【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー５１内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４を有しており、これら複数のガス導入路１４の各々はキャンロール５６の回転軸５６ａ方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔１５を有しており且つ長尺基板Ｆが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段６５によって開閉するガス導入バルブ２０に接続している。 （もっと読む）

【課題】均一な蒸着膜厚分布と材料利用効率向上を実現し，かつ熱による基板に形成された蒸着膜へのダメージを与えず，ノズルつまりも防止する真空蒸着装置を実現する。
【解決手段】複数のノズル４が第１の方向に配列した蒸発源ユニット３１が複数幅方向に配列して蒸発源３を形成している。ノズル４の出口において、蒸発源３から放射される蒸発物質を左右から挟む形で第１の反射散乱板５と第２の反射散乱板６を配置する。蒸発源３に近い第１の反射散乱板５は加熱手段によって加熱され、蒸発源３から遠く、基板に近い第２の反射散乱板６は加熱手段を有さず、冷却手段を有する。これによって、基板における蒸着膜厚分布を均一化でき、蒸着材料の利用効率を上昇させ、基板に形成された蒸発物質に対する熱によるダメージを抑えることが出来、蒸着ノズル付近における蒸発物質の堆積を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】金属不純物の混入を抑制する。
【解決手段】金属製容器にて、Ｃｕ粉末及びＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、酸素分圧２０Ｐａ以下の雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で加熱しながら、金属製攪拌羽根で撹拌して合金化したＣｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結して、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの合計が３ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】劣化が低減された活物質膜を作製することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】Ｌｉ膜を構成すべきＬｉを蒸発させる蒸発源、及び、該蒸発源から蒸発させたＬｉを表面に付着させる成膜部を有する第１チャンバー並びに第２チャンバーと、第１チャンバー及び第２チャンバーを減圧する減圧手段と、を備え、第１チャンバー及び第２チャンバーを大気解放する前に流入させる気体が第２チャンバーを通過した後に第１チャンバーへと流入するように、第１チャンバー及び第２チャンバーが配置されている、蒸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したＭｏ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＫとＮｂとの複合酸化物でなる粉末とＭｏ粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を０．４〜９．０質量％含有し、Ｍｏ母相中に内接円直径が２０μ
ｍ以下の凝固した前記複合酸化物が分散するＭｏ系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のＭｏ系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Ｍｏの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｌ合金膜を有し、前記Ａｌ合金膜に含まれる前記元素の合計量は０．１０〜２０原子％であり、前記基材側とは反対側のＡｌ合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が５〜１００ｎｍであるカーボンナノ構造体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】金属層の剥離が発生する可能性が低く、信頼性の高い真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置では、冷却機構を有し、ボート１１からの金属蒸気の基材方向以外への飛散を防止する第１の防着板１６と、第１の防着板１６よりもボート１１側に防着面を有し、ボート１１からの金属蒸気の基材方向以外への飛散を防止するとともに脱着自在に配設された第２の防着板１９とを備えた構成とした。この構成により、蒸着時に第２の防着板１９はボート１１からの輻射熱にて十分に熱を帯びた状態となっているため、金属蒸気は第２の防着板１９の表面上では固化しにくく、第２の防着板１９に蒸着金属が付着することはほとんどないものとなる。この結果、金属層の剥離の可能性が低減され、本発明の真空蒸着装置は信頼性の高いものとなっている。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着によるドライな条件で、化学薬品を使用することなく、廃棄物の排出を抑えながら極めて大きな比表面積を有するアルミニウム薄膜を実現する。
