【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくい窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末と窒化物粉末との混合粉をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、Ｔｉ及びＡｌからなる金属間化合物を形成させ、さらにＴｉ及びＡｌからなる金属間化合物を含む混合粉を非酸化性雰囲気中で、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度で加熱してＴｉＡｌを含む窒化物を形成させるとともに加圧焼結することにより窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲットを製造する。これにより得られたターゲットは、単体の金属Ａｌが存在せず、組織中にＴｉ_２ＡｌＮ相が分散しているとともに緻密な組織となっているので、製膜時におけるドロップレットの生成を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】配向性改善による媒体特性の向上を図るとともに媒体の保磁力の向上を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも、非晶質の軟磁性層と、下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層の上に、あるいは、該軟磁性層の上に形成した非晶質のシード層の上に、結晶性のシード層を、まずバイアスを印加せずに成膜し、引き続いてバイアスを印加しながら成膜する多段階成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 （もっと読む）

【課題】従来は必須とされてきたシード層を設けなくてもＲｕ下地層の好適な配向制御を可能とし、シード層を省けることで製造工程の短縮、コスト低減を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層を成膜した後、該軟磁性層の上に他の層を介さずに直接、バイアスを印加しながらルテニウム（Ｒｕ）又はその化合物からなる下地層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】
大掛かりな装置を必要とせず、高速かつ低コストで実施できる管体内面への透明導電膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 管体内面への透明導電膜成膜方法は、非酸化金属からなる蒸着物質を管体とほぼ同じ長さにして管体内に挿通する工程と、蒸着物質が挿通された管体を真空チャンバ内に配置する工程と、真空蒸着法あるいはスパッタ法によって管体内面に蒸着物質からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を酸化することで透明導電膜とする工程と含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉから選択される１種または２種以上の元素を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】200℃程度でも高いプロトン伝導性を有し、厚さを数十〜数百ｎｍの範囲にすることができ、かつこの範囲の厚みであってもガスリークがないアモルファス酸化膜、及びこれを用いた電気化学セルを提供する。
【解決手段】アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示すプロトン伝導性膜であり、タングステン系合金の部材の少なくとも一部をアノード酸化して、アノード酸化用の電解液と接する表面にアモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物層を形成し、形成した酸化物層からプロトン伝導性膜が製造される。さらに、プロトン伝導性電解質として、上記のプロトン伝導性膜を用い、アノード、カソードと積層することにより電気化学セルを構成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを照射された時の熱衝撃により破壊を生じないターゲットを提供する。
【解決手段】セラミック粉末で作成された棒の形態を有し、電子ビームを受けて気化するように設計された複合ターゲットで、このターゲットは、ジルコニアと少なくとも１種のジルコニア安定剤を含む。特徴として、前記ジルコニア安定剤が２％〜３０％の範囲にあるモル含有率で存在し、前記ジルコニアが９０％超で単斜晶相から形成される点に特徴がある。電子ビームを受けて気化することにより形成され、熱伝導率が低く熱機械強度が高いセラミック遮熱材を作成するのに応用できる。 （もっと読む）

【課題】電波透過性および鏡面のような金属調光沢を有し、該金属調光沢が失われにくく、かつ低コストである電波透過性装飾部材および該電波透過性装飾部材を効率よく、安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基体１２と、透明有機材料層１６と、基体１２と透明有機材料層１６との間に設けられた、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなる光反射層１４とを有する電波透過性装飾部材１；光反射層１４を、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなるターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成する製造方法。 （もっと読む）

本発明は、基材（１００）の表面に、特に鍛造用の型の表面に、表面コーティングを形成するためのコーティング系（１）に関し、ここで、コーティング系は、（Ｖ_ａＭｅ_ｂＭ_ｃＸ_ｄ）_α（Ｎ_ｕＣ_ｖＯ_ｗ）_βの組成の少なくとも１つの表面コーティングを含み、式中、コーティングに存在する原子Ｖ_ａ、Ｍｅ_ｂ、Ｍ_ｃ、Ｘ_ｄに対して、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝α、α＝１００％であり、コーティングに存在する原子Ｎ、Ｃ、Ｏに対して、（ｕ＋ｖ＋ｗ）＝β、β＝１００％であり、コーティングにおける全原子の合計（α＋β）＝１００原子％であり、ここで、４０≦α≦８０原子％であり、Ｍｅ_ｂは、化学元素の周期律表のＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍからなる化学元素の群からの少なくとも１種の元素であり、Ｍ_ｃは、Ｔｉ、Ｃｒからなる化学元素の群からの少なくとも１種の元素であり、Ｘ_ｄは、化学元素の周期律表のＳ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂからなる化学元素の群からの少なくとも１種の元素であり、式中、０≦ｕ≦１００、０≦ｖ≦１００、及び０≦ｗ≦８０である。本発明によれば、５０≦ａ≦９９、１≦ｂ≦５０、０≦ｃ≦５０、及び０≦ｄ≦２０である。
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【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 （もっと読む）

【課題】銅層形成の下地となるシード層のオーバーハングが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】真空チャンバなどの高真空下の環境を形成するための大掛かりな装置を必要とせず、低コストで透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基板３上に透明導電膜となる金属膜４を不活性気体雰囲気中でスパッタ法により形成する工程と、前記金属膜４を酸化させる工程とを含み、前記金属膜４を形成する工程において不活性気体雰囲気に微量の酸素を添加し、金属膜４を僅かに酸化させることを特徴とする透明導電膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】抗菌性合金コーティングをその上にめっきするためにデバイスの表面に塗布する抗菌性合金コーティング組成物に関する。
【解決手段】抗菌性合金コーティングをその上にめっきするためにデバイスの表面に塗布する抗菌性合金コーティング組成物であって、抗菌材料および合金を含む組成物について説明する。その合金は４つを超える金属元素および少なくとも１つの非金属元素からなる。その抗菌材料は、銅、銀またはその組合せであり、その原子含有割合は全含量の１．７％〜２６．８％である。これらの金属元素は、鉄、コバルト、クロム、ニッケル、アルミニウム、バナジウムおよびチタンからなる群から選択される。その非金属元素はホウ素、酸素および窒素からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。
【解決手段】 金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 基板（７）上に金属合金被膜を蒸着するための真空蒸着設備を提供する。
【解決手段】 この設備は、閉鎖容器の形態の真空室（６）を含む蒸気発生器−混合器を備え、外部環境に対してその中に真空状態を確保するための手段を備え、かつ外部環境に対してなお本質的に封止されていながら、基板（７）の入口及び出口のための手段を備えており、前記閉鎖容器が、基板（７）の表面に向けてかつそれに垂直に音速で金属合金蒸気のジェットを作るように構成された、エジェクター（３）と称される蒸着ヘッドを含み、前記エジェクター（３）が別個の混合装置（１４）と封止連通され、混合装置（１４）が液体形態の異なる金属Ｍ１とＭ２を含む少なくとも二つのるつぼ（１１，１２）にそれぞれ上流でそれ自身連結されており、各るつぼ（１１，１２）が混合器（１４）にそれ自身のパイプ（４，４′）により連結されている。 （もっと読む）