金属間バリウムアルミニウム化合物、バリウムアルミニウム合金、又は保護されたバリウム金属を含む、１又は２以上の供給源材料を提供すること、活性剤種を提供すること、硫黄含有雰囲気中で、１又は２以上の供給源材料及び前記活性剤種を、選択された基板上の発光体組成物として作用させること、を含む、チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法である。この方法は、ＴＶの応用で要求されている高輝度及び色とともに青色薄膜エレクトロルミネセント発光体の堆積を可能にする。 （もっと読む）

本発明は、従来技術で得られなかった相対密度９９．５％以上（ポアの体積率が０．５％以下）で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。
また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。
タングステン系粉末に、圧力は３５０ＭＰａ以上にてＣＩＰ処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度１６００℃以上、保持時間５時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中１５０ＭＰａ以上、１９００℃以上の条件でＨＩＰ処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。
また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。 （もっと読む）

無限に変更可能な物理気相成長マトリックスシステムは、多数の材料を同時堆積することによって、又は多数の触媒成分を次々に層状に堆積することによって、或いはその両方によって、多数の組み合わせの触媒サンプルを概ね同時に合成できるようにし、それによって、所定の応用形態のために最適な材料混合物を後の試験において実験的に決定することができるようにする。指定された反応及び装置において利用するための最適な触媒の組み合わせの発見が容易になる。高スループットシステムによって、組み合わせの触媒材料を配合し、試験するために通常必要とされる処理時間が短縮され、その方法が簡単になる。

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金属プレート、並びにスパッタリングターゲット、を作る方法が記載される。さらに、本発明のプロセスで作られた製品がさらに記述される。本発明は好ましくは、金属製品の表面の大理石模様を減少させた又は最小にしたいろいろな利点がある製品を提供する。
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本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ_１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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複数のスパッタターゲットを形成するよう分割するのに十分な寸法を有するバルブ金属のミル成形体を製造する方法が記載される。本方法は、約１００μｍ以下の好ましい平均粒度及び／又は組織バンドの実質的にない組織を有するミル成形体を形成するためのインゴットの多方向変形を含む。
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【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体１と、該非磁性基体１上に金属下地層２を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層３とを備える磁気記録媒体１０において、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上であり、かつ異方性磁界Ｈｋ^grainが１００００（Ｏｅ）以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層２および／または強磁性金属層３が、到達真空度１０^-9Ｔｏｒｒ台の成膜室において、不純物濃度１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高保磁力で、熱揺らぎの影響を受けにくく、かつ大幅なＳ／Ｎ比の改善をもたらす磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板上に少なくとも、下地層及び磁性層を順次積層してなる磁気記録媒体において、前記下地層と前記基板との間にプリコート層を介在させ、前記プリコート層がＮｉとＰとを含む下層と、Ｃｒ合金からなる上層とを順次積層することにより構成されることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し、且つ工数を減少し、さらに製品のばらつきを無くして安定した精度の高いものにでき、その上ダウンサイジング化が可能な電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給してスパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後、所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とする電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法。 （もっと読む）