【課題】スパッタ中にパーティクル発生の少ないエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、酸素：１．５質量％以下を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有するターゲットであって、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ_４金属間化合物相とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物相からなりかつＥｕは前記ＢａＡｌ_４金属間化合物とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにそれぞれ固溶している金属間化合物相である。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された密着層２と、該密着層２上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層３と、該軟磁性裏打ち層３上に形成された非磁性下地層４と、該非磁性下地層４上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層５と、該第一の強磁性層５上に形成された第二の強磁性層９とからなり、第一の強磁性層５上の少なくとも一部に非金属膜８が形成されている垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】 Ｔｉ合金を用いることにより被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させることができるバリヤ層を提供する。
【解決手段】被処理体２の表面に絶縁層６と導電層１２とを形成する際に前記絶縁層と前記導電層との間に介在されるバリヤ層１０において、このバリヤ層は、Ｔｉ（チタン）金属よりなる母材に、遷移金属群より選択された１又は２以上の金属を混合してなるＴｉ合金膜８８を含むように構成する。これにより、被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー磁性層内の強磁性微粒子の酸化を低減し、磁気特性の劣化を抑制することで、高密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体、このような垂直磁気記録媒体を製造するのに好適なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】基板１上に少なくとも磁気記録層６を備えた垂直磁気記録媒体の前記磁気記録層を成膜する際に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは強磁性材料と金属酸化物とからなり、その金属酸化物はその金属酸化物中に含まれる酸素の原子数が化学量論比よりも小さくなるようにした。また、このような磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により上記磁気記録層を成膜することにより垂直磁気記録媒体を得る。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁気記録層を備えた磁気記録媒体の表面粗さを低くして、低浮上量化および高記録密度化を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体１の非磁性ガラス基板として表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層５を、ＣｏＣｒＰｔ合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−８００ｋＪ／ｍｏｌより大きなＴａ₂Ｏ₅を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体１の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下の磁気記録媒体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁性層の結晶配向性を改善して、高記録密度化を達成可能な高Ｓ／Ｎ比の垂直磁気記録媒体を製造すること。
【解決手段】ガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された六方晶金属を含む下地層５と、この下地層５上に形成され、六方晶金属を含む柱状の磁性結晶粒子および、酸化物を含み磁性結晶粒子を区画する粒界部を有する磁性層６とを含む垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、加熱された下地層５の上に磁性層６を成膜することを特徴としている。六方晶下地層が熱処理を受けていることにより、下地層５の垂直配向性が向上しているので、六方晶下地層（０００２）面のΔθ５０（結晶配向の程度を示す指標）は狭くなり、六方晶下地層の少なくとも六方晶磁性結晶粒子との境界部分についての膜応力を緩和することができ、大きな内部応力の発生を伴うことなく、磁性層６、下地層５を成膜でき、それらの結晶配向性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】成膜時の温度上昇による熱膨張に起因する基材シートのしわの発生を抑制しうる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、真空蒸着を行うためにリチウム等の蒸気を生成する気体粒子生成部１３と、気体粒子が堆積される基材シート３１を移動可能に支持する搬送支持部材であるキャンロール３３と、気体粒子の飛来を制限する防着板３６と、基材シート３１がキャンロール３３に接触する前に基材シート３１を加熱するランプヒータ４０とを備えている。基材シート３１が気体粒子や気体粒子生成部１３の加熱機構によって加熱される前に、ランプヒータ４０で基材シート３１を加熱して熱膨張させることで、キャンロール３３上における基材シート３１のしわの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材にＤＬＣ層Ｄが被覆されている。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。母材のうちＤＬＣ層Ｄが被覆されている部分は、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上０．２μｍ以下とされている。 （もっと読む）

【課題】合金を成膜対象物に注入可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、第一、第二の放出源３ａ、３ｂを有しており、第一、第二の放出源３ａ、３ｂの磁界形成手段２０ａ、２０ｂはＮ極が左側、Ｓ極が右側にそれぞれ位置し、アノード電極３２ａ、３２ｂの各開口３９ａ、３９ｂから放出された電子は、同じ方向に飛行方向が曲げられる。基板ホルダ７は各開口３９ａ、３９ｂから放出され、飛行方向が曲げられた電子が到達する位置にあるので、基板ホルダ７近傍に電子雲が形成され、各開口３９ａ、３９ｂから放出された正の微小荷電粒子は電子雲に引き付けられて基板１１表面に到達する。 （もっと読む）

【課題】適正な反射特性を有する鉛フリー半田合金膜を樹脂製の基板に形成可能な真空成膜方法および真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空成膜方法は、真空槽１６内の基板ホルダ１０に樹脂製の基板１０ａを配置し、真空槽１６内の材料ホルダ１１に、鉛フリー半田を配置し、その後、真空槽１６内を減圧し、鉛フリー半田からなるアイランド状の合金膜を基板１０ａに形成する際に、合金膜の反射特性を合金膜の膜厚に基づき調整する方法である。 （もっと読む）

【課題】
低レーザパワーでもマーキング性が優れた、再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜、再生専用光情報記録媒体および再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】再生専用光ディスク１に設けられるＢＣＡマーク１６の反射膜の組成をＮｉ、Ｃｏの一種または二種を特定量含有するＳｎ合金として、反射率や耐環境性の基本特性に優れるとともに、低レーザパワーでもマ−キングが可能なＢＣＡマークとする。 （もっと読む）

