【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

１０μｍ以下のサイズを有する粒子を製造するための、高い生産速度の、プラズマ・スパッタリング・プロセスが開示される。このプロセスは、スパッタされたターゲット原子の少なくとも一部をイオン化させ、グレインの表面での、イオン化されスパッタされたターゲット原子の、ピックアップ可能性が高いようなパラメータで、実行される。 （もっと読む）

【課題】貴金属部品のゲルマニウム含有真空めっき法の提供。
【解決手段】本貴金属部品のゲルマニウム含有真空めっき法は、（一）部品加工、（二）表層処理、（三）ゲルマニウムめっき処理、（四）チタンめっき処理、（五）気化処理、（六）製品組立の工程を少なくとも包含し、これにより大幅に環境汚染を低減し、並びに貴金属にゲルマニウム及びチタン元素の処理効果を具備させると共に、該ゲルマニウム及びチタン元素の物理特性を利用し、使用者の身体健康の向上を促進し、及び貴金属製品の付加価値と適用範囲を増加する。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム照射を安定的且つ継続的に稼働させることで、装置の稼働率を上昇させ、生産性の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオンビームをターゲットに照射するイオン源と、該イオン源を駆動させる電源と、該電源に設けられる過電流保護部５９とを有する基板処理装置であって、該過電流保護部は過電流設定値を設定可能な過電流設定値設定部６２と、該過電流設定値設定部に設定された過電流設定値以上の電流値であれば過電流状態であると判断する過電流値判断部６３と、過電流状態が継続する許容時間を設定可能な過電流許容時間設定部６４と、該過電流許容時間設定部に設定された過電流許容時間の経過を判断する過電流許容時間経過判断部６５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】エンジン部品等の高負荷条件で使用可能な良好な耐摩耗性を備えた水素含有非晶質硬質炭素被覆部材を提供する。また、高負荷条件での使用においても耐摩耗性に優れた水素含有非晶質硬質炭素被覆部材の製造方法を提供する。
【解決手段】比較的平滑な表面が得られる水素含有非晶質炭素被膜において、この水素含有非晶質炭素被膜中に同じ非晶質の炭素微粒子を分散して、平滑な表面と被膜全体の硬度を維持したまま耐欠け性を向上させる。具体的には、アーク放電によってアーク式蒸発源の炭素カソードより放出される微粒子を被膜中に取り込むことによって、水素含有非晶質炭素被膜に同じ非晶質の炭素微粒子を分散する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なく、且つ駆動による圧電定数の劣化が少ない圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、下部電極２と、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３と、上部電極４とを有する圧電薄膜素子において、（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表される前記圧電薄膜３の組成比ｘが０.４≦ｘ≦０.７の範囲であり、Ｘ線回折測定での（００１）面のロッキングカーブの半値幅が０.５°以上２.５°以下の範囲である。 （もっと読む）

【課題】仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６がゲートバルブＧＶ７，ＧＶ８を介して一列に連結され、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６の間で基板２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。仕込み室５と真空成膜室４との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室４と取り出し室６と間のゲートバルブを開放して基板を搬送する際、真空成膜室４の圧力を変動させないように、仕込み室５若しくは取り出し室６の圧力が調整される。 （もっと読む）

【課題】変位量が大きく、且つ信頼性の高い薄膜アクチュエータ、及びインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上に形成され、両端または周縁が基板１０１に固定された下電極膜１０３と、下電極膜１０３の上に形成され、駆動信号により膜面に沿った方向に伸縮する圧電体膜１０４と、圧電体膜１０４の上に形成された上電極膜１０５と、を有する薄膜アクチュエータ１であって、上電極膜１０５は、複数の電極膜から構成され、複数の電極膜のうち、圧電体膜１０４に接する電極膜は、初期応力としての引張応力を有し、圧電体膜１０４に接する電極膜の上層の電極膜は、引張応力よりも小さい初期応力を有している。 （もっと読む）

