【課題】耐しみ汚れ性に優れたノンクロメート電気Ｚｎめっき鋼板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気Ｚｎめっき層の上に実質的にＣｒを含有せず、Ｎａを０．０５〜５質量％含有する樹脂皮膜が設けられた電気Ｚｎめっき鋼板である。上記の電気Ｚｎめっき層は、原子換算で、Ｐｂ：５ｐｐｍ（ｐｐｍは質量ｐｐｍの意味。以下、同じ）以下、Ｔｌ：１０ｐｐｍ以下に抑制されている。 （もっと読む）

【課題】コイリング特性に優れたばね用ステンレス鋼線を提供する。
【解決手段】引張強さ１５００〜３０００Ｎ／ｍｍ² の高強度ステンレス鋼線を用いた芯材と、該芯材の表面を覆うニッケルメッキ層とからなるニッケル被覆鋼線であって、前記ニッケルメッキ層は、内メッキ層，外メッキ層の複数層からなる層状メッキ組織からなり、前記内メッキ層は、前記外メッキ層と前記芯材との間に介在して両者を結合し、前記芯材の径方向にのびる柱状組織をなし、前記前記外メッキ層は、伸線による冷間加工に伴う細径化により微小片に破壊され、前記外メッキ層は、該破壊された前記微小片により内メッキ層を覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００を支持する保持体１０４とめっき液１０２とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板１００の表面に、半導体基板１００の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板１００の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体１０４とめっき液１０２との相対的な移動は、例えば、保持体１０４を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板１００の中心以外に位置する軸心周りに保持体１０４を回転させることにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】耐食性低下、光沢化等の他の特性が大きく変化することなく、また、電流効率が大きく低下することなく、高い白色度を有する電気亜鉛めっき鋼板を製造する。
【解決手段】電気亜鉛めっき浴中で鋼板を陰極電解処理し、電気亜鉛めっき鋼板を製造する際に、電気亜鉛めっき浴中に2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物（好ましくは2-メルカプトベンゾチアゾール又はその塩）の１種又は２種以上を合計で0.01〜3ppm含有することとする。このような処理を行うことで、亜鉛の結晶形態を変化させ、亜鉛めっき結晶の凹凸の深さが小さくなる。そして、凹凸の深い部分での光の吸収が少なく、拡散反射光が増加し、外観上明るく見える（白色度が向上する）こととなる。 （もっと読む）

【課題】 挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条。
【解決手段】
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、りん青銅、黄銅、丹銅、チタン銅等の銅合金条の表面に、下地めっき、Ｓｎめっきの順で電気めっきを施し、その後、リフロー処理を施しためっき条であり、表面から銅合金条母材にかけて、Ｓｎ相を溶解除去し、Ｃｕ−Ｓｎ合金相を表面に現出させたときに、このＣｕ−Ｓｎ合金相の平均粗さＲａが０．０５〜０．３μｍである挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条であり、めっき相の厚みはそれぞれ、（１）Ｓｎ相の平均厚みが０．０２〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相の厚みが０．１〜２．０μｍ、Ｃｕ相の厚みが０〜２．０μｍでもよく、（２）Ｓｎ相の平均厚みが０．０２〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相の厚みが０．１〜２．０μｍ、Ｎｉ相の厚みが０．１〜２．０μｍでもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースを保持するワークピースホルダの隣に、不均一な振動をしながらワークピースの表面に対して平行に移動し、流体を攪拌する部材２０４’を設置する。さらに、ワークピースの表面に向かう電界の一部を遮断する非導電材料からなるプレートを配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極１２と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板２０と、第１、第２の露出部２０ａ，２０ｂを残して覆うように形成したマスク２１、各露出部２０ａ，２０ｂに対応する開口２２ａを有するスパージャー２２とからなり、前記露出部２０ａ，２０ｂに当接するめっき液１０ａの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 （もっと読む）

【課題】耐白錆性に優れた化成処理用亜鉛系めっき鋼板およびその製造方法、並びに耐白錆性に優れた化成処理鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板表面より深さ５０nｍ以内の亜鉛めっき層に、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｉｎ、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ、Ｚｒの酸化物からなる１種又は２種以上を合計で２〜１００ｍｇ/ｍ^２含有し、鋼板表面より深さ５０nｍ超えの亜鉛めっき層はＺｎ及びの不可避的不純物からなる化成処理用亜鉛系めっき鋼板。この鋼板を製造するにあたっては、亜鉛めっき鋼板を、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｉｎ、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ、Ｚｒの１種又は２種以上と、硝酸イオン及び硫酸イオンを含み、ｐH０.５以上ｐH３.５以下である酸性溶液に、鋼板と酸性溶液との相対流速が０.５ｍ／秒以上で、接触時間が０．５〜２０秒間、接触させた後、水洗することを特徴とする。 （もっと読む）

