【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子１は、基板２と、基板２上に形成されたＰｔ又はＰｔを主成分とする合金からなる第１の下部電極層４と、第１の下部電極層４上に形成されたＴｉ、Ｃｒ若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第２の下部電極層５と、第２の下部電極層５上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜７と、圧電膜７上に形成された上部電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】採光性を確保しつつ日射遮蔽性を高めることが可能な網入り窓ガラスの日射調整方法を提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムよりなるスクリーン基材１４と、スクリーン基材１４の少なくとも一方面に接着された透明積層フィルム１２と、を備え、透明積層フィルム１２が透明高分子フィルムよりなるフィルム基材１６の少なくとも一方面に日射遮蔽性を有する積層構造部１８を備えた構成の透明ロールスクリーンのシート材１０，３０を、網入り窓ガラス４０に対し、室内側のガラス面から１〜３００ｍｍの範囲内で離して室内側のガラス面に沿って室内側に配置する。 （もっと読む）

【課題】必要に応じて日射調整することが可能であり、採光性を確保しつつ日射遮蔽性に優れる透明ロールスクリーンを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムよりなるスクリーン基材１４と、スクリーン基材１４の少なくとも一方面に接着された透明積層フィルム１２と、を備え、透明積層フィルム１２が、透明高分子フィルムよりなるフィルム基材１６の少なくとも一方面に日射遮蔽性を有する積層構造部１８を備えた構成であり、可視光透過率６５％以上、日射遮蔽係数０．６９以下、可視光反射率１０％以下、ヘイズ２．０以下に設定されたシート材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどに用いられるシャッター羽根または絞り羽根や、カメラ付き携帯電話や車載モニターのレンズユニット内の固定絞りや、液晶プロジェクタの光量調整モジュールの絞り羽根などの光学機器部品として用いられ、耐熱性、高遮光性、低反射性に優れた耐熱遮光フィルムを提供する。
【解決手段】２００℃以上の耐熱性を有する樹脂フィルム基材（Ａ）の片面もしくは両面に、スパッタリング法で形成された５０ｎｍ以上の膜厚を有する金属遮光膜（Ｂ）と、５ｎｍ以上の低反射性の金属酸化物膜（Ｄ）が積層された耐熱遮光フィルムにおいて、金属遮光膜（Ｂ）と金属酸化物膜（Ｄ）の間に１〜５０ｎｍの膜厚を有する酸化防止膜（Ｃ）がスパッタリング法で形成されている耐熱遮光フィルムにより提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも１つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が３μｍ以下で、かつ、アスペクト比が１以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第１の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第２の電極と、前記第２の電極の外側に配置されて当該第２の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にＮｅを含む処理ガスを導入し、前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第２の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子線描画法を用い、任意領域に、任意形状にて高規則性陽極酸化アルミナ膜及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
Ａｌ薄膜上のＳｉＯ_２保護層表面に細孔の発生起点をあらかじめ電子線描画により定めた所定の形態に高規則に配列することにより、細孔径、細孔間隔、縦、横、深さ方向の規則性を制御することを特徴とする陽極酸化アルミナ膜の製造方法、及びその方法により製造された陽極酸化アルミナ膜。得られた陽極酸化アルミナ膜は機能性デバイス及び半導体デバイス上絶縁体を作製するための材料として使用できる。 （もっと読む）

【課題】リークパスの発生を抑制し、耐電圧特性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】Ｐｔ下部電極層４上に第１の比誘電率を有する第１のＰＺＴ圧電体層５Ａをアーク放電反応性イオンプレーティング（ＡＤＲＩＰ）法により形成し、第１のＰＺＴ圧電体層５Ａ上に第１の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第２のＰＺＴ圧電体層５ＢをＡＤＲＩＰ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体膜中にｐ型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、ｎ型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、ｐ型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内ばらつきを抑制でき、圧電特性に優れ、高品質な圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電膜付き基板１０は、平面視にて円形を有し、直径が４インチ以上の基板３と、前記基板３上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電材料を用いて構成される圧電膜１とを備え、前記圧電膜１が、０．３μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有し、前記圧電膜１の面内における前記圧電膜１の膜厚の標準偏差と前記膜厚の平均値とが、標準偏差／平均値≦０．０３の関係式を満たす。 （もっと読む）

【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング（ADRIP）法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZr_xTi_1-xO₃の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ２を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具３において、ヤトイ治具３の内周側の先端部に庇状の段差部３ａが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具３の段差部３ｂ上にはウエハ２が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具３の段差部３ｃ上には、その下面がウエハ２の上面にと当接してウエハ２を自重で固定するための蓋４が搭載されている。段差部３ｃ上に搭載された蓋４の下面は、段差部３ｂ上に搭載されたウエハ２の上面を多少押圧する段差部３ｂ、３ｃの段差高さ関係を有している。 （もっと読む）

【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、被処理体３０６と接する電極３０１に第１のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体３０６の上にＴｉＮｘからなる第１のバリア層４０４を成膜する手順と、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、電極３０１に第１のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第２のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第１のバリア層の上にＴｉＮｘからなる第２のバリア層４０５を成膜する手順と、第２のバリア層４０５の上に、Ｔｉからなる第３のバリア層４０９を成膜する手順と、第３のバリア層４０９の上に低融点金属４０６を充填する手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐付着性に優れる被覆金型およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に硬質皮膜を被覆した金型であって硬質皮膜はその金型基材側に被覆したＴｉまたはＴｉの窒化物、炭化物、炭窒化物の何れかからなるａ層と、金型表面側に被覆したＡｌ_ｘＣｒ_ｙＳｉ_ｚの窒化物（但し、ｘ、ｙ、ｚは原子比、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｘ＞ｙ、３≦ｚ＜２０）からなり硬度が３５ＧＰａ以上であるｂ層と、ａ層とｂ層の間に配置され、ａ層側からｂ層側に向かってＴｉ比率が減少するＴｉと、前記ａ層側から前記ｂ層側に向かって前記ｂ層のＳｉ比率に近づくように増加するＳｉとを含むＡｌ_ｖＣｒ_ｗの窒化物（但し、ｖ、ｗは原子比、ｖ＞ｗ）からなる中間層とを有し、
表面粗さがＲａ０．１μｍ以下、Ｒｚ０．８μｍ以下、ロックウエルを用いて押圧した場合に、圧痕の外周から径方向に生ずる剥離における最大サイズが５０μｍ以下である耐付着性に優れる被覆金型。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層ＢＭは、処理対象物Ｗを一方の導電層ＣＬ１を有するものとし、この処理対象物と、例えばＴｉ製のターゲット２とを真空処理室１ａ内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第１金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第１金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成してなる。 （もっと読む）