【課題】プラズマ処理を行う場合であっても、半導体ウェハ上へのパーティクルの付着を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスより成る第１のガスを反応室内に導入し、プラズマ生成用の高周波電力を印加することにより、第１のガスのプラズマを反応室内に生成し、第１のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内に搬入する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、分子中に水素と窒素とを含む第２のガスを反応室内に導入し、第２のガスのプラズマを半導体基板に照射する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、不活性ガスより成る第３のガスを反応室内に導入し、第３のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内から搬出する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄く、高硬度のコーティングを形成する方法、およびこのコーティングを含むデバイスに関する。
【解決手段】本発明の方法は、マグネトロンカソードスパッタリングにより、１Ｐａのアルゴン分圧下で基材の少なくとも１つの表面上にチタン薄膜を堆積し、次いで、マグネトロンカソードスパッタリングにより、１Ｐａの分圧を維持しながら、窒素をカソードスパッタリング室内に導入することにより、得られた薄膜上に窒化チタン薄膜を堆積し、さらに、活性同時スパッタリングモードのマグネトロンカソードスパッタリングにより、得られた薄膜上に、チタン、ジルコニウム、ホウ素および窒素に基づくナノ構造化コンポジット材料の薄膜を堆積することにある。
本発明の方法は、機械部品の表面硬度を改良するために、多くの分野、特に機械分野に適用可能である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング性を向上させた静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】静電チャックのクリーニングを実行する際、まず、金属ベースプレートの外周面と弾性プレートの外周面とに付着した成膜残渣を研磨して除去する（研磨工程：ステップＳ１）。そして、研磨工程で研磨された金属ベースプレートと弾性プレートとを洗浄し（洗浄工程：ステップＳ２）、洗浄工程で洗浄された金属ベースプレートと弾性プレートとを脱ガスさせる（脱ガス工程：ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】被装着体である細線（細管を含む）の表面に装着することで細線を屈曲可能な能動細線に構成させる形状記憶合金製マイクロアクチュエータ１の製造方法であって、被装着体の代わりとなるダミー細線１０を用い、ダミー細線の外側周面に対して拡散防止用金属薄膜２０を積層する工程、拡散防止用金属薄膜の上から形状記憶合金組成薄膜３０を積層する工程、形状記憶合金組成薄膜に対して形状記憶熱処理を施す工程、形状記憶合金組成薄膜に対して所定のレジストパターンＰを形成する工程、形状記憶合金組成薄膜と拡散防止用金属薄膜をエッチングする工程、ダミー細線を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に装置構成部品に付着する成膜材料の剥離脱落を安定的かつ有効に防止し、成膜装置のクリーニングや構成部品の頻繁な交換などに伴う膜製品の生産性の低下や成膜コストの増加を抑制すると共に、微細なパーティクルの発生を抑制することを可能にした真空成膜装置用部品を提供する。
【解決手段】真空容器内で蒸発させた薄膜形成材料を基板上に蒸着せしめて薄膜を形成する真空成膜装置を構成する真空成膜装置用部品において、上記真空成膜装置用部品１の表面粗さが算術平均粗さＲａで５μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品１である。 （もっと読む）

【課題】裏打ち部材による熱伝導性の低下がないとともに、アーキングの発生を確実に防止することができるスパッタリングターゲットを提供し、また、そのようなスパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間にボンディング材を密着させることができるターゲット組み立て体を提供する。
【解決手段】複数のターゲット部材４ａ〜４bの側面どうしを継ぎ合わせてなるスパッタリングターゲット２において、ターゲット部材４ａ〜４bの継ぎ目Ｔに裏打ち部材５が設けられるとともに、該裏打ち部材５は、前記継ぎ目Ｔを塞ぐ金属製テープ１１と、該金属製テープ１１の両側部をターゲット部材４ａ〜４bに固定する接着テープ１２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの形状がばらついても、ビアホールやトレンチの側壁に所定の膜厚でバリア膜とシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の側壁に所定膜厚の導電膜を備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程を有する。ここで凹部とは、ビアホールとトレンチの総称である。