【課題】基板との接着強度、耐熱強度に優れた銅箔製造法の提供。
【解決方法】微細回路パターンを有する基板の製造に適する微細回路基板用表面処理銅箔の製造方法に関し、Ｃｏ、Ｎｉ、アンモニウム塩及びクエン酸を含む電解メッキ浴に銅箔を陰極に配置し、表面粗度が０．５μｍ以下になるように上記銅箔表面上にＣｏ−Ｎｉ合金の粗化処理層を析出形成する段階、上記粗化処理層の上に、純粋Ｚｎ又はＺｎ合金被膜層を形成する段階、上記被膜層の上に電解クロメート層を形成する段階、及び上記電解クロメート層の上にシランカップリング剤処理層を形成する段階から成る。製造された表面処理銅箔は、基板との接着強度及び耐熱接着強度、耐薬品性、エッチング性等の銅箔としての要求特性が全般的に優秀で、微細回路基板用銅箔として非常に適している。 （もっと読む）

【課題】 表面の摩擦係数が小さく、耐久性に優れた複合金属材料を提供する。
【解決手段】 表面がフラーレン或いはフラーレン誘導体３を含む金属１で構成される複合金属材料。 （もっと読む）

ワークピース上にマイクロ又はナノスケールのパターンを堆積又はエッチングする方法が開示され、その方法は（ａ）ワークピースを電気化学反応器内に、パターン付けされたツールに近接して配置するステップと、（ｂ）ワークピースを、エッチングする場合にはアノードとなり、又は堆積する場合にはカソードとなるように、及び、パターン付けされたツールは対極になるように接続するステップと、（ｃ）２つの電極間に形成されるセルの電解動作に必要な電解液をポンプ注入するステップと、（ｄ）ワークピースをエッチング又は堆積するために、電極の両端に電流を印加するステップとを含む。
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【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部（ビア表面）の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１１の片面に銅箔１２を有するプリント配線板用基材の絶縁層１１に、底部に銅箔１２が露呈するようにあけられたビアホール１３を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔１２をめっき給電用陰極とし、ビアホール１３内に位置する針状の突出電極部５１を含む電極部材５０をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 各種の優れた特性を有する多層膜の製造方法で、スパッタリング法はコストが非常に高いという問題点がある。また電気めっき法による多層膜の作製方法は低コストであるが、従来の技術では低電流あるいは低浴電圧時に成膜速度が極端に低下するという問題点があり、電流あるいは電圧を瞬時に切り替えるための特殊な電源装置が必要であった。
【解決手段】 目的に応じた組成をもつ無電解めっき成膜可能な単一のめっき液中で、還元剤による無電解めっき成膜と外部から投入する電力による電気めっき成膜を連続して行うことで、機能性を有する多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品に対して、厚膜の部分めっきを効率よく施すことを可能にする部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 頂面と底面の双方にて開口した複数の筒状めっき液保持容器、各筒状めっき液保持容器の内部に備えられた一方の電極、該電極に電気的に接続された電源、各筒状めっき液保持装置の開口底面に接続するめっき液供給容器、筒状めっき保持装置の周囲に備えられためっき液回収容器、そして上記電源の他方の極に電気的に接続された電子部品仮保持具からなる電子部品の部分めっき装置。 （もっと読む）

【課題】潜在的に高い垂直磁性特性を有するとともに処理パラメータにより特性を制御が可能な磁性材料を電気めっきで製造する。
【解決手段】５０〜８０重量％のコバルト、９〜１５重量％のニッケル、１０〜２５の重量％のレニウム、０．１〜２．０重量％のリン、５〜１０重量％のタングステン又は白金とからなる磁性材料層であり、この磁性材料層は、好ましい垂直磁性（例えば、磁性材料が磁化されると、磁性材料は、層の平面方向に垂直方向の高い磁場力を与える）をもつ層として形成される。磁性材料層は、好ましくは約１μｍの厚さを有し、電気めっきによって形成される。この磁性材料層は、ＭＥＭＳ装置に適用するのに有利である。 （もっと読む）

