【課題】安価で、生産効率の良い、軽量な構造的に優れた複合材料を提供する。
【解決手段】構造的に強化された性質を有する軽量な複合材料の一つに、実施例として、多孔性基質の浸入可能な間隙構造に、組成変調ナノラミネートコーティングを電気的に積層したものが挙げられる。間隙構造の内部をナノラミネートすることにより、２次元表面を一層でナノラミネートするよりも、複合材料の単位容積当たりのナノラミネート物質量を、より多く含ませることが出来る。
加えて、ナノラミネート物質は、複合材料を形成するため電着を施した他の物質と同様に、組成変調され、層と層の間の断絶を最小限にし、更に無くすことができる可能性を有する。軽量かつ、構造的に強化された複合材料は下記の例に挙げるような様々な分野に応用、利用が可能であり、なおかつ、これらに制限されるものではない。すなわち、弾道力学的な応用（例、軍事用プレート、タンクパネル等）、自動車の保護への応用（例、自動車のドアパネル、レーシングカーの外殻等）、スポーツ用品への応用（例、ゴルフクラブのシャフト、テニスラケットのフレーム等）などへの利用が可能である。
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【課題】研磨、エッチング等に対する処理耐性に優れ、且つ伝送特性の均一な複数のフィルドビアを有する多層配線基板を提供する。
【解決手段】フィルドビア形成に際して、該フィルドビアの軸に垂直な面内の大きさが変化する領域であって且つ該領域の導体結晶粒の大きさを略均一としたい領域を形成する際に、形成途中における導体表面であってめっき液中に露出する露出面に供給する電流を該露出面面積の拡大に応ずる所定の条件に従って増加させ、露出面に供給される電流の電流密度を一定保つこととする。 （もっと読む）

【課題】導電性が低く、表面の機械的損傷に対して敏感なストリップ状の処理素材を一巻き一巻き電解処理する、小さいライン長で高い生産能力を示す連続ライン、それも、ストリップの表面を全面電解処理する方法に適した連続ラインを提供する。
【解決手段】ストリップの一巻き一巻きの電解処理に関し、電気接触はストリップのどちらかの面が金属製の接触ローラ２、３を使って行われ、他方の面が弾性対向ローラ４、５の各々を使って行われる。連続ラインに沿って接触エリア１がより長い電解エリア１１と交互に位置する。電解エリアの場所ごとに電流密度を個別に調整するために、このエリアは、個別の電解セルを形作る個別の整流器を備えた個別の陽極を含む。これにより、ほとんど導電性のないストリップにおける電圧降下は、電解エリアの場所ごとに陽極のもとで所定の電流密度が有効になるように補償される。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレーム及びそのめっき方法を提供する。
【解決手段】 素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレーム及びそのめっき方法において、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】改善された輝きおよび色の一様性を有する堆積物をもたらす、カドミウムを含まない金合金電解質の提供。
【解決手段】金合金を堆積させるための組成物および方法が開示される。組成物は、特定のジチオカルボン酸およびこれらの塩およびエステルと、メルカプト基含有化合物を含み、一様な色を呈する輝いた金合金堆積物を提供する。 （もっと読む）

電気化学的方法で使用する水溶液が開示され、該水溶液は、スルホン酸を含み、低濃度の低原子価または還元されやすい高原子価の硫黄化合物を有し、電着、電池、導電性ポリマーおよびスケール除去方法への使用を目的とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理を施した銅合金から成る基材に銅ストライクめっきを施す際に、その前処理工程を可及的に短縮でき、基材との密着性及びその耐熱性についても、充分に満足し得る銅ストライクめっき層を形成できる銅ストライクめっき方法を提供する。
【解決手段】熱処理を施した銅合金から成る基材の表面に脱脂処理及び電解活性処理を施した後、前記表面に銅ストライクめっきを施す際に、該銅ストライクめっきでは、前記基材の表面に形成した銅ストライクめっき層のＸ線回折の反射強度が最大値を示す結晶面が、銅から成る金属結晶を細密充填した銅層のＸ線回折の反射強度が最大値となる結晶面である（１１１）面となるように、前記基材の表面に銅金属が析出する極側のみに電流がパルス状に出現するパルス電流を前記基材に印加することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は以下の工程を含んでなるプリント基板製造におけるμ−ブラインド・ビアの埋め込み方法を提供する。（ｉ）銅金属塩と任意に有機添加剤とを含んでなる、電気めっきにより金属被覆を施すための電解質浴を準備する工程、（ｉｉ）前記浴を、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の直流または有効電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の電流パルスで運転する工程、（ｉｉｉ）前記電気浴から前記電解質の一部を取り出す工程、（ｉｖ）前記取り出された電解質の一部に酸化剤を添加する工程、（ｖ）任意に、前記取り出された電解質に紫外線を照射する工程および（ｖｉ）前記取り出された部分を前記電気浴へと戻し、かつ、酸化処理によって破壊された有機添加剤を補充する工程。 （もっと読む）

【課題】還元剤を使用せずに電気めっき浴中の第二鉄イオンを第一鉄イオンに還元することが可能な電気めっき法を提供する。
【解決手段】第一鉄系の電気めっき浴１１を使用して基板９に電気めっきする場合に、電気めっき期間（電気めっき浴１１中において基板９が電気めっきされる期間）中にアノード４とカソード５との間に電気めっき電位を加えると共にカソード４（作用電極）と基準電極６との間に補助電位を加える。この電気めっき電位により基板９が電気めっきされると共に、補助電位により電気めっき浴１１中の第二鉄イオン（Ｆｅ³⁺）が第一鉄イオン（Ｆｅ²⁺）に還元される。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Ｓｎベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Ｓｎベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。
【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Ｉとなっている無鉛Ｓｎベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が０．５μｍ以下のめっき層Ａを複数含み、全膜厚が１〜１０μｍである。 （もっと読む）