【解決手段】高真空中で、蒸着温度４６０℃以上５２０℃以下、蒸着速度０．５ｎｍ／ｓ以上１０．０ｎｍ／ｓ以下の成膜条件で、アルミニウム基板上に蒸着法によりアルミニウムを成膜し、直径が０．７μｍ以上１．５μｍ以下であって先端尖状の柱状とされた複数の各々孤立したアルミニウム粒子から構成され、前記各アルミニウム粒子間には貫通した空隙が形成されており、凹凸状の表面を有するアルミニウム薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等においては、ドリフト領域やフィールドストップ領域における少数キャリアのライフタイムを制御して、スイッチング特性を改善するため、ウエハへの電子線照射が行われている。この電子線照射によって、デバイスの閾値電圧がシフトするため、電子線照射後に水素アニールを施すことにより、閾値電圧の回復を図っている。しかし、ボンディングダメージ等を低減するため、デバイス表面のモリブデン系バリアメタルをＴｉＷ系バリアメタルに変更すると、水素アニールによる閾値電圧の回復率が低下する問題が発生した。
【解決手段】本願発明はシリコン系半導体ウエハのデバイス主面側にパワー系絶縁ゲート型トランジスタの主要部を形成する半導体装置の製造方法において、デバイス主面上にＴｉＷ系のバリアメタルをスパッタリングにより形成するに際して、ＴｉＷターゲットのチタン濃度を、８重量％以下で、且つ、２重量％以上とするものである。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷の印加により発生するフィルムのシワを伸ばす方法を提供する。
【解決手段】 長尺耐熱性樹脂のフィルムＦの裏面をキャンロール５６の外周面に接触させて搬送しながらフィルムＦの表面に成膜処理を施すに際して、キャンロール５６の外周面上のフィルム搬送経路５６ａに沿って順次配置された複数対のホイール１１〜１５を用いてフィルムＦの両縁部をキャンロール５６との間に挟み込むと共に、フィルムＦにその幅方向の力を加えることによってフィルムＦのシワを伸ばす方法であって、これら複数対のホイール１１〜１５は、フィルム搬送経路５６ａの上流側から下流側に向かってホイールの回転軸のキャンロール５６の回転軸からの傾斜角度が順次増加している。 （もっと読む）

【課題】厚さ30μm以下の金属リチウム薄膜が安定して製造され、且つ金属リチウム薄膜の転写が容易な多層フィルムを提供することにある。
【解決手段】金属箔の少なくとも片面にプラスチック膜を有し、更にプラスチック膜の少なくとも片面の表面に金属リチウム薄膜を有し、該金属泊がBe、C、Mg、Al、Si、S、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Ta、W、Pt及びAuからなる群から選択される金属元素の少なくとも1種を含む多層フィルム。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネル等に使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線膜を製膜する際に、従来以上に均一に粒子を発生し、かつ、使用中においてもその粒子の発生頻度の変化が起こりにくいスパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度が９９．９９％以上である高純度銅からなり、スパッタリング面において、隣接する結晶の方位差が１５°以上である結晶粒界の平均長さＬｇに対し、隣接する結晶の方位差が６０°である双晶境界の平均長さＬｔの比Ｌｔ／Ｌｇが、０．６≧Ｌｔ／Ｌｇ≧０．２を満たす。さらに、スパッタリング面における平均結晶粒径が、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金基材表面に、良好な導電性を有するＤＬＣ皮膜が設置された導電性部材を提供する。
【解決手段】マグネシウム金属またはマグネシウム合金の基材の表面に、ＤＬＣ皮膜が設置されて構成された導電性部材であって、前記ＤＬＣ皮膜は、１０．３ａｔ％未満のアルミニウムを含み、前記基材と前記ＤＬＣ皮膜の間には、両者の密着性を向上する中間層が設置されていることを特徴とする導電性部材。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性およびその耐久性の良好な第１の層を含む光学物品を提供する。
【解決手段】光学物品は、光学基材と、光学基材の上に直にまたは他の層を介して形成された、ＴｉＯｘ（０＜ｘ≦２）を含む透光性の第１の層とを有する。この光学物品においては、第１の層の表層域のアルゴン濃度は第１の層の深部のアルゴン濃度よりも高い。この光学物品の一例は、第１の層を表面から深さ方向に二次イオン質量分析した際のスペクトルにおいてアルゴンのピークが表層域にあるものである。この光学物品は、たとえば、眼鏡レンズに好適である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特にＺｎＯ濃度が高い領域であっても、また保護膜形成後およびストレス印加後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、ＺｎおよびＳｎを含み、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａ、および希土類元素よりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素を更に含んでいる。 （もっと読む）