【課題】蒸着膜の欠陥を抑えることが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板１１に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置１であって、蒸着材料を収容する坩堝２１と、該坩堝２１を加熱する加熱手段３０と、坩堝２１内の純度の低い蒸着材料から発生する可能性のあるスプラッシュを帯電させ、被処理基板１１に到達する前に捕捉するために、坩堝２１の開口部２９近傍に設けられ帯電された帯電部材４０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない光記録媒体膜形成用Ｔｅ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】（Ｔｅ_ｘＰｄ_ｙ）_ａ（ＴｅＯ_２）_ｂ（但し、原子％で３０≦ｙ≦６０、ｘ＝１００−ｙ、５０≦ｂ≦７０、ａ＝１００−ｂ）からなる成分組成を有する光記録媒体膜形成用Ｔｅ系スパッタリングターゲットにおいて、Ｔｅ：３０〜６０原子％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有するＴｅＰｄ合金相とＴｅＯ_２相とからなる混合相からなり、前記ＴｅＰｄ合金相の平均粒径が５〜１５μｍ、前記ＴｅＯ_２相の平均粒径が５〜１５μｍを有し、かつＴｅＰｄ合金相の平均粒径とＴｅＯ_２相の平均粒径との比：｛（ＴｅＰｄ合金相の平均粒径）／（ＴｅＯ_２相の平均粒径）｝が０．５〜１．５の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材ピース同士を摩擦攪拌接合する際に生じる虞のあった接合不良の発生を低減または解消して、確実に接合されることを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 このスパッタリングターゲット材は、複数枚のターゲット材ピース１（１ａ、１ｂ）同士を突き合わせて当該突き合わせ部を摩擦攪拌接合２により接合して１枚板状に形成してなるスパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の突き合わせ部がそれぞれ、当該ターゲット材ピース１ａ、１ｂの厚さ方向に凹凸した形状で互いに噛み合うように嵌合する噛み合わせ構造３ａ、３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

本発明は、被酸化性金属または被酸化性金属合金または金属酸化物の層を、亜鉛または亜鉛合金で予め被覆された金属ストリップ上に真空中で蒸着すること、被覆された金属ストリップを巻回すること、亜鉛または亜鉛合金層のすべてまたは一部において、被酸化性金属または被酸化性金属合金の拡散によって形成された合金の層を上部に含むコーティングを有するストリップを得るために、巻回された金属ストリップに静的拡散処理を適用することを含む金属ストリップを被覆する方法に関する。本発明は、また、前記方法を実行するための装置に関する。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２層構造のＲｕ下地層において第１の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。上部下地層１５上に、磁性結晶粒１６ａを含んだ磁性層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、１以上の層を含み、該層のうち少なくとも１の層は、結晶構造が正方晶型である化学式Ｎｂ_1-XＶ_XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子比を示し、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．３であり、Ｙは０．１≦Ｙ≦２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むバナジウム含有ニオブ層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】ターゲット割れの発生を抑制することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】金属間化合物域の鋳塊を粉砕して得たＩｎを主成分とする主粉末と、前記主粉末とは異なる成分組成の副粉末を混合、焼結して所定の成分組成となるようにして製造されるスパッタリングターゲットであり、その含有成分中の不可避的不純物であるＳｉ、Ａｌ、Ｆｅの合計含有量が、３００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また、金属間化合物はＩｎと、ＣｏとＮｉから選ばれる１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】金属表面に耐食性や耐磨耗性を有する硬質被膜を効率的に形成できるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロムを主成分とし、けい素を１〜５０原子％含有し、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステンおよびモリブデンから成る群より選択される少なくとも１種の元素を０．１〜３０原子％含有する原料粉末を調製する工程と、得られた原料粉末を真空度が５×１０^−２Ｐａ以下の真空中で脱ガス処理を実施する工程と、脱ガス処理した原料粉末に２０〜３５ＭＰａの加圧力を作用せしめ温度１１００℃〜１５００℃に加熱して焼結し板状の合金ターゲット材を調製する工程とを備えることにより、相対密度が９５．０％以上であり、欠陥の最大幅が０．１ｍｍ以下であり、ビッカース硬度（Ｈｖ０．０５）が１０００以上の硬質被膜を形成するスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ｚｎ：０．０５〜５原子％含有し、さらにＳｉ、Ｔｉ、ＹおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜０．５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能でマイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ガラス或いはガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌの２元素からなる２元合金から構成され、かつ、Ａｌ含有量が５０.０ｗｔ％以下であり、残部が不可避不純物で構成される配線としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築する方法に関し、ライブラリに含まれる個々の材料の組成範囲を任意に設定できる命令セット生成方法を提供する。
【解決手段】マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットの生成方法であって、（ａ）コンピューターが、材料を構成する３つの成分群の堆積速度を入力等されるステップ、（ｂ）コンピューターが、３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図３０において、ライブラリを構築する組成範囲を、三角組成図における所定形状３１の位置及び大きさとして入力されるステップ、及び（ｃ）コンピューターが、三角組成図における所定形状の位置及び大きさ等に基づいて、マスクの移動速度に関する命令セットを生成するステップ、を含む。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための密着性に優れた銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ａｇ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％を含有し、さらに酸素：０．１〜２原子％を含有し、さらに必要に応じて希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成並びに残留応力：−２００〜１００ＭＰａを有する銅合金薄膜からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バルブ金属集電体上にバルブ金属多孔質層が形成された多孔質バルブ金属電極において、密着性が安定した多孔質バルブ金属電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】バルブ金属集電体と、バルブ金属集電体の上に形成されたバルブ金属多孔質層とからなる多孔質バルブ金属電極において、バルブ金属多孔質層を形成するに際して、バルブ金属集電体の側に、空隙率が１〜３０体積％であり、バルブ金属多孔質層の他の部分よりも空隙率が低い低空隙率層を、バルブ金属多孔質層の全体の厚さに対して１／１００〜１／１０の厚さで形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）