【課題】合金ナノ粒子及び合金薄膜の効率よい作製方法、この方法を実施するための同軸型真空アーク蒸着装置の提供。
【解決手段】少なくとも２つの蒸着源の各トリガ電極と各アノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、異なる金属材料で構成された各カソード電極と各アノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、各アーク放電を同時発生させ、各カソード電極の金属材料から生成するナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、合金ナノ粒子を作製する。トリガ電極とカソード電極とが、絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極が離間して配置されている蒸着源を少なくとも２つ備え、蒸着金属が基板に対して斜入射できるように蒸着源を配置してなり、各トリガ電源にトリガ放電の発生のタイミングをずらすための遅延ユニットが接続されている。 （もっと読む）

【目的】 形成すべき合金薄膜の種類に拘わらず、また合金薄膜を構成する各金属の成分比に拘わらず、高価な合金材料からなるターゲットを予め用意する必要を無くし、低コストで合金薄膜を形成することができるようにした合金薄膜の製造装置及び方法を提供する。
【構成】 第１の種類の金属ターゲットを含む第１のスパッタ部から第１の種類のスパッタ粒子を基板の方向に飛散させると共に、第２の種類の金属ターゲットを含む第２のスパッタ部から第１の種類のスパッタ粒子を基板の方向に飛散させることにより、前記互いに異なる種類の金属スパッタ粒子を混合させながら前記基板上に堆積させて所望の合金薄膜を形成する方法及びそのための装置である。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜の際に、スプラッシュやパ−ティクルの発生を格段に低減させるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを１０〜７０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材において、スパッタ面の断面ミクロ組織がＭｏ相およびＴｉ相とその相間にＭｏＴｉ固溶体相が存在する金属組織からなり、前記Ｔｉ相を構成するα-Ｔｉの主ピーク強度面（１０１）のＸ線回折ピーク強度をα（１０１）、β-Ｔｉの主ピーク強度面（１１０）のＸ線回折ピーク強度をβ（１１０）とした時、Ｘ線回折ピーク強度比β（１１０）／α（１０１）が１０．０以上であるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、かつ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る燃料電池用金属セパレータ１は、表面が平面の、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材２を用いて製造された燃料電池用金属セパレータであって、金属基材２の表面に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜３と、この耐酸性金属皮膜３の上にＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属、および、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる導電性合金皮膜４と、を有する構成とした。また、本発明に係る燃料電池用金属セパレータの製造方法は、耐酸性金属皮膜を成膜する工程Ｓ１と、導電性合金皮膜を成膜する工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア特性や繰り返し曲げ密着性を有する、Ｚｎ−Ａｌ合金を用いたガスバリア積層体を提供することである。
【解決手段】薄いフレキスブルなポリイミド類などの結晶性の高分子基材表面に、Ｚｎ：６８〜８８質量％を含む特定組成と厚みが２０μｍ以下である特定膜厚のＺｎ−Ａｌ合金薄膜を設けたガスバリア積層体とし、レトルト食品包装容器用材料などとしての使用中に繰り返しの曲げ変形を受けてもガスバリア性が低下しない特性とする。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を著しく向上させることができる銅積層プラスチックフィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムＷ１上に、少なくとも３層以上の銅メッキ層３ａ〜３ｇからなる銅メッキ積層体３が形成された銅積層プラスチックフィルムであって、この銅メッキ積層体は、銅メッキ層間に境界面３１が形成されるとともに、これらの境界面の上下に位置する各銅メッキ層が互いに一体化されて構成されている。前記プラスチイクフィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。
【解決手段】銅に添加金属を添加した合金膜を、基板表面の層間絶縁膜における凹部の壁面に沿って形成する工程と、次いで、前記添加金属と層間絶縁膜の構成元素との化合物からなるバリア層を形成すると共に余剰の添加金属を合金膜の表面に析出させるために、有機酸、有機酸無水物またはケトン類を含む雰囲気で基板を加熱する工程と、凹部に銅を埋め込む工程と、を含むように半導体装置の製造方法を実施する。有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する無機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】Ｂａを含む合金からなるスパッタリングターゲットであり、不純物として含まれるＳｒ、ＣａおよびＭｇの含有量がいずれも０．１質量％以下である。該スパッタリングターゲットを用いて、Ｈ₂Ｓガス共存下でスパッタリング法により蛍光体膜が得られ、該蛍光体膜は無機ＥＬ素子の無機ＥＬ発光体発光層を形成するのに好適である。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅合金積層薄膜からなる液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％、Ｏ：０．０２〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 保護膜を設ける場合において、反射率を高く維持でき（反射率の低下を有効に防止でき）、また、耐熱性が高い反射膜およびそれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】 本発明の反射膜は、所定の基板２１上に、銀膜または銀合金膜２３が形成され、銀膜または銀合金膜２３上に保護膜としてチタン膜またはチタン合金膜２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】摺動部分に高い加重が加わる２５０〜３００℃の環境下でも使用が可能であり、且つ、高い真空環境を悪化させることが無く、更に、発塵を高度に低減させた摺動部材、摺動部品、及びそれらの製造方法、並びにそれらを用いた磁気記録媒体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、摺動面の表面１１に開口したピット１２を形成し、このピット１２に固体潤滑剤を保持することを特徴とする。前記摺動面は、ステンレス鋼またはアルミニウム合金からなることを特徴とすることができる。 （もっと読む）

【課題】鋳造すべき溶融金属によって表面にクラックやコーティング層の剥離が生じにくく、耐ヒートチェック性に優れたダイカスト金型、およびその表面処理方法を提供する。
【解決手段】溶融金属の鋳造に用いられるダイカスト金型であって、係るダイカスト金型における表面３のうち、少なくともキャビティを含む表面３に被覆され、ＩＶＡ族、ＶＡ族、ＶＩＡ族の少なくとも一種の金属（例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ）またはこれらの合金からなり、マイクロビッカース硬さが１０００Ｈｖ以下で且つ厚みが１〜３０μｍの第１層４と、係る第１層４の表面上に被覆され、ＩＶＡ族、ＶＡ族、ＶＩＡ族の少なくとも一種の金属との炭化物（例えば、ＴｉＣ）、窒化物（例えば、ＴｉＮ）、酸化物（例えば、Ｃｒ_２Ｏ_３）、あるいは炭窒化物（例えば、ＴｉＣＮ）からなる第２層６と、を含む、ダイカスト金型１。 （もっと読む）