【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の拡散防止膜として使用するＴｉ−Ｗ膜を形成するためのスパッタリングターゲットをを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｔｉ：５〜２０％、酸素：０．１越え〜１％を含有し、残部がＷおよび不可避不純物からなる組成を有し、前記酸素はチタンの酸化物として素地中に均一分散しているスパッタリング用Ｔｉ−Ｗターゲット。 （もっと読む）

【課題】配線と配線を接続する接続部のバリア膜の構造を最適化し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上の第１層配線Ｍ１上に形成された層間絶縁膜ＴＨ２中に配線溝ＨＭ２およびコンタクトホールＣ２を形成した後、これらの内部にバリア膜ＰＭ２ａを、コンタクトホールＣ２の底部の全周に渡ってコンタクトホールＣ２の底部の中央部から側壁に向かってその膜厚が増加するよう形成し、このバリア膜ＰＭ２ａ上に銅膜（ＰＭ２ｂ、ＰＭ２ｃ）を形成した後、ＣＭＰ法により研磨することにより第２層配線Ｍ２と接続部（プラグ）Ｐ２を形成する。その結果、接続部（プラグ）Ｐ２を介して第２層配線Ｍ２から第１層配線Ｍ１へ流れる電流の幾何学的な最短経路と、電気的に抵抗が最小となるバリア膜ＰＭ２ａの薄い部分が一致せず、電流経路を分散することができ、電子の集中を起こりにくくできる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面が平滑で、ポリイミドとの密着性が良好な表面処理銅箔、およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１））が２．０μｍ以下の銅および銅合金箔において、少なくとも樹脂との接着する面にＦｅもしくはＦｅ合金層を有することを特徴とするプリント配線用銅箔であり、Ｆｅ合金がＮｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｕいずれか１種もしくは２種以上との合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アーカイバル特性と高速でのオーバーライト特性とを両立することができるようにする。
【解決手段】 第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。記録層１４がＳｎ_xＩｎ_yＧａ_zＳｂ_w（但し、３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７、６．８≦ｗ／ｚ≦８．８）により構成される。ｘ、ｙが３≦ｘ≦７、０≦ｙ≦７の範囲から外れると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。ｗ／ｚが６．８未満であると、高速で情報信号の記録を繰り返した場合にオーバーライト特性が低下してしまう。反対にｗ／ｚが８．８を越えると記録マークの形成が困難になる。 （もっと読む）

【課題】多孔質金属板と金属板との間の電気抵抗が小さいろう付けによる多孔質金属板と金属板からなる複合板の製造する方法を提供する。
【解決手段】多孔質金属板と金属板をろう付けして複合板を製造する方法において、前記金属板の表面にろう材をスパッタリングによりスパッタリングろう材層を形成し、ついで、前記多孔質金属板をスパッタリングろう材層を挟んで前記金属板に重ねたのち加熱する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ−Ｗから成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下、Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ以外の重金属元素の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ−Ｗ材である。 （もっと読む）

【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、管状のロール成形された金属帯を含んでなり、管状のロール成形された金属帯の金属層間にろう付け層を有し、該ろう付け層が銅合金からなる、二重壁金属管に関する。本発明により、該銅合金が銅−スズ合金であり、該銅−スズ合金がスズ３〜１２重量％を含んでなる。本発明は、そのような二重壁金属管を形成するための金属帯、およびそのような金属帯を製造するための金属細片、および金属帯および細片を被覆する方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、データ媒体や銀行券や証明書などの重要書証及び／又は包装及び同様なものを、偽造防止や追跡調査できるようにすることを目的とするものであって、対象物にコーティングを施して、このコーティングの発色を介して光学的に容易に識別でき、かつ、一義的に関連づけできるように特性表示するシステムに関する。本発明は、また、この特性表示システムのための、セキュリティエレメント及びセキュリティマーキングにも関するものであり、これらは、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法による蒸着によって製造することができるもので、本発明は、それらの製造方法及びそれらの使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 （もっと読む）

【課題】０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。 （もっと読む）

本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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【課題】 金属部品と同等の強度を有し、且つ軽量な金属樹脂複合部品を提供する。
【解決手段】 樹脂と、該樹脂の架橋助剤となる架橋型多官能モノマーと、前記樹脂中に分散されるトリアジン類で表面処理された金属製フィラーとを配合して混練し、該混練物を金型で成形し、成形後に放射線を照射して前記樹脂を架橋し、該架橋樹脂成形品を１００℃以上で熱処理し、引張強度が１００ＭＰａ以上、比重が３以下とされている。
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Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットであって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあることを特徴とする光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体。スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体を提供する。 （もっと読む）

支持体（１０）上に感光性高分子材料の層（１１）の形成、高分子層の一部に化学的な変性を引き起こすために高分子層の選択的露光、高分子層の上記のようにして露光された部分又は上記のようにして露光されなかった部分の１方のみを溶媒で除き、そうして高分子層内の空洞（１２、１２’・・・）の形成、上記空洞の底部および残りの高分子上に陰極析出によりゲッタ材料の薄い層（１３）の形成、そして支持体表面の上に少なくとも１つのゲッタ材料蒸着層（１３１、１３１’、・・・、２０）を残して、第１溶媒で除かれなかった高分子部分を第２溶媒により除く、各工程を含む小型ゲッタ蒸着層の形成方法が記載される。同様に、本発明はこの方法によって得られた小型ゲッタ蒸着層に関する。
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【課題】コストを抑えながら、メディアのデータ記憶能力を向上させ、正確なデータ位置制御を維持し、かつメディア・データの解像度を向上させるパターンド・メディア・インプリント・マスタを作製する装置、システム、および方法を提供する。
【解決手段】基板１０２および蒸着マスク１１０は、蒸着プロセスの間、基板および蒸着マスクが一体の要素として作用するように、間にあるスペーシング要素１０８によって固定的に取り付けられる。蒸着マスク１１０は、リソグラフィ・プロセスによって生成された複数の開口１１２を包含する。材料は、固有の蒸着角度で配向された１を越える蒸着源３００から、蒸着マスク１１０を介して基板上に蒸着される。従って、得られる基板１０２の蒸着パターンは、蒸着マスク開口１１２の密度よりも高い密度を示す一方で、蒸着パターンの歪みが回避される。 （もっと読む）

【目的】樹脂加工板や樹脂加工ケースの静電破壊対策として有効な非導通金属光沢メッキ及び非導通金属光沢メッキ形成方法を提供する。
【構成】非導通金属光沢メッキは、成膜対象の基板表面に塗布乾燥して形成された第一の樹脂塗膜層と、真空中でスズ又はスズとインジウムを含む合金を加熱して前記基板上の前記第一の樹脂塗膜層の上に真空蒸着してなる極薄膜の金属光沢を有する非導通金属蒸着膜と、前記非導通金属蒸着膜の上に塗布乾燥して形成された第二の樹脂塗膜層と、を有する構成であり、前記非導通金属蒸着膜は前記第一の樹脂塗膜層の上に前記スズ又はスズとインジウムの合金のグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜が止められているので金属光沢を有しながらも非導通となって静電気が表面を通電せず、且つ電磁シールド作用を有しない特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。
【解決手段】遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）