【課題】１つの真空チャンバで複数の異種の基板に膜を形成することができると共に、高品質な半導体デバイスを生産できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気系およびガス導入系と接続された真空チャンバ（１０７）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ａ）と接続された第１スパッタリングカソード（３０３ａ）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ｂ）と接続された第２スパッタリングカソード（３０３ｂ）と、基板（８）が載置される基板ホルダ（１３１）と、基板（８）に高周波電圧を印加して基板（８）を逆スパッタ（Ｓ１２）する高周波電源（１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを提供する。
【解決手段】シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータ及び、基板をコータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムであり、基板移送システムは、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、ギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２を保持するバッキングプレート１を製造する方法において、前記バッキングプレート１表面の前記スパッタリングターゲットが接合される領域以外、すなわち、外周部１ａ及び側周面１ｂの少なくとも一部を、レーザ加工により凹凸を形成して粗面化する工程を経る。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】装置のダウンタイムを低減し生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な金属材料供給手段と、成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材１３０と、を備える。金属材料供給手段は、化学反応により回転陰極１８の表面にターゲット材料として成膜される原料を外部から供給可能な原料供給路２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】４μｍ以上に厚膜化した２層以上の硬質皮膜における圧縮応力を低減し、密着強度を確保し耐摩耗性に優れた硬質皮膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金基材側の硬質皮膜層１および表面側の硬質皮膜層２を有し、硬質皮膜層１の組成は（Ａｌ_ａＣｒ_１−ａ）_１−ｘＮ_ｘ（元素の含有量は原子比であり、０．５≦ａ＜０．７、および０．４８≦ｘ≦０．５２である。）で表され、Ｘ線回折における（１１１）面のピーク強度Ｉｒ、（２００）面のピーク強度Ｉｓとしたとき、０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１であり、硬質皮膜層２の組成は、（Ｔｉ_１−ｂＳｉ_ｂ）_１−ｙＮ_ｙ（元素の含有量は原子比であり、０．０１≦ｂ≦０．１５、および０．４８≦ｙ≦０．５２である。）で表され、Ｘ線回折における（１１１）面のピーク強度Ｉｕ、（２００）面のピーク強度Ｉｖとしたとき、０．３≦Ｉｖ／Ｉｕ＜１であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。
【解決手段】ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。これにより、Ｃｕシード膜９ａを電極として電界メッキ法によりＣｕ膜９を形成した際に、配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２内に空隙が形成されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】放電容量を高める等の蓄電装置の性能を向上させることが可能な蓄電装置の作製方法を提供する。また、蓄電装置等に用いることで性能を向上させることが可能な半導体領域の形成方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを含む原料ガスの供給を停止した後、結晶性半導体領域を加熱処理する結晶性半導体領域の形成方法である。また、当該結晶性半導体領域を蓄電装置の活物質層として用いる蓄電装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電体の配向性が高い圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電素子の製造方法は、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンを主成分とする圧電体を含む圧電素子の製造方法であって、第１電極を形成する第１電極形成工程と、第１電極の上方に、前駆体を塗布する塗布工程と、前駆体を、１５０℃以上２００℃以下の温度で熱処理する第１熱処理工程と、第１熱処理工程の後に、前駆体を、３５０℃以上４５０℃以下の温度で熱処理する第２熱処理工程と、第２熱処理工程の後に、前駆体を焼成することにより結晶化させて、圧電体を形成する焼成工程と、圧電体の上方に、第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プレス成形において、曇りのない光学素子を得ることができ、歩留まりの向上、生産性の向上に寄与する光学素子の成形方法を提供する。
【解決手段】光学素子の成形面とされた一対の上型２及び下型３の成形面に、耐熱性及び易酸化性を有する保護膜６が形成された光学素子用成形型に、ビスマス系のガラス素材を収容し、光学素子用成形型を加熱してガラス素材を軟化させる加熱工程と、軟化したガラス素材を、プレス手段を用いて光学素子用成形型により加圧して光学素子形状を付与するプレス工程と、プレス工程後、光学素子用成形型を冷却し、光学素子形状を付与したガラス素材を固化させる冷却工程と、を有する光学素子の成形方法。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】安定した特性と高い強度を確保して振動子の振動特性を調整する。
【解決手段】本発明に係る振動型ジャイロセンサは、一方の面に圧電膜、駆動電極、一対の検出電極、及び配線接続端子が形成された振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装されるランドが形成された支持基板とを備える。前記振動型ジャイロセンサ素子は片持ち梁状の振動子部を有し、前記一方の面側を前記支持基板側に向けて実装されているとともに、前記一方の面以外の領域を、前記振動子部の振動特性調整用の凹部が形成された被加工領域としている。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面全体に均一厚さのＰＶＤ皮膜を形成することができるようにする。
【解決手段】真空チャンバ１内に蒸着源２及びこれと一定の位置関係に保持された処理容器３を配置して、処理容器３内において微粒子にこれを運動させつつＰＶＤ皮膜を形成するようにした微粒子の皮膜形成方法において、処理容器３を、これが回転盤６の外周部に複数のバケット７を周方向に並列配置してなるものとして、回転盤表面６ａの水平面１２に対する角度αが１°〜７５°となる傾斜状態で回転盤表面６ａに直交する軸線１４回りで一定方向Ｒに回転させることにより、上方へと回行したバケット７から回転盤表面６ａ上に放出された微粒子が当該表面６ａ上を転動しつつ流下して下方に位置するバケット７に流入するようにして、微粒子に、これが回転盤表面６ａ上を転動，流下する間において、PVD皮膜を形成するようにする。 （もっと読む）