【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、少なくとも基板Ｂの外周から基板Ｂの側方に１０ｍｍ離れた位置までの電位を基板Ｂと同電位に調整する、及び／又は基板Ｂを基板Ｂと同電位に調整された壁面１０Ｓで囲む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく外部環境に対する耐食性・耐久性を付与するとともに内部における局部電池腐食を抑制することにより、電気化学的に厳しい環境下においても電極材料として有用な優れた耐食性と耐久性とを併せ持つアルミニウム材料を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に防食層３と導電層５とが形成されたアルミニウム材料であって、前記基材１と前記防食層３との間にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり平均厚さが10nm以上200nm以下の接着層２が形成され、前記防食層３は、その自然電位が前記接着層２の自然電位よりも-0.1V乃至1.2V大きく、かつ大気中で不動態被膜を形成しやすい材料である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく電極材料として好適に利用可能となる、錫とアルミニウムとの密着性に優れかつ耐食性に優れた錫被覆アルミニウム材料を提供する。
【解決手段】錫被覆アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に、防食層３と、錫または錫合金からなる電気接点層４とが形成された錫被覆アルミニウム材料１０であって、前記防食層３が、チタン、クロム、ニオブから選ばれる１種または前記選ばれる１種を主成分とする合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、チタン（Ｔｉ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、主として銅で構成される接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】所望の腐食性の高い薬品に対して耐食性を示す基体を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物又は酸化チタンからなる基体の表面に炭化水素を主成分とするガスの燃焼炎を直接当てて該基体の表面温度を５５０〜１１００℃の範囲内で所定温度に制御して加熱処理するか、又は該基体の表面をその表面温度を５５０〜１１００℃の範囲内で所定温度に制御した状態で炭化水素を主成分とするガスの燃焼ガス雰囲気中で加熱処理して炭素ドープ酸化チタン層を形成することにより、表面の耐食性を制御して所望の薬品環境に対して耐食性を有する基体を製造する。 （もっと読む）

【課題】紫外線を照射しなくとも親水性を発現する薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓの表面に酸化チタンの薄膜を形成する成膜方法であって、真空を維持した状態で、基板Ｓを成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａの間で繰り返し移動させる工程（Ｓ３）と、チタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を成膜プロセス領域２０Ａに導入された基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、反応プロセス領域６０Ａに導入された基板Ｓに酸素ガスを接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】特別な前処理や後処理を施さずに効率よく、親水性の薄膜をプラスチック基板に成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板Ｓの表面に薄膜を形成する方法であって、真空容器１１の内部に形成された成膜プロセス領域２０Ａでチタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、真空容器１１の内部に成膜プロセス領域２０Ａとは離間して形成された反応プロセス領域６０Ａで酸素ガスを基板Ｓに接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入するとともに１ｋＷ以下のプラズマ処理電力を供給した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】コスト高を招くことなく、簡単な構成で高密度化プラズマを発生させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｓを保持するステージ７と、ステージ７に対向配置されたターゲット２と、真空チャンバ１内にスパッタガスを導入するガス導入手段とを備えたスパッタリング装置Ｍにおいて、ターゲット２に直流電力を投入する第１のスパッタ電源５と、基板Ｓに高周波電力を投入する第２のスパッタ電源８とを更に備え、両スパッタ電源５、８から電力投入すると、ターゲット２側の直流プラズマと、基板Ｓ側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマがターゲット２と基板Ｓとの間に発生するように、ターゲット２及び基板Ｓを近接配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、反応室と、前記反応室の内部に配置され、所定の金属材料からなるターゲットと、前記反応室の内部に前記ターゲットと離間して配置され、貫通孔が形成された基板を保持する基板保持部材と、前記基板の成膜面の背面側に位置する前記反応室の壁面に設けられ、前記反応室の内部に気体を供給する気体供給口と、を備え、前記気体供給口から前記基板の貫通孔を通して前記反応室の内部に前記気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハに形成された半導体チップにアンダーバンプメタルを蒸着するスパッタ装置内の温度を判定する判定ステップと、前記スパッタ装置内の温度がアンダーバンプメタルの蒸着に適した所定温度以上でないと判定したときに、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入するダミーウエハ投入ステップと、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入して前記スパッタ装置内の温度が前記所定温度以上となったと判定したときに、前記半導体ウエハを前記スパッタ装置に投入する半導体ウエハ投入ステップと、を有する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】金属、セラミックス等へ充分な付着性と硬度等において立方晶窒化ホウ素本来の特性を示す立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料を提供する。