【解決手段】 マイクロビアやスルーホールをめっきする方法であって、少なくともコンディショニング工程と電気めっき工程を有し、前記コンディショニング工程では、基材を浸漬すべき、少なくとも１種の光沢剤成分、および塩化物および／または臭化物を含有する溶液が用いられ、前記電気めっき工程での電解液は、少なくとも１種のキャリアーおよび／またはレベラーを含有する。
【効果】 （１）ブラインドマイクロビアの充填、（２）スルーホールの充填、（３）スルーホールめっきに関する驚異的な改善が認められた。 （もっと読む）

【課題】微細なViaホールに欠陥無く金属を充填することができる電解めっき方法およびその装置を提供する。
【解決手段】微細配線およびViaホールを有する半導体あるいは化合物基板への電解めっきにおいて、めっき開始するまでの間に導電膜の化学的溶解を防止するため、導電膜の電位が自然電位より卑になるように基板とアノード電極間に微弱電流を流す。またViaホールを有する基板のパルス電解めっき方法において、めっき電流の休止時間に、導電膜およびめっき膜の電位が自然電位より卑になるように、微弱直流電流を通電しながらパルス電解電流を重畳する。パルス電解条件は、Viaホールの開口径と深さの比及び基板上に形成された導電膜の厚さあるいは電気抵抗により通電電流密度及び通電/休止時間比を設定する。 （もっと読む）

【課題】 可溶性陽極のみを用いて標準電極電位が異なる合金の電解めっきが可能な合金めっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 めっき槽１内のめっき液２中に、被めっき材を陰極３に接続し、陰極３と標準電極電位が貴の金属からなる可溶性陽極４との間に整流器ａ１を、陰極３と標準電極電位が卑の金属からなる可溶性陽極５との間に整流器ａ２を接続する。可溶性陽極４と可溶性陽極５とに交互に電流を供給する。 （もっと読む）

双極電気信号を用いてステンシルを電鋳するステップを含む、スクリーン印刷のステンシルを形成する方法に関する。双極信号は、カソードパルス（２２）およびアノードパルス（２４）を含んでいる。電鋳プロセス中にカソードパルス（２２）を印加すると、金属が成膜される。アノードパルス（２４）を印加すると、金属が除去される。カソードパルス（２２）は、アノードパルス（２４）よりも長い持続時間を有している。アノードパルス（２４）の振幅の、カソードパルス（２２）の振幅に対する比は１よりも大きい。
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【課題】透孔と袋孔も含め、全面、あるいは部分的な構造の表面を、設備技術的コストを既知の通過設備に比較して著しく高くせずに正確に電解処理すること。
【解決手段】構成部品が電解セル（２、３）の電極間を水平または垂直に方向付けされて移送され、構成部品の表面に電気的に導通する、全面の、または部分的な電解処理すべき層が設けられており、この層に透孔および／または袋孔が設けられており、それらが電解金属化され、あるいは充填される、ものにおいて、電解セル（２、３）内の処理が、１００ｍｍより大きい陽極／陰極間隔（２０、２１）で行われ、かつ、これらの電解セルに単極または双極のパルス電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第１の密度の凹部領域上で平面となる前に第１の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第２の電流密度範囲は、第１の電流密度範囲よりも大きい。１つの例においては、該方法は更に、金属層が第２の密度の凹部領域上で平面となるまで第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第３の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第２の密度は第１の密度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 電子部品のＳｎめっき皮膜に関し、電子部品に於けるＰｂフリーはんだめっきの１つであるＳｎめっきの皮膜に於いて、Ｓｎウィスカが発生し難いＳｎめっき皮膜を実現させようとする。
【解決手段】 電子部品にめっきされたＳｎめっき皮膜に於いて、該Ｓｎめっき皮膜に含まれる炭素量が０．０５容量％以下であること、または、該Ｓｎめっき皮膜に於けるめっき結晶粒の大きさが平均径で２．５μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の熱伝導性を高めながらメッキ工程を最小化した内部ビアホールの充填メッキ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部ビアホールの充填メッキ構造は、内部ビアホールを備えた銅張積層板にメッキされた無電解メッキ層６３と、前記銅張積層板の表面の無電解メッキ層及びビアホールの内壁にベリー(belly)状にメッキされた第１次電解銅メッキ層６４と、前記銅張積層板の表面の第１次電解銅メッキ層及びビアホールの内壁の第１次電解メッキ層の上・下部にメッキされてビアホールを埋めた第２次電解銅メッキ層６５とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】表面の残留応力値が−１００MPａ以上であっても、耐食性を発揮するクロムめっき部品を容易かつ安定して得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】パルスめっき処理を行ってクラックのないクロム層を形成した後、表面をバフ研磨により仕上加工するクロムめっき部品の製造方法において、前記パルスめっき処理によりクロム層に生じる電着応力値Ａと、前記仕上加工によりクロム層に付与される加工応力値Ｂと、温度上昇や時間の経過により生じるクロム層の応力変化量Ｃとが、式[Ａ＋Ｂ＋Ｃ＜８０ＭＰａ]を満足するように、前記パルスめっき処理におけるパルス波形、電流密度、めっき浴温度、めっき浴組成等を調整し、かつ仕上加工における使用バフの種類、加工条件等を調整する。 （もっと読む）