【課題】 スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタ装置１は、ターゲット３とシャッタ１５の間に、スパッタ粒子を制御するためのスパッタ粒子制御板１６が配置されている。このスパッタ粒子制御板１６はステンレス等の材質からなり、その中央部に開口部１７が形成されている。この開口部１７は、ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の放出分布に対応した形状を有している。 （もっと読む）

【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド１３の上部折曲部１３ａと下部折曲部１３ｂとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド１３の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット３と上部シールド１３との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング１５の内径を相対的に広く、台座リング１５の高さを相対的に低くして、パッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット３と上部シールド１３との接触またはパッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との接触を回避する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）

本発明は、殊に形態学的に定義されたポリマー表面の耐引掻性シーリングおよび装飾用金属塗装に適した多重層の層構造体、ならびに連続層を形成させるための真空技術的方法に関する。 （もっと読む）

高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
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回転軸方向鍛造を用いてスパッタターゲットを作製する方法が記載される。当該鍛造工程の前及び／又は後に他の熱機械加工工程を用いることができる。特有の粒子サイズ及び／又は結晶構造を有することができるスパッタターゲットがさらに記載される。
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マグネトロン源、マグネトロン処理チャンバ、かつ真空プラズマ処理される表面を有する基板を製造する方法は、非対称の非平衡の長い範囲のマグネトロン磁界パターンを生成しかつ用い、そのマグネトロン磁気パターンは、真空プラズマ処理される基板表面でのイオン密度を改善するために基板表面に沿って掃引される。長い範囲の磁界は、少なくとも０．１ガウス、好ましくは１ガウスから２０ガウスの間の基板表面に平行な磁界の成分を有して基板表面に到達する。プラズマ処理は、例えばスパッタリング被覆またはエッチングであり得る。
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【課題】 本発明の課題は、８００℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Ａｌ_２Ｏ_３よりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−ＡｌまたはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を８００℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Ａｌ_２Ｏ_３−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の１つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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差動装置（１０）の耐久性を改良するための方法であって、作動装置（１０）は、ピニオンシャフト（１２）と、ピニオン（１３）の内径の表面と接触するピニオン（１２ａ）とを有する。本方法は、ピニオンシャフト（１２）又はピニオン（１３）又は両方の表面の、ピニオンシャフト（１２）とピニオン（１３）との間の接触面に、ピニオン（１３）の材料と接触する際にピニオンシャフト（１２）の材料より低い摩擦係数及び高い焼き付き抵抗を有するコーティングＣを結合すること、を備える。

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本発明は、ターゲットの背後の長方形ターゲット(32)の短側面(32c,32d)に沿って配置される操縦導体(62,64,66,68)を含む操縦磁場源と、ターゲット(32)の対向する長側面(32a,32b)に生成された磁場間のプラズマ流を閉じ込めるターゲット(32)の長側面(32a,32b)に沿って配置された磁気焦点合わせシステムとを提供する。プラズマ焦点合わせシステムは、カソードの作用軸からプラズマ流を偏向させるのに用いられ得る。各操縦導体(62,64,66,68)は、独立して制御され得る。さらなる実施形態において、電気的に独立している操縦導体(62,64,66,68)は、カソード板(32)の対向する長側面(32a,32b)に沿って配置され、一つの導体を流れる電流を変化させることにより、アークスポットの経路を浸食溝を広げるようにシフトする。本発明は、複数の内部アノードも提供し、プラズマ流を偏向するための取り囲みアノードを任意的に提供する。 （もっと読む）

スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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本発明は、表面粗さＲａ≦１．０μｍ、より好ましくはＲａ≦０．５μｍの内側底面を備えていることを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットに関する。このホローカソード型スパッタリングターゲットは、スパッタ膜の均一性（ユニフォーミティー）に優れ、アーキングやパーティクルの発生が少なく、さらに底面の再デポ膜の剥がれを抑制でき、成膜特性に優れている。 （もっと読む）

ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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ターゲットと支持板とから成るアセンブリとその製造方法。前記支持板は45% IACS以下の導電率を有する材料で作られ、該材料は、Al合金、Cu合金、マグネシウム、マグネシウム合金、モリブデン、モリブデン合金、亜鉛、亜鉛合金、ニッケル、およびニッケル合金から成るグループから選択される。 （もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）

本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの２つの混合物の［窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物］をベースとする少なくとも１つの層Ｃを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および／または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 （もっと読む）

真空チャンバ中に物品を載置し、チャンバを排気し、加速イオンで物品の表面を処理し、処理表面上に後に形成する層を接着させる材料層を形成し、グラファイトカソードでパルス電子−アーク放電を開始し、カソード表面に沿って動く複数のカソードスポットから炭素プラズマのパルス流を生成し、物品表面の所定領域に炭素プラズマを収束して超硬質非晶質炭素被膜を形成し、物品温度を、電子−アーク放電パルスの繰り返し周波数を制御することによって２００から４５０Ｋの範囲内に維持する工程を含む真空中での超硬質非晶質炭素被膜を形成する方法であって、炭素被膜を形成する工程において、炭素プラズマのパルス流が、２３から３５eＶのイオン平均エネルギー、１０¹²から１０¹³ｃｍ^-3のイオン濃度を有し、炭素プラズマ流の軸が、物品の所定表面に対して１５から４５°の角度傾斜させ、被膜の形成工程において、物品の温度変化Δｔが、５０から１００Ｋの範囲内で維持することを特徴とする方法。 （もっと読む）