【解決手段】基体２と、前記基体表面上に形成された周期律表の第４族金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、第５族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、前記第４族金属及び第５族金属の窒化物又はホウ化物或いはホウ窒化物の内から選ばれるいずれか１種以上の成分よりなる中間層３と、前記中間層３の表面に被膜した立方晶窒化ホウ素を主成分とする表面膜４とから形成される立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料であって、前記表面膜４の立方晶窒化ホウ素の光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱又は光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のいずれか一方の半値幅が、５０ｃｍ^−１以下のピークを示すか、Ｘ線解折で立方晶窒化ホウ素の特定結晶面の反射ピークの２θの半価巾が特定値である立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】高速加工およびドライ加工でさらなる長寿命化を達成することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と、基材上に形成された被覆膜とを備え、被覆膜は、Ｔｉ_1-xＣｒ_xＮ（ただし、０≦ｘ＜０．３）からなるＡ層と、Ｔｉ_1-yＡｌ_yＮ（ただし、０．３＜ｙ＜０．７）からなるＢ層とがそれぞれ交互に積層されて構成されており、Ａ層の厚みλａおよびＢ層の厚みλｂはそれぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、互いに接しているＡ層およびＢ層の厚みの比であるλａ／λｂの値は、基材に最も近い位置においては０．４＜λａ／λｂ＜０．７であって、基材側から被覆膜の最表面側に進むにしたがって連続的および／または段階的に増加していき、被覆膜の最表面に最も近い位置においては１．５＜λａ／λｂ＜３となる表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】湿式のエッチング加工が施しやすく、明るさがあり高級感のある金色色調を呈し、長期に渡って腐食が発生せず（耐蝕性に優れ）、かつ、高硬度および高耐傷性を有する装飾品を得ることを目的としている。
【解決手段】本発明の装飾品は、装飾品用基材と、この装飾品用基材に被覆された、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）またはジルコニウム（Ｚｒ）からなる密着層と、この密着層に被覆された積層被膜と、この積層被膜に被覆された、０.１〜０.３μｍの厚みを有する窒化ハフニウム（ＨｆＮ）からなる金色硬質被膜と、この金色硬質被膜に被覆された、０.０２〜０.０４μｍの厚みを有し、かつ、金（Ａｕ）または金合金から成る、金色色調を呈する金色最外被膜とから構成され、該積層被膜は、０.０１〜０.０２μｍの厚みを有する第１の窒化物層と、この第１の窒化物層上に被覆された、０.０１〜０.０２μｍの厚みを有する第２の窒化物層とが、これらの層を１組として、１０〜２０組積層されており、かつ、該第１の窒化物層と、該第２の窒化物層とが、それぞれ（１）窒化ハフニウム（ＨｆＮ）と窒化チタン（ＴｉＮ）、（２）窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）と窒化チタン（ＴｉＮ）、または（３）窒化ハフニウム（ＨｆＮ）と窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）であることを特徴とする。 （もっと読む）

コーティングを堆積させるための処理、特に、腐食の影響を受けやすい流路表面を有するディスクおよび一体型ブレードを有するガス・タービン・エンジン・ブリスクの表面を保護するのに適した耐腐食コーティング。処理には、ブリスクをコーティング材料源に隣接して配置することを、材料源を蒸発させてコーティング材料蒸気を発生させるように構成された装置内で行なうことが含まれる。コーティング材料源に対するブリスクの配向を、ブリスクの回転軸が、コーティング材料源からコーティング材料蒸気がブリスクへと流れる直線経路の約４５度以内になるように、またブレードのより腐食の影響を受けやすい流路表面がコーティング材料源に面するように、行なう。次にブリスクをその回転軸の周りに回転させながら、コーティング材料源を蒸発させてコーティング材料蒸気を優先的に堆積させ、ブレードおよびディスクの腐食の影響を受けやすい流路表面上にコーティングを形成する。
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【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンバーにおけるステージ温度の急激な低下を抑制することによって品質異常を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、第１チャンバーと、第２チャンバーと、第３のチャンバーとを具備しており、第３のチャンバーにて処理待ち状態が所定時間経過した後（Ｓ５）、ダミー収容室内のダミー基板を第２チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しながらダミー基板上に金属膜をスパッタリング成膜し、第２チャンバー内のダミー基板を第３チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しないで金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ７）。その後、第３チャンバーにおいて、第２チャンバーによって金属膜が成膜された基板を加熱しない状態で金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ８）。これによって、マルチチャンバーにおけるステージ温度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気体と直接接触する環境下における耐ドレンエロージョン性に優れた回転機械用の部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面１ａ上にセラミック硬質皮膜３が形成されてなり、該セラミック硬質皮膜３の表面３ａに存在するドロップレットの密度が１０００個／ｍｍ^２以内とされており、且つ、平均粒径が１μｍ以下のドロップレットの密度が５５０個／ｍｍ^２以内とされている。 （もっと読む）