【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品等に使用される金属材のステンレス鋼において、ステンレス鋼に耐腐食性、半田付け性の良い表面処理を施すことにより、めっき皮膜ステンレス鋼使用の電子部品等の信頼性を高める。
【解決手段】ステンレス鋼基材１１の表面に膜厚が０．０１〜０．０５μｍと極めて薄いニッケルストライクめっき層１２を形成し、このニッケルストライクめっき層１２を下地として、この上に膜厚の薄いパラジウム層１３（膜厚５０μｍ以上）と金層１４（膜厚２０μｍ以上）を順次形成する。この構成により、表面処理工程が簡単で、密着性を確保し、かつ耐腐食性と半田濡れ性の両面において優れためっき皮膜ステンレス鋼が得られる。 （もっと読む）

【課題】 大口径の半導体基板に対して、シードＣｕ膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき槽１１０内にはアノード電極１０４が、基板保持機構１０７には第１のカソード電極１０９と第２のカソード電極が設けられている。Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。これによって、Ｃｕシード層が６０ｎｍ以下の非常に薄膜になった場合においても、半導体基板の中心付近で得られるめっきＣｕ膜厚が薄くなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【課題】高品質処理を確実に行うことができる平板形状物の表面処理装置を提供する。
【解決手段】前置干満槽１０ＮＦと後置干満槽１０ＮＢとを処理槽１０Ｎの前後に配設し、前置干満槽１０ＮＦに関する導入側ゲート開閉手段，前置側液供給手段および前置側液排出手段と、処理槽１０Ｎに関する搬入側ゲート開閉手段および搬出側ゲート開閉手段と、後置干満槽１０ＮＢに関する後置側液供給手段，後置側液排出手段および導出側ゲート開閉手段とを設け、これら手段を所定の手順に従って駆動制御する駆動制御手段を設け、平板形状物２００を大気中搬送により前置干満槽１０ＮＦに導入し、満液状態の前置干満槽１０ＮＦから液中搬送により処理槽１０Ｎに搬入しかつ表面処理後の平板形状物２００を満液状態の後置干満槽１０ＮＢへ液中搬送により搬出させ、その後に後置干満槽１０ＮＢから大気中を導出させかつ後方側に排搬送できるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】錫ウイスカの成長を抑制する錫めっき皮膜を、簡単かつ少ない処理工程で形成する。
【解決手段】下地金属２上の錫めっき皮膜３を室温で酸化又は水酸化処理して、錫めっき皮膜３表面に酸化物又は水酸化物の表面層５を形成する。かかる表面層５は緻密且つ均一で、錫ウイスカの成長を抑制する。酸化は，酸素プラズマ４への暴露や酸化雰囲気への暴露によりなされる。また、下地金属２上の錫めっき皮膜３を、加熱−徐冷を複数回繰り返す熱処理を施す。一度の加熱工程で生ずる拡散が少なく発生する内部応力が小さいので、徐冷により容易に応力緩和され大きな残留応力が残らない。このため、ウイスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 極細線製造用の銅線或いは銅合金線であって、線材表面に傷、ひび割れ、銅粉のスタンプ等の表面欠陥がなく、極細線の伸線加工時に断線等が生じることがない、２０μｍ以下の極細線を製造するための銅線或いは銅合金線の表面性状改質方法を提供することにある。
【解決手段】 極細線を製造するための銅線或いは銅合金線であって、前記銅線或いは銅合金線の表面欠陥を溶解除去した後、ついで銅めっき処理または銅合金めっき処理を行う極細線製造用の銅線或いは銅合金線の表面性状改質方法とすることによって、解決される。 （もっと読む）

金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】導電性をもつ粉体の大きさや比重に関係なく、安全かつ低コストで該導電性粉体の表面に金属を担持させることのできる金属担持導電性粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属前駆体を溶媒に溶解させる金属前駆体溶液の作製工程と、導電性粉体を溶媒に分散させる導電性粉体溶液の作製工程と、前記金属前駆体溶液と前記導電性粉体分散溶液とを混合し金属前駆体を担持した導電性粉体を作製する担持工程と、前記金属前駆体を担持した導電性粉体を第１の電極に固定する電極固定工程と、前記第１の電極を電解液に浸し陰極とし、陽極となる第２の電極を前記電解液に浸し、前記第１と第２の電極に電流を流す電解還元工程と、前記電極から導電性粉体を回収する回収工程を経て金属担持導電性粉体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗の経時変化が小さく、耐摩耗性に優れ且つ摩擦係数が低い錫めっき材を提供する。
【解決手段】 錫層中に０．１〜１．０重量％炭素粒子が分散した複合材からなる厚さ０．５〜１０．０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍの皮膜を素材の最外層に形成することにより、同一の錫めっき材との間の動摩擦係数を０．２０以下、リフローＳｎめっき材との間の動摩擦係数を０．２０以下にするとともに、接触抵抗を１ｍΩ以下にする。 （もっと読む）

