【課題】鉛を含有しない強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、前記第１電極上に形成された圧電体層７０と、前記圧電体層上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。
【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体６は、不動態化金属の層６１と、この不動態化金属の酸化物層６２とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。 （もっと読む）

【課題】Ａｕを含む表面層をＴｉ基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１種類以上の金属からなる第１成分とＡｕとを含む表面層６が形成され、表面層における第１成分の含有量が、第１成分の比重（g/cm³）×０．００１〜第１成分の比重（g/cm³）×０．０１（μｇ／ｍｍ^２）であり、かつＡｕの含有量が０．０７０（μｇ／ｍｍ^２）以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第１成分の含有量が２５質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

本発明の対象は、３０ｎｍ以下の物理的厚みの、金属Ｍの酸化物の少なくとも１つの膜で、その表面の少なくとも一部をコーティングした基板を得るための方法であって、前記酸化物膜が、少なくとも１つの銀膜を含む多層の一部ではなく、前記方法が、金属Ｍ、金属Ｍの窒化物、金属Ｍの炭化物、及び酸素が化学量論組成未満の金属Ｍの酸化物から選択される材料の少なくとも１つの中間膜が、スパッタリングによって堆積される工程であって、前記中間膜が、チタン酸化物ベースの膜の上または下に堆積されず、前記中間膜の物理的厚みが３０ｎｍ以下である、工程；並びに前記中間膜が、酸化雰囲気、特に空気に、直接、接する際に、前記中間膜の表面の少なくとも一部が熱処理を用いて酸化される工程であって、前記熱処理の際の前記基板の温度は１５０℃を超えない、工程、を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】放射率を増加させた放射体とその製造方法を提供する。
【解決手段】全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティングを有する放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】透明性、日射遮蔽性、意匠性（反射色が青系色）を満足させることが可能な透明積層フィルムを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、第１金属薄膜、金属酸化物薄膜、第２金属薄膜がこの順に積層された積層構造を有し、上記第１金属薄膜および上記第２金属薄膜の膜厚が、６．０ｎｍ〜９．０ｎｍの範囲内、上記金属酸化物薄膜の膜厚が、７０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲内にある透明積層フィルムとする。第１金属薄膜および／または第２金属薄膜の少なくとも一方面には、さらに金属酸化物より主に構成されるバリア薄膜が形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い光触媒特性を有する光触媒酸化チタン薄膜を、低温で高速且つ安価に提供する。
【解決手段】ガラスやプラスチックなどの基体の表面に形成された非晶質金属化合物薄膜からなるシード層と、該シード層上に柱状に成長して形成された結晶質金属化合物薄膜とからなり、この薄膜の作成に当たり、スパッタ法によって活性ガスのプラズマによる前処理又は後処理、更には加熱処理を行なうことなく、低温且つ高速の成膜によって光触媒酸化チタン薄膜を安価に作成する。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性の良好な層を形成できる光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】光学基材の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成する工程と、チタン、ニオブ、チタンの酸化物およびニオブの酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１つの組成をイオンアシスト蒸着することにより、第１の層の表層の少なくとも一部を低抵抗化する工程とを有する光学物品の製造方法を提供する。チタン−ニオブ系でありながら高温プロセスを用いずに表面の電気抵抗を下げることができ、また、高価なインジウムを用いずに表面の電気抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】非鉛系の圧電性薄膜を用いて、高性能かつ高信頼の圧電性薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、接着層２と、下部電極３と、配向制御層である下地層６と、スパッタリング法によって成膜された（Ｎａ_xＫ_yＬｉ_z）ＮｂＯ₃（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電性薄膜４と上部電極５を有し、圧電性薄膜４の内部応力の絶対値が１．６ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気に対するバリア性が高く、静電気障害を防止することができ、且つ、使用後においては焼却処理が可能で残滓が少ない電子部品の包装に使用する積層包装材料に適したガスバリア性帯電防止粘着フィルムを提供する。
【解決手段】 本発明に係るガスバリア性帯電防止粘着フィルムは、粘着剤層、ガスバリア性の積層フィルム、帯電防止層からなり、前記ガスバリア性の積層フィルムは、プラスチック材料からなる基材フィルムの片面に、透明ガスバリア層、ガスバリア性塗布膜、半透明金属薄膜層を積層し、さらに、ガスバリア性塗布膜と半透明金属薄膜層の間には、強密着処理層を設けた構成を基本構成としており、ガスバリア性塗布膜と半透明金属薄膜層とを直接積層するだけでは得られなかったガスバリア性の向上を生じさせるものである。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ簡単で、精度の良いマスクの位置合わせが可能なマイクロコンポーネントの製造方法を提供する。
【解決手段】例えばマイクロバッテリであるマイクロコンポーネントは、基板上に少なくとも２つの重ねられた層を持つ積層体を有し、温度の影響下で拡張可能な単一のスチールマスク６を用いて形成される。マスク６は、少なくとも１つの中心から外れた開口７を有する。マスクが第１の温度（Ｔ１）の時、マスク６ａの開口７ａを介して第１の層が堆積される。マスクが、前記第１の温度（Ｔ１）より高い第２の温度（Ｔ２）の時、マスク６ｂの開口７ｂを介して第２の層が堆積される。最後に、マスクが前記第２の温度（Ｔ２）より高い第３の温度（Ｔ３）の時、マスク６ｃの開口７ｃを介して第３の層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】エアー溜まりの発生を良好に防止できるとともに、膜剥離の発生を抑制でき、耐久性に優れた金型の製造方法を提供する。
【解決手段】基材に、所定の形状を有する成形面を形成し、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜した後、被覆層の表面をエッチングにより粗面化する。被覆層は、基材を基材保持部で保持し、所定の回転軸で基材保持部を回転させるとともに、スパッタターゲットの表面の法線と回転軸との間の角度が時間的に変化するようにスパッタターゲットと基材保持部の相対位置を変化させながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極に関するもの又は接合工程を有する半導体装置の作製方法に関し、（１）Ａｌ電極を用いることにより高抵抗になること、（２）ＡｌとＳｉとが合金を形成すること、（３）スパッタ法により形成する膜が高抵抗になること、（４）接合工程では、それぞれの面の表面に凹凸が大きいと接合不良が生じること、が課題である。
【解決手段】金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。Ｃｕメッキ膜と金属基板又は金属膜とを接合する際に熱圧着法を用いる。 （もっと読む）

