【課題】蒸着装置により基板上に蛍光体層を蒸着する際に、蒸着時の輻射熱で薄い基板が変形し、蒸着膜が均一に堆積できないという問題がある。これに対して、基板を厚くすると、放射線の吸収が大きくなる等の問題がある。
【解決手段】基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、基板の面上に蛍光体層を形成した後、基板の裏面側をエッチングして、基板の厚さを０．５ｍｍ以下の厚さに作製する放射線用シンチレータプレートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく、除電ユニットからの漏出荷電粒子に起因するフィルムの熱変形を防止することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る巻取式真空成膜（蒸着）装置１０は、冷却用キャンローラ１４と除電ユニット２３の間に、除電ユニット２３からキャンローラ１４へ向かう荷電粒子を捕捉する電荷捕捉体２５を設けることで、除電ユニット２５から漏出した荷電粒子がキャンローラ１４へ到達することを阻止して、キャンローラ１４に印加されたフィルム密着用のバイアス電位の変動を抑止し、フィルム１２に対する静電力を安定に保持する。これにより、フィルム１２とキャンローラ１４の間の密着力が安定に保持されるので、フィルム１２の熱変形が防止されることになる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅合金積層薄膜からなる液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％、Ｏ：０．０２〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲが得られる薄膜積層体としての磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録媒体製造装置、さらにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】成膜用基板を複数のスパッタチャンバ内に順次搬送し、スパッタチャンバ内で、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成する際、スパッタチャンバ内に、複数の成膜用基板を同時に収容し、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、成膜前の待機中の他の成膜用基板を加熱する第１の工程と、成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、前記第１の工程で薄膜を形成した後の成膜用基板を加熱する第２の工程のうち、少なくとも一方を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスタービンエンジン用のタービン動翼又は静翼等の物品を修復又は再生するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】該システムは、堆積チャンバ１０２内で動作可能に位置決めされた第一の陰極１０４及び第二の陰極１０６を含む。第一の陰極１０４は、残存基板の材料と実質的に同じ組成の第一の堆積材料を含む。第二の陰極１０６は、修復／再生した部品上に環境皮膜を形成し得る第二の堆積材料を含む。第一及び第二の陰極は、堆積チャンバ内の真空条件を遮ることなく、連続的に動作させ得る。物品を修復又は再生する方法は、残存基板上に第一の堆積材料の層を堆積させるために第一の陰極１０４を利用する段階と、その後、環境皮膜を付与するために第二の陰極を利用する段階と含む。両堆積では、堆積間に真空条件を中断させることなく、共通の堆積チャンバ１０２を利用する。 （もっと読む）

【課題】最適な構造を有する粒状垂直磁気記録層を得るために改良された中間層を成膜する。
【解決手段】５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも一つの合金化材料とを含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金材料であり、前記合金化材料がレニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されたもので、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されて、ターゲットにされる。 （もっと読む）

【課題】空隙、ミクロ割れ等がなく、機械強度及び機械加工性に優れた、真密度化された高密度のコバルト−タングステン・スパッタリングを製造する。
【解決手段】同じ粒度分布を持つＣｏ粉末とＷ粉末を選択して混合し（ステップ７０１）、混合粉末を容器に詰め、脱ガスし（ステップ７０２）、混合粉末を熱間静水圧圧縮成形で固形物を形成し（ステップ７０３）、最終ターゲット寸法に機械加工する（ステップ７０４）。製造されたコバルト−タングステン・スパッタターゲットは、元素Ｃｏ相及び／又は元素Ｗ相と、ＣｏがＷの原子パーセントより多いＣｏ−Ｗ金属間化合物相と、ＷがＣｏの原子パーセントより多いＷ−Ｃｏ金属間化合物相と、を含み、２０〜８０ａｔ．％のＣｏを含有し、且つ、密度がその理論的最大密度の９９％より高い。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ−ＰＶＤチャンバ内部の溶融プールの一定の相対液面を監視して維持するように設計された、独立したシステムを備えるＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム物理蒸着装置において送り速度を調整する方法は、電子ビーム物理蒸着装置のチャンバ内部の第１の高さにターゲットを位置決めするステップと、電子ビーム物理蒸着装置の電子銃によって生成される電子ビームの中に所定の速度でターゲットを送るステップと、電子のビームでターゲットを蒸発させるステップと、チャンバに近接して配置された光センサを使用してターゲットの少なくとも１つの画像の第１の光強度と第２の光強度の差を測定することによって第１の高さを監視するステップと、第１の高さの変化を求めるステップと、ターゲット送り速度を調整するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｅを不活性ガス中で加熱して固液共存状態になるように溶解し、その中にＣｕを投入してＣｕ−Ｓｅ二元系合金溶湯を作製し、このＣｕ−Ｓｅ二元合金溶湯にＩｎを少量ずつ投入し溶解してＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元系合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元合金溶湯にＧａを投入して温度を上昇させることによりＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを乾式粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの中心部に再堆積された材料物質が、該ターゲットから剥がれて、集積回路に欠陥をもたらさない、再堆積物質を洗浄する装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。該マグネトロンは、異なる特徴のサイズ、強度及び不平衡を有する。該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。該補助マグネトロン６４は、より大きく、弱く、かつより平衡しており、該ターゲットの中心を洗浄し、スパッタ堆積において、スパッタイオンを該ソースマグネトロンからガイドするのに使用される。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層を設けずに基材上に金属を強固に蒸着するとともに、製造工程においてチリやゴミが混入する機会を軽減する金属蒸着加工物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明又は半透明の基材と、前記基材の上層にアンダーコート層を形成することなく直接金属が蒸着された金属蒸着膜とで構成された金属蒸着加工物。好ましくは、金属蒸着加工物は、アクリル等の透明又は半透明のプラスチック材で構成される基材１と、この基材１上にホットスタンプ加工等で模様等を描画して形成される描画層２と、その基材１上に金属を蒸着することにより形成される金属蒸着膜３と、その金属蒸着膜３の保護のためにこの膜３上に形成される内側保護膜４と、金属蒸着加工物全体を外気や水等から保護するためにその内側保護膜４上に形成される外側保護膜５とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】配線間リークの増大や製品歩留まりの低下を引き起こすことなく銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させることで、高信頼性の銅配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅層配線層表面全面に金属酸化膜層１４を形成することにより、配線抵抗の上昇や線間リークの増大、歩留まり低下を引き起こすことなく、配線層表面にのみ銅原子の拡散を抑制する金属酸化物層１４を均一に形成することが可能となり、エレクトロマイグレーション耐性の高い銅配線を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用する高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ：３０〜６０質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成を有するターゲットであって、このターゲットは、Ｇａ：３０質量％を越えて含有し、残部がＣｕからなる高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金粉末に、純銅粉末またはＧａ：１５質量％以下を含み、残部がＣｕからなる低Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金粉末を、Ｇａ：３０〜６０質量％を含有し残部がＣｕからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスして得られＧａ：３０〜６０質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成を有するホットプレス体の表面を切削して製造する。 （もっと読む）