【課題】 導電性、耐食性、機械的特性等が優れており、軽量で、加工性に優れ、低コストで量産可能な金めっき構造体、及び燃料電池用セパレーターを提供する。
【解決手段】 チタン基材の表面に、金めっき部と非めっき部とを有し、この金めっき部が直径１００ｎｍ以下、１ｎｍ以上の島状で前記チタン基材の表面に点在していることを特徴とする金めっき構造体、及びこの金めっき構造体からなる燃料電池用セパレーター。 （もっと読む）

【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電池容器に成形加工する際に電池容器内面側のめっき層に鋼素地に達することのない微小クラックが発生し、アルカリ電池の正極合剤との密着性が向上して、長期保存後に優れた電池性能を十分に発揮することが可能であり、かつ電池容器内部のガス発生が抑制されて電解液の耐漏液性に優れた電池とすることが可能な電池容器用めっき鋼板、その電池容器用めっき鋼板を用いた電池容器およびその電池容器を用いた電池を提供する。
【解決手段】 鋼板上に鉄−ニッケル合金層、その上にニッケル層または／およびニッケル−コバルト合金層を形成し、さらにその上にニッケル−コバルト−スズ合金層またはコバルト層を介してコバルト−錫合金層を形成するか、またはさらにその上にコバルト−スズ−銀合金層とその上層の銀層を形成して電池容器用めっき鋼板とし、それを電池容器に成形加工して電池に適用する。 （もっと読む）

【課題】 絞り加工や絞りしごき加工を施して容器に成形加工する際に微小クラックが発生し、アルカリ電池の正極合剤との密着性を高めて、優れた電池特性を有する電池とすることが可能な電池容器用めっき鋼板、その電池容器用めっき鋼板を用いた電池容器およびその電池容器を用いた電池を提供する。
【解決手段】 鋼板の電池容器内面となる側にニッケルめっきを施し、次いでその上にニッケル−リン合金めっきを施し、さらにその上に銀めっきを施した後に拡散熱処理し、鋼板上に鉄−ニッケル合金層、その上にニッケル層または／および鉄−ニッケル−リン合金層または／およびニッケル−リン合金層を形成させ、さらにその上に銀層を形成させて電池容器用めっき鋼板とし、それを電池容器に成形加工して電池に適用する。 （もっと読む）

【課題】不溶性電極を用いた電気錫メッキ方法において、錫イオン濃度を精度よく制御する方法を提供すること。
【解決手段】メッキ液循環槽４に供給するメッキ液流量を、生産スケジュールより求める一定時間後の錫イオン予定消費速度に基づいて計算するフィードフォワード制御流量と、このフィードフォワード制御流量の計算時点でメッキ液循環槽４から電解メッキ槽５に供給されるメッキ液の錫イオン濃度の実績値と目標値との差異に基づいて計算するフィードバック制御流量を用いて制御する。 （もっと読む）

外観が銀白色の金属とその製造方法を提供する。本金属は、金属コアと、第１の層と、第２の層とを含む複合材であり、該第１の層は該金属コアの外側表面を覆い、銅イオンを含む第１めっき浴から銅または銅合金を電気めっきすることで生成される。該第２の層は該第１の層を覆い、銅イオンとスズイオンを含む第２めっき浴から白色青銅を電気めっきすることで生成される。あるいは、本複合材は、金属コアと白色青銅の第１の層とだけを含んでもよい。製造される複合材は、銀白色の外観を持ち、ニッケルが露出していないのでニッケルにアレルギーのある人に影響をあたえない。標準処理方法により、本複合材を硬貨、トークン、メダル、鍵、非入れ子式物品等の完成品に成形できる。
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【課題】配線基板の電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離するのを防止し、電気的接続を確実、強固に維持することが出来る長期信頼性に優れた配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】錫と銀の少なくとも２種の金属元素からなる、鉛を含まないはんだと接続されるための電極を有する配線基板の製造方法において、該電極は少なくとも（ａ）少なくともスルファミン酸ニッケル４水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、電解ニッケルめっきを行う工程、または、（ａ）少なくとも硫酸ニッケル６水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、７０ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きいカソード電流密度で電解ニッケルめっきを行う工程、のいずれかと、（ｂ）電解金めっきを行う工程、
により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法である。 （もっと読む）