高アスペクト比のホールを備えて成る加工品を電気めっきするために、加工品及び少なくとも一つの陽極と金属めっき電解液とが接触する工程と、加工品と陽極間に電圧を印加することで、その結果、電流の流れが加工品に生じる工程とを備えて成る方法を明らかにする。電流の流れは、多くとも約６Ｈｚの周波数を有するパルス逆電流の流れである。周波数に従って、それぞれの周期時間は少なくとも一つの順電流パルスと少なくとも一つの逆電流パルスを備えて成る。
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【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第１の密度の凹部領域上で平面となる前に第１の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第２の電流密度範囲は、第１の電流密度範囲よりも大きい。１つの例においては、該方法は更に、金属層が第２の密度の凹部領域上で平面となるまで第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第３の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第２の密度は第１の密度よりも大きい。 （もっと読む）

本発明は、めっき膜中でのＡｇ濃度を調整したＳｎ−Ａｇ系はんだ合金めっき膜をリフローすることにより得られるボイドの発生が抑制された鉛フリーバンプおよびその形成方法に関する。本発明の鉛フィリーバンプは、Ｓｎ−Ａｇの共晶形成濃度より低いＡｇ含量のＳｎ−Ａｇ系合金膜をめっきにより形成し、当該合金めっき膜をリフローすることにより得られる。
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【課題】半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法を提供する。
【解決手段】鉄−ニッケル合金からなる基底素材と、基底素材上にメッキされ、結晶粒径が１ミクロン以下のメッキ層と、を備える半導体リードフレームである。これにより、鉄−ニッケル合金（ａｌｌｏｙ ４２）からなる基底素材上に錫でメッキするときに、結晶粒径を最小化させてウィスカの成長を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が（２２０）面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を（２２０）面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ²の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の２価の錫イオン濃度は１〜１００ｇ／Ｌであり、亜鉛イオン濃度は０．２〜８０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】
スルーホールを有するプリント配線板のメッキにおいて、メッキ液の簡単な攪拌方法で、高いアスペクト比のスルーホール表面にも、均一で十分な厚みのメッキを精度よく行うことができ、さらには、スルーホール表面のメッキ厚みとプリント配線板表面のメッキ厚みの比を100％に近づけるようなメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
【課題を解決するための手段】
スルーホールを有するプリント配線板をメッキ液に浸漬し、該プリント配線板の一方の面に接触するメッキ液と、他方の面に接触するメッキ液の攪拌速度を異なるようにした。メッキ液の攪拌の方法は、攪拌棒を往復運動させる方法で、プリント配線板の一方の面に面する攪拌棒の往復速度と他方の面の往復速度とが異なるように攪拌する。
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【課題】 複雑な構造を用いることなく、添加剤、特に埋め込み性に影響を及ぼすアクセラレーターの分解を十分に抑制することができるメッキ装置を得る。
【解決手段】 アクセラレーターが添加されたメッキ液を入れるメッキ槽と、含リン銅からなるアノードと、カソードとなる被メッキ基板を支持する支持部と、アノード近傍のメッキ液を加熱する加熱手段と、アノード近傍からカソード近傍へ流れるメッキ液を冷却する冷却手段とを有する。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の部分めっき方法である吹き付けめっき時における、欠けや焼けなどのめっき不良を減らす。また、電流密度を大幅に向上させる。
【解決手段】
貯槽12とマスク5及びスパージャー2の間に減圧系を用いた部分めっき装置を考案した。材料６のめっき範囲にマスク５をあてがい上部よりシリンダ軸１で加圧しめっき面を密閉する。 貯槽１２に貯えられた薬液は、バルブ９が開放されるとスパージャー２内部に充満し、移送ポンプ１０が稼働することにより陽極用パイプ４を通過し薬液が吸引される。薬液が吸引されることによりめっき面付近は絶えず薬液の交換がなされ、陰極面には常に十分な金属イオンが供給される。まためっきにより発生した水素気泡は薬液吸引によりスパージャー２外へすばやく強制移送される。 （もっと読む）