【課題】金属反射膜と前記樹脂層とが直接接触する場合でも、優れた耐湿熱性や耐光性などの耐環境性を長期に亙って維持できる、光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】光情報記録媒体に用いられるＡｇ合金反射膜を、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔｂから選択される特定の元素を含有させて、Ａｇ合金反射膜と樹脂層とが互いに直接接触させた状態での、反射膜側のＡｇが隣接する樹脂層側へ拡散、凝集する劣化モードを抑制して、耐光性と耐湿熱性との耐環境性を向上させるとともに、この高耐環境性を長期に亙って維持させる。 （もっと読む）

【課題】 長期間にわたって優れた硬度および美的外観を保持することができる装飾品を提供すること、および前記装飾品を提供することができる表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の装飾品の表面処理方法は、基材２の少なくとも一部（２ａ）に、窒化処理または浸炭処理による硬化処理を施す工程（２ｂ）と、硬化処理が施された基材２上の少なくとも一部に下地層４０を形成する工程（２ｃ）と、下地層４０上の少なくとも一部にイオンプレーティング法により被膜３０を形成する工程（２ｄ）とを有する。下地層４０は、Ｔｉ、Ｃｒまたはこれらのうち少なくとも１種を含む合金から構成されるものである。また、被膜３０は、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＯ、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮおよびＣｒＯよりなる群から選択される少なくとも１種を含む材料で構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に磁気記録媒体における下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｖ：５〜５０％、Ｂ：０．５〜５％、残部Ｍｏからなり、原料粉末として、平均粒径が２０μｍ以下のＢ粉末を使用し、固化成形をしたことを特徴とするＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。また、上記成形温度１２００〜１４００℃で固化成形したＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。さらに、上記Ｂ粉末の平均粒径を０．５〜２０μｍとしたＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に磁気記録媒体における下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＷＶ系ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｖ：５〜５０％、残部Ｗからなり、原料粉末として平均粒径１５０μｍ以下のＶ粉末と平均粒径１０〜５０μｍのＷ粉末を使用し、１２５０〜１４００℃で固化成形したことを特徴とするＷＶ系ターゲット材の製造方法。また、上記原料粉末としてのＶ粉末の平均粒径を２０〜１５０μｍとすることを特徴とするＷＶ系ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。
【解決手段】排気系３１を接続した真空容器３と、真空容器３内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板１を保持するための基板ホルダー３２と、基板ホルダー３２を回転させるための回転機構３２１と、真空容器３内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソード３３と、真空容器３内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系３７と、を有する磁気抵抗多層膜製造装置を使用し、該アルゴンより原子番号の大きな元素のガスの流量を１０％以上として磁気抵抗多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ中にパーティクル発生の少ないエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、酸素：１．５質量％以下を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有するターゲットであって、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡｌ_４金属間化合物相とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物相からなりかつＥｕは前記ＢａＡｌ_４金属間化合物とＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにそれぞれ固溶している金属間化合物相である。 （もっと読む）