【課題】従来の部分めっき方法である吹き付けめっき時における、欠けや焼けなどのめっき不良を減らす。また、電流密度を大幅に向上させる。
【解決手段】
貯槽12とマスク5及びスパージャー2の間に減圧系を用いた部分めっき装置を考案した。材料６のめっき範囲にマスク５をあてがい上部よりシリンダ軸１で加圧しめっき面を密閉する。 貯槽１２に貯えられた薬液は、バルブ９が開放されるとスパージャー２内部に充満し、移送ポンプ１０が稼働することにより陽極用パイプ４を通過し薬液が吸引される。薬液が吸引されることによりめっき面付近は絶えず薬液の交換がなされ、陰極面には常に十分な金属イオンが供給される。まためっきにより発生した水素気泡は薬液吸引によりスパージャー２外へすばやく強制移送される。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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【課題】
メッキ高さが高く多段段差形状を有するメッキ形成物の形成を可能にする。
【解決手段】
ネガ型ホトレジスト組成物を、（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）酸発生剤、（ｃ）その他の成分を含有するネガ型ホトレジスト組成物とし、
（Ａ）ネガ型ホトレジスト組成物の層を形成し、加熱後、露光する。
（Ｂ）前記工程（Ａ）を２回以上繰り返してネガ型ホトレジスト層を積み重ねた後、全ての層を同時に現像することで多層レジストパターンを形成する。
（Ｃ）多層レジストパターンにメッキ処理を行うことによりメッキ形成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】組立時にコネクタ端子の表面に傷などが生じても耐腐食性の低下を防ぐ。
【解決手段】組立工程においては端子部２並びに保持部４のところで圧入治具５０とコネクタ端子１とが接触しているために当該接触部位にて封孔処理剤の被膜やめっき等に傷が付きやすい。また端子部２の切断面では銅素材が露出してしまうために切断面を含めた上記傷の部分で腐食が発生しやすなる。そこで、組立工程の後に第２の封孔処理工程を行い、傷によってめっきが露出している部位や銅素材が露出している切断面に封孔処理剤を塗布して封孔処理を施す。すなわち、めっきや銅素材が露出した部位を封孔処理剤の被膜で覆うことによって耐腐食性の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面の電気メッキにおいて、局所メッキを可能にし、総メッキ電流を低減し、堆積の均一性を改善する方法を提供する。
【解決手段】電気メッキ装置は、ウェーハの表面上方又は下方に配置可能で、陽極として荷電させることが可能なメッキヘッドを含む。メッキヘッドは、ウェーハ及びメッキヘッドが荷電されている時、ウェーハの表面とメッキヘッドとの間での金属メッキを可能にできる。メッキヘッドは、更に、メッキヘッドとウェーハの表面との間に存在する電圧を感知可能な電圧センサ対と、電圧センサ対からデータを受領可能なコントローラとを備える。電圧センサ対から受領されたデータは、メッキヘッドがウェーハの表面上方の位置に置かれた時に、陽極により印加されるべき実質的に一定の電圧を維持するために、コントローラによって使用される。 （もっと読む）

【課題】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部でのウイスカの発生を抑制し、かつ部品実装部に於いては半田濡れ性を十分に確保できるＦＰＣを提供すること、またＦＰＣ端子部の配線回路の好ましい電解めっき処理方法を提供することにある。
【解決手段】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部の配線回路には、厚さ０．５〜２μｍの鉛フリー半田めっき層が形成され、かつＦＰＣの部品実装部の配線回路には、厚さが２μｍ以上の鉛フリー半田めっき層が形成されると共に、前記鉛フリー半田めっき層には、１４０℃以上１８０℃以下の温度で１時間以上の熱処理が施されるか、或いは鉛フリー半田めっきの融点以上の温度で０．１秒以上の熱処理が施されたＦＰＣとすることによって、解決される。 （もっと読む）

電気化学堆積の方法において、対象となる小さな回路素子上で電解質溶液の微小滴を使用する。対象となる回路素子のみを電気的にバイアスし、微小滴の下で素子の表面上に堆積を起こさせるが、その素子が別の微小滴の下になければそこには堆積は起こらない。本発明により、従来の浸積および／または含浸法と比較して、わずかな量の電解質を用いて、極めて正確でかつ選択的な電気化学堆積が得られ、マスクまたはエッチングの必要が省かれ、製造コストおよび生成する電解質溶液廃棄物の量を低減する。
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【課題】鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜が形成された製品であって、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に製造可能な製品を提供する。
【解決手段】コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法において、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図る。
【解決手段】金属板の一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と（Ｓ１）、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と（Ｓ２）、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と（Ｓ３）を備えた。 （もっと読む）

【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 メッキ被膜を良好に形成することができ、さらに設備費を抑えることができ、加えてワークの形状によって適用が制約されることのないメッキ装置を提供する。
【解決手段】 メッキ装置１０は、内部に貫通孔１６ａを備えた筒形電極１６を、シリンダブロック１１の中空部１２内に隙間Ｓ１を開けて配置し、中空部１２内で、かつ筒形電極１６の上端部１６ｂ上方に遮蔽板３５を設け、隙間Ｓ１にメッキ液１７を流すことにより、シリンダ１２の内周壁１４にメッキ被膜６６を形成するものである。このメッキ装置１０は、遮蔽板３５を絶縁材で形成し、遮蔽板３５と内周壁１４との間にメッキ液１７を導入可能なメッキ液導入隙間Ｓ２を形成したものである。 （もっと読む）

平面加工部品（１）の電解処理用装置及び方法、特に加工部品表面において互いに電気的に絶縁の導電性構造Sを電解処理する方法に関する。方法は装置中輸送路T'、T"上で加工部品（１）を輸送かつ処理することから構成され、前記装置は二輸送路間の少なくとも一の組立体Aから構成され、前記組立体は各一輸送路と結合する接触電極を有する第一及び第二の回転可能な接触電極を含み、第一接触電極（２）は第一輸送路T'上を輸送され、かつ第二輸送路T"から隙間を置く加工部品に隣接し、第二接触電極（８）は第二輸送路T"において輸送され、かつ第一輸送路T'から隙間を置く加工部品に隣接する。組立体及び加工部品は処理液と接触する。接触電極は各々互いに絶縁であり、かつ第一及び第二輸送路（T'、T"）上を輸送される加工部品と、第一及び第二輸送路（T'、T"）の方へ各々向くが加工部品（１）とは接触しない第二セグメント（９）の間に電解領域Eが形成されるように電源（５）と接触する第一及び第二セグメント（９、１０）から構成される。
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【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）