【課題】インライン方式の成膜装置において、各層を成膜する間の時間に、チャンバー内で各層の表面が劣化（酸化）する。各層にダメージを与えることなく生じた劣化を解消し、効果的に性質を向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供。
【解決手段】基板上に複数の層を積層してなる磁気記録媒体の製造方法において、成膜装置を用いて、基板上に複数の層のいずれかを成膜し、成膜を行わずに基板にバイアスを印加し、基板上に次の層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】プロセス設備が簡単になるだけでなく、相対的に、低温且つ低コストになり、また、大量生産に適合し、環境保護的な塩素（Ｃｌ）無しのものを適用でき、また、環境に親しく、電子材料業界に適合する新規金属窒素酸化物プロセスを提供する。
【解決手段】アンモニア液（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水（Ｈ_２Ｏ）を混合した溶液を利用して、その体積比例が、１：１：１〜１００の範囲にあって、エッチングしてからなる構造である新規金属窒素酸化物プロセスであって、溶液エッチングにより、基板表面の保護薄膜を除去すた後、下方にあるチタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と、反応させて、アニール（Ａｎｎｅａｌ）することにより、基板表面にチタンオキシナイやタンタルオキシナイ或いはジルコニウムオキシナイ（ＴｉＯＮ、ＴａＯＮ、ＺｒＯＮ）の薄膜が沈積される構造体である。その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 （もっと読む）