【課題】Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。
【解決手段】極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】高反射率を有すると共に、この高反射率を長期間に亘り維持できる優れた耐久性を示す反射膜積層体を提供すること。
【解決手段】本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、磁性が抑制され、且つ、環境への負荷が抑制されたプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＣｕ−Ｚｎ合金層又はＺｎ層、及び、Ｃｒ層で構成され、該被覆層には、Ｚｎが１５〜７５０μｇ／ｄｍ²、Ｃｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在するプリント配線板用銅箔 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ放電処理の際の、電極表面の誘電体層の劣化や不均一放電、及び回路全体のインピーダンスが高くなることを防ぐことのできる放電用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の放電用電極は、対向する二つの電極を備え、これら電極には、対向側表面に誘電体層が形成され、前記各誘電体層の一方が体積抵抗率１０¹¹Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径１μｍ以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Ｇａとを含む成形体に関する。 （もっと読む）

【課題】緻密な組織を有すると共に、偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金、スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金は、複数の相を含むＣｕ−Ｇａ合金であって、４０重量％以上６０重量％以下のガリウム（Ｇａ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物からなり、Ｇａを８０重量％以上含む偏析相を含み、偏析相の体積の当該Ｃｕ−Ｇａ合金全体の体積に占める割合が１％以下である。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴにおいては、アルミニウム系ソース電極下のアルミニウム拡散バリア・メタル膜として、チタンおよび窒化チタンからなるチタン系バリア・メタル膜が広く使用されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、チタン系バリア・メタル膜を使用すると、ウエハの反りが増大して、ウエハ・ハンドリングが困難となり、ウエハ割れやウエハ欠け等の問題が不可避となることが明らかとなった。この傾向は、最小寸法が０．３５マクロ・メートル以下の製品において特に顕著である。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系メタル層と下層のシリコン系半導体層の間のバリア・メタル層として、タングステン系バリア・メタル膜（ＴｉＷ等のタングステンを主要な成分とする合金膜）をスパッタリング成膜によって形成する際、スパッタリング成膜チャンバの気圧を１．２パスカル以下とするものである。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

本発明は、高い圧力及び高い温度にさらされる、特に燃料噴射システムの構成要素（Ｂ）のための摩耗保護層構造（２０）に関する。この摩耗保護層構造（２０）は、正方晶系に結合されたアモルファス炭素より形成されているか、又は一部が正方晶系に結合されたアモルファス炭素を有する保護層（２１）を有しており、該保護層（２１）と前記構成要素（Ｂ）との間に、チタンを含有する接着促進剤層（２２）を有している。本発明によれば、前記接着促進剤層（２２）が、チタンの他に追加的に少なくとも１つの耐酸化性の元素を含有している。
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【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層、ＳｉＮ_Ｘ保護膜層との密着性に優れる酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金ターゲットを用いてＡｒおよび酸素ガスを導入した雰囲気中でスパッタリングし、酸素含有Ｃｕ合金膜を得ることを特徴とする酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＡｇを０．1〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 （もっと読む）