとの間に流れる変位電流を検出する工程（Ｓ１２〜Ｓ１６）と、変位電流に基づき、めっき膜の表面積の変化を算出する工程（Ｓ１８およびＳ２０）と、めっき膜の表面積の変化に基づき、当該表面積に対する局所電流密度が変化しないように、直流電流の値を制御する工程（Ｓ２２およびＳ２４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】スチール製品に対して銅‐亜鉛合金めっきをする方法において、シアン化合物を使用することなく、かつ、水素の発生を抑制することができる銅‐亜鉛合金電気めっき方法、それを用いたスチールワイヤ、該スチールワイヤを用いたスチールワイヤ‐ゴム接着複合体、および該スチールワイヤ‐ゴム接着複合体を用いたタイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と亜鉛塩とを含む水溶液中にてスチール製品に対し銅‐亜鉛合金を電気めっきする方法において、パルス電流を通電し、前記パルス電流のデューティ比が０．０５〜０．６０、かつ、パルス時間が１ｍｓｅｃ〜５０ｍｓｅｃの範囲で電気めっきを行う。 （もっと読む）

本発明は、たとえばマイクロリアクタシステム又はマイクロ触媒システム内に設置するのに適しているナノワイヤ構造体に関する。ナノワイヤ構造体の製造のために、ナノ細孔内でナノワイヤを電気化学的に堆積するテンプレートベースの方法を用いる。異なる角度で照射を行い、それによってナノワイヤ網を形成する。テンプレートフィルムの溶解及び溶解したテンプレート材料の除去によって、ナノワイヤ網内で構造化空隙を露出させる。ナノワイヤの網目状結合はナノワイヤ構造体に安定性をもたらす。ナノワイヤ間においては、電気的接続が確立される。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】(ｉ)爆発の危険性がなく、(ii)安全に取り扱うことができ、(iii)平滑で、低電流密度部分まで着き回り性の良い均一なめっき皮膜が得られ、(iv)高い耐食性のめっき皮膜を得ることができる電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴を提供すること。
【解決手段】(Ａ)アルミニウムハロゲン化物、(Ｂ)Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類及びＮ，Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物、(Ｃ)高沸点芳香族炭化水素溶媒を含む電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴であって、(Ａ)アルミニウムハロゲン化物と(Ｂ)化合物とのモル比が１：１〜３：１であり、引火点が５０℃以上である、電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電解めっき中の電位データを測定でき、従来の煩雑な操作を必要としない計測装置を提供する。
【解決手段】ＰＲパルス電解めっきにおいて、正電解時及び逆電解時におけるめっき対象物と参照電極３０との電位差の経時変化をそれぞれ測定する測定装置とする。前記めっき対象物と参照電極との電位差の波形データが入力された制御部には、入力済み波形データの波形記憶手段、前記記憶手段中の保管波形データから採取した所定時間内の波形データの波形切出手段、前記切り出された波形データにおける所定の基準点から所定時間内の正電解電位と逆電解電位とを読み取る電位読取手段、前記読み取られた正電解電位と逆電解電位とを記憶する読取電位記憶手段を具備し、めっき経過時間に対して正電解電位の時間―電位曲線及び逆電解電位の時間―電位曲線のモニタ手段を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤を１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 （もっと読む）