【課題】蒸着パターンの位置ずれを抑え所望の位置に精度よく蒸着を行うことができ、コンパクトで使用しやすい蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】被処理基板上に蒸着源から蒸発した蒸着材料を成膜する蒸着パターンに対応するマスク開口部２２が形成されたチップ２０と、チップ２０を保持する支持基板３０とを有し、チップ２０の一方面を被処理基板に重ね合わせた状態で蒸着に用いられる蒸着用マスク１において、熱遮蔽板４０がマスク開口部２２を遮らないように断熱部材４１を介して支持基板３０の蒸着源の側に配設されている。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、ＰおよびＴｉからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性または導電性を発現する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を含有したダイヤモンドライクカーボン膜を安定して且つ低コストで成膜できる導電性基材の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】プラズマ化した昇華ガス２５を金属元素を含有する蒸着原料に照射して該蒸着原料をイオン化し、且つ、前記プラズマ化した昇華ガスに炭化水素ガス３６を接触させて該炭化水素ガスをイオン化する同時イオン化工程と、前記同時イオン化工程でイオン化した前記蒸着原料イオンと前記炭化水素ガスイオンとを基材上に同時に堆積させて、前記金属元素を含有するダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜工程と、を有する方法とする。同時イオン化工程において、炭化水素ガスのイオン化を、プラズマ化した昇華ガスを蒸着原料に照射する昇華ガス流路で行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】排気可能な真空容器内に、ターゲット１ａ裏面側に平面矩形状のマグネットユニット３を備え、ターゲット１ａの表面でスパッタされたスパッタ粒子により基板保持台５に載置する基板２上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタ粒子が放出される側のターゲット１ａと基板２間に、基板保持台５の面内方向に対して垂直な遮蔽板４を具備した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１の製造方法は、部品本体２の表面にＷおよびＭｏから選ばれる高融点金属からなる溶射膜３を形成する工程と、溶射膜３を還元雰囲気中にて１０７３〜１３７３Ｋの温度で加熱し、溶射膜３の表面に存在する酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備する。脱ガス処理後の溶射膜は、ガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下とされている。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、且つ、低い表面抵抗率を有すると共に、表面平滑性を有していて安価に製造することが可能な、透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】（１）透明樹脂基材２の片面上に、溶剤溶解性の印刷材料を印刷したパターンを、細線メッシュパターン用のネガ型の遮蔽マスク８として形成し、（２）遮蔽マスク８が透明樹脂基材２を覆っている状態で、透明樹脂基材２の上に、スパッタまたは真空蒸着により、金属薄膜９を形成し、（３）遮蔽マスク８を溶剤に溶解させて除去し、金属薄膜５からなる細線メッシュパターンを表出させ、（４）細線メッシュパターンの金属薄膜５が成す凸状部と、金属薄膜５が形成されていない凹状の開口部７の一部または全面に、透明性を有する導電樹脂層６を、前記凸状部が埋没するように被覆し、導電樹脂層６による被覆表面の表面高低差が５０〜４００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｆｅを０．００１０〜０．４質量％と、Ｓｉを０．００１０〜０．５０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体デバイスを生産する方法が提供され、この半導体デバイス（５０）は、基板（３０）と、半導体層（３６、３８）と、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素に隣接する少なくとも１つのメタライゼーション層（５２、７０）とを含み、この方法は、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素の近くに酸素を含む少なくとも１つのメタライゼーション層を形成するステップを含む。
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【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のＮａを含有するＭｏ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径１５μｍ以下のＮａＦ粉末と平均粒径２０μｍ以上のＭｏ粉末との焼結体からなり、ＮａＦを０．１〜８質量％含有し、相対密度９０％以上かつ抗折力が１５０N／ｍｍ²以上であるＭｏ系スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を成膜する際に、マスクやレジスト膜を用いることなく、しかも、簡便な方法により、膜を安価に得ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材１の表面１ａに撥液膜２を形成する工程と、この撥液膜２上に、インクジェット法により、付着エネルギーが低くかつ所定のパターンを有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を含む撥液膜２上に蒸着材料６を堆積し、この蒸着材料６を、樹脂層５の付着エネルギーが低くかつ所定のパターンを有する領域以外の撥液膜２上に集合させ、この集合した蒸着材料６を膜７とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４ＢとＡｌターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってＡｌターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ堆積膜２００のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤ、ターゲットバイアス電圧ＶＢ、および、ターゲット−基板間距離Ｌに基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。
【解決手段】２５．０≦Ｃｕ≦４５．０ｍａｓｓ％、及び、１．０≦(Ｃｏ、Ｍｏ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。５．０≦Ｃｕ≦２５．０ｍａｓｓ％、及び、０≦(Ｆｅ、Ｍｎ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】輝度が高く、かつ、長時間動作中にも輝度むらが生じない、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現する。
【解決手段】ＩＴＯによって形成された下部電極１１２の上に有機ＥＬ層１１４が形成されている。有機ＥＬ層１１４の上には島状銀電極１１５１とＩｎＺｎＯ膜１１５２によって形成された上部電極１１５が配置されている。個々の島状銀電極１１５１の間はＩｎＺｎＯ膜１１５２によって導通している。銀電極を島状とすることによって、銀の堆積量から換算した換算膜厚を小さく出来るので、光の透過率を高く維持することが出来る。また、島状銀電極１１５１が存在している部分は、銀の中を電子が流れるので、上部電極１１５の電気抵抗を小さくすることが出来る。これによって、輝度の大きい、かつ、長時間動作中における輝度むらの発生の少ない有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】水の電気分解によって、高効率にてオゾン水を生成することを可能とする電解用電極材料、及び、電解用電極、更には、当該電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやＯＨラジカル等の活性酸素種を生成する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）