第１金属を含有する少なくとも部分的な金属表面を有する金属品を、所定の濡れ性を有する表面で被覆する方法であって、以下のステップ：（ａ）金属品の少なくとも一部を、第２金属の層で被覆して、金属−金属接合面を提供すること、該表面はステップ（ａ）の前に、またはステップ（ａ）のために、粗であり；および、（ｂ）ステップ（ａ）の金属−金属接合面を材料に接触させて、所定の濡れ性を有する表面を提供すること、を少なくとも含む、前記方法。第１金属は例えば、鉄、亜鉛、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金からなる群の１種または２種以上であってよい。好ましくは、第２金属を、第１金属の上に、無電解ガルバニック析出を用いて被覆する。被覆金属品の性質は限定されず、これは、本発明の能力が、超疎水性および超親水性の濡れ性を含む所定の濡れ性の、調整された表面を提供することだからである。これにより、本発明は、異なる分野で用いられる広範囲の金属種類に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０２〜２原子％を含有し、さらにＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生のない液晶表示装置用配線および電極、並びにこれらを形成するためのＡｇ：０．１〜１０原子％を含有し、さらにＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．０２〜５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】基板上に、斜方蒸着による蒸着膜の未成膜部分が発生するのを防止し、小型化を図りつつより多くの基板を保持することのできる成膜基板の製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置であって、基板１１を載置可能とする載置面１２を複数有した保持治具本体１３と、基板１１を載置面１２に保持する保持部１４と、を備え、複数の載置面１２は、保持治具本体１３の一端側から他端側にかけて並設されるとともに、水平面に対する高さが並設方向で段階的に高くなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、自動車内外装、家具、建築材料、家電製品などに使用される金属調の各種プラスチック成形品を得るための、熱成形しても初期の金属調の変化が少ない金属調を呈した熱成形加工用の金属調加飾シートを提供する。
【解決手段】本発明の熱成形加工用の金属調加飾シートは、透明な熱可塑性樹脂フィルム２の少なくとも片面に金属蒸着層１を設け、全光線透過率を１０〜５０％とした金属蒸着フィルム４を、着色された熱可塑性樹脂シート５に積層することによって得られる。 （もっと読む）

本発明は、一般に、Cuと、Al、Ag、Co、Cr、Ir、Fe、Mo、Ti、Pd、Ru、Ta、Sc、Hf、Zr、V、Nb、Y、および希土類金属から成るグループから選択される合計で0.001〜10 wt%の一つ以上の合金元素とから成るスパッタリングターゲットを提供する。0.5wt% Alを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径、高い熱安定性および大きなエレクトロマイグレーション抵抗を有しており、必要な薄膜均一性、エレクトロマイグレーションと酸化に対する大きな抵抗、および誘電体中間層への大きな付着力を有する薄膜を形成させることができる。12 ppmのAgを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径を有する。また、本発明は、銅スパッタリングターゲットを製造する方法をも提供する。 （もっと読む）

【課題】微細な磁区と許容範囲内の熱安定比を持ち、高い面密度を有する磁気データ記録層を備える磁気記録媒体及びそのためのスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】磁気データ記録層１０６が、高い磁気異方性定数Ｋｕを有する合金と、酸素と単一元素又は合金のいずれか一方とからなる酸化化合物とを含む。高いＫｕを有するため、約５０〜７０の許容範囲内の熱安定比を維持すると同時に磁気データ記録層の磁区を著しく小さくでき、これにより２００Ｇｂ/ｉｎ²（約３１Ｇｂ/ｃｍ²）より大きな面密度を提供する。更に、そのような磁気データ記録層のスパッタリング用スパッタターゲットを提供する。スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。高いＫｕを有する合金は、少なくとも０．５×１０⁷ｅｒｇ/ｃｍ³（０．５Ｊ/ｃｍ³）の磁気異方性定数を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜の未成膜部分の発生を防止して、小型化を図りつつより多くの基板を保持可能とする成膜基板の製造装置を提供する。
【解決手段】側面に突部１５が設けられた基板１４の表面に斜方成長膜法によって成膜する成膜基板の製造装置は、突部１５を係合する溝部１３を有した保持基材１２を複数備え、保持基材１２を、基板１４の側面方向に対して対向するように配置し、互いに対向する保持基材１２の溝部１３どうしによって、基板１４の突部を保持するとともに、基板１４の被成膜面１４ａよりも保持基材１２の上面１２ａが突出しない形状となっている成膜基板保持治具を備える。 （もっと読む）

【課題】蒸発源と超微粒子生成室と、搬送管と、該ノズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とからなり、蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒子を不活性ガスと共に超微粒子生成室から搬送管によって真空下の膜形成室へ搬送し、ノズルから噴射させて、基板上に超微粒子の膜を形成させるようにし搬送管とノズルとが加熱され、搬送管の入口端より上方に搬送管と同心軸的に該搬送管より大径の吸い込み管が配設され、該吸い込み管と搬送管との間の環状空間が排気装置に接続されているガスデポジション装置において、転写可能なリチウム薄膜を基板上に形成すること。
【解決手段】蒸発源はリチウムまたはリチウム合金の蒸発源であり、基板はフレキシブルで耐熱性のある合成樹脂でなり該基板の表面温度を合成樹脂の軟化点以下の温度に加熱しながら超微粒子のリチウムまたはリチウム合金の膜を形成させるようにした。 （もっと読む）