そして、前記凹部が形成された絶縁膜上に、スパッタリング法により、前記凹部に成膜すべき導電膜の膜厚、前記凹部の深さ及び前記凹部を上面から見たときの当該凹部側壁の投影面積に基づいて算出された、前記凹部が形成された絶縁膜の上面に成膜すべき膜厚で、導電膜を形成する工程を有する。即ち、ビアホールやトレンチの投影面積に基づきこれらの形状のばらつきを勘案して、成膜を行うのである。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜素子の圧電性能を損なうことなく、電極と圧電薄膜との膜の密着性を上げ、圧電体薄膜素子を用いたデバイスの作成プロセスで安定した品質と歩留まりを有す圧電体薄膜素子を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１４を備える圧電体薄膜素子１５であって、圧電体薄膜１４は膜厚方向に、複数の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第１の圧電体薄膜１４ａ）と、単一の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第２の圧電体薄膜１４ｂ）を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ内に設置された蒸発源１３と、蒸発源に対向して配置されたステージ１５と、ステージを面内で回転させる回転手段１８と、蒸発源に対するステージの設置角度を変化させる角度調整手段１９とを備える。そして、基板Ｗを面内で回転させるとともに、基板の表面に対する蒸発粒子の入射角が連続的に変化するように基板の傾斜角を蒸発源に対して変化させながら、基板の表面に蒸発粒子を堆積させる。これにより、基板の半径位置に関係なく、ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を高めることができる。また、これに伴って、基板面内において蒸着膜のカバレッジ特性の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って安定して動作するパルス電子ビーム発生装置およびこの装置を用いたパルス電子ビーム成膜装置を得る。
【解決手段】パルス状の電子ビームを発生するためのパルス電子ビーム発生部（８a）と、絶縁材料で構成された中空のチューブであって、パルス電子ビーム発生部（８a）に連結され、発生させた電子ビームをターゲット表面に案内するためのガイドチューブ（８ｂ）とを備えるパルス電子ビーム発生装置（８）において、ガイドチューブ（８ｂ）の側面に、その長手方向と交差する方向に高さを有する絶縁材料のフィン（８ｃ）を、ガイドチューブ側面をほぼ一周するように設ける。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】耐熱合金の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層の下部層はＴｉ化合物層、同上部層は、化学蒸着で形成した島状のＡｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層（縦断面観察による）と、該島状Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層の間隙を埋める物理蒸着で形成された耐熱性高強度硬質膜からなる層構造を有し、上部層表面に平行な横断面において上記Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層が占める面積（Ａ_ＣＶＤ）と、上記耐熱性高強度硬質膜が占める面積（Ａ_ＰＶＤ）との面積比（Ａ_ＣＶＤ／Ａ_ＰＶＤ）は、０．９〜１６である層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造系におけるプラズマチャンバのためのスパッタ用コイルを提供する。
【解決手段】前記スパッタ用コイル１０４は、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてまた、ターゲット１１０からワークピース上にスパッタされる物質を補うために、コイル１０４からワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の供給源とする。或いは、複数のコイルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギーを結合するためのものとし、そして他の一つは主としてワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補足の供給源としてもよい。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

本発明に係る燃料電池用ステンレス鋼分離板は、ステンレス鋼板と、前記ステンレス鋼板の表面に形成される金属層／金属窒化物層（Ｍ／ＭＮ_ｘ）からなる第１のコーティング層（このとき、０．５≦ｘ≦１である。）と、前記第１のコーティング層上に形成される金属酸窒化物（ＭＯ_ｙＮ_ｚ）層からなる第２のコーティング層とを含む（このとき、０．０５≦ｙ≦２で、０．２５≦ｚ≦１．０である。）。また、前記燃料電池用ステンレス鋼分離板の製造方法も提供される。 （もっと読む）