【課題】加飾層として、絵柄部分と絵柄背景部分の間に明確な段差が形成されていない金属薄膜を有する加飾シートを提供すること、及びそのような加飾シートを簡便な操作によって製造する方法を提供する。
【解決手段】被加飾物に固定可能な加飾層２を基体シート１の表面に有してなる加飾シートであって、該加飾層２は金属薄膜４を有し、該金属薄膜４は絵柄背景又は絵柄５として透明化部分４１を有している、加飾シート。 （もっと読む）

【課題】本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。
【解決手段】本発明は、単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させたシード層上に、凝集現象が起こる金属を蒸着させた中間層を形成した後、熱処理してパターンを形成させ、上記のパターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させたターゲット層を形成することを含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法を採用している。本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】最近の多層メタルスパッタリング成膜プロセスにおいては、従来のマルチチャンバ型の装置に代わって、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型の装置が広く使用されるようになっている。しかし、本願発明者が検討したところによると、このような単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型スパッタリング成膜装置は、磁性メタル膜と非磁性メタル膜を積層形成する場合は、被処理ウエハを別の成膜サイトに移送して成膜する必要があり、スループットを大きく低下させていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】圧電特性のばらつきが少ないチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を効率よく製造する圧電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛のターゲット３を使用し、スパッタ法により基板５の上にチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を製造する圧電体薄膜の製造方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、基板加熱工程で加熱した基板の温度を維持し、スパッタ法により基板の上に成膜する成膜工程と、を有し、基板加熱工程では、基板が所定の温度分布となるように加熱され、成膜工程では、基板と前記ターゲットとで挟まれる空間の、ターゲット面に平行な面の面内で、所定の酸素濃度分布となるように酸素が導入され、基板及び平行な面それぞれへターゲットの面を垂直投影した場合、基板と平行な面との相互に対応する位置における所定の温度分布の増減方向と所定の酸素濃度分布の増減方向とは同じ方向である。 （もっと読む）

【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ＡｒおよびＯ_２雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を０．３以上１．８Ｐａ以下、かつＯ_２／Ａｒガス混合比を０．００２以上、かつ酸素分圧を３．０×１０^−３Ｐａ以上として成膜する。 （もっと読む）

前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも１つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 （もっと読む）

【課題】エアー溜まり痕の残存を良好に防止できるとともに、被覆層の剥離を抑制でき、耐久性に優れた成形型の製造方法を提供する。また、エアー溜まり痕のないガラスゴブ及びガラス成形体を低コストで安定的に製造することができるガラスゴブ及びガラス成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】成形型の基材に所定の形状を有する成形面を形成する工程と、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜する工程とを有する。被覆層の成膜は、成膜中にプロセスガスのイオンの一部が成形面に衝突することによって成形面の算術平均粗さ（Ｒａ）が成膜前よりも増大するように選択されたバイアス電圧を基材に印加した状態で行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板の冷却効果及び、加熱効率を高めた、省スペースのロードロック室を提供する。
【解決手段】 ロードロック室は、未処理基板を搬入し、処理基板を搬入するロードロック室であって、ロードロック室内部の上方に設けられた基板加熱手段と、ロードロック室内部であって、かつ基板加熱手段の下方に対向配置された、基板冷却手段と、ロードロック室を区画するように設けられ、基板加熱手段に接近可能な第１ステージと、第１ステージに設けられ、基板を支持する複数の第１ピンと、基板冷却手段を備えた第２ステージと、前記第２ステージに設けられ、基板を支持する複数の第２ピンと、を備え、基板加熱手段によって基板を加熱する際には、第１ピンは第１ステージ内に収納されず、基板冷却手段によって基板を冷却する際には、第２ピンは第２ステージ内に収納されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

【課題】車両用カーテン等の原材料として有利に用いられ得る、電波低反射性に優れた遮熱シートを提供する。
【解決手段】遮熱性と安全性（外部視認性）の観点から、遮光率が５０〜８０％の樹脂製網状シートを用い、被覆層との密着性向上のためにシートの表面処理を行った後、その少なくとも一方の面に、気相堆積法に従い、チタン、ケイ素又は銅のいずれかの膜を３〜４５μｇ／ｃｍ²付着せしめることにより、目的とする電波低反射性に優れた遮熱シートを得た。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
（もっと読む）