【課題】本発明は、導電性フィルム上に導電性酸化物とカーボン薄膜層をこの順に形成することにより、導電性およびバリア性の両立が可能となり、さらには長期使用による性能の劣化を抑制するなどといった長期耐久性に優れた、導電性バリアフィルムを作製することが可能となる。
【解決手段】導電性フィルム上の少なくとも１面に、導電性酸化物層とカーボン薄膜層がこの順に形成されていることを特徴とする、導電性バリアフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性及び耐食性を有する導電部材、その製造方法、並びにこれを用いた燃料電池用セパレータ及び固体高分子形燃料電池を提供する。
【解決手段】金属基材と、該金属基材上に形成された中間層と、該中間層上に形成された導電層と、を有する導電部材であって、該中間層が、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む。
金属基材の酸化皮膜を除去する工程（１）と、該工程（１）の後に実施され、該金属基材上に中間層を形成する工程（２）と、該工程（２）の後に実施され、該中間層上に導電層を形成する工程（３）と、を含む導電部材の製造方法であって、該工程（２）において、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と当該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む中間層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善。
【解決手段】金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。 （もっと読む）

【課題】 １μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、２００〜６００Ｗの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板に１枚のメタルマスクを用いる場合のメタルマスクの膨張量を基板の膨張量に近づけて蒸着パターンの位置ズレを防止する。
【解決手段】支持体付きメタルマスク装置１００は、半導体基板１０２の複数のスクライブライン１０６を物理的に１枚のプレートで覆い、半導体基板と異なる線膨張係数を有し、複数のチップにそれぞれ対応する複数の所定のパターン１１２を複数の貫通孔として有し、複数の貫通孔を通じて半導体基板に金属を蒸着させる単一のメタルマスク１１０と、メタルマスクの線膨張係数と半導体基板の線膨張係数との間の線膨張係数、又は半導体基板と同一の線膨張係数を有し、複数のスクライブラインの少なくとも一部のスクライブラインに対応する格子部１１６を有する支持体１１４と、一部のスクライブライン内の少なくとも一部の領域において、メタルマスクと支持体とを接続する接合体とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＣｕＣｌ₂を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを１．３〜５．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼基材表面にＡｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層６とステンレス鋼基材２との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕ濃度６５原子％以上の領域の厚みが１．５ｎｍ以上存在し、かつＡｕの最大濃度が８０原子％以上であり、Ｃｒを５０原子％以上含む金属層が存在しない燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を備え且つより安定的に長期間使用可能な燃料電池セパレータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池セパレータ１は、基材３と基材３上に形成されるアモルファス合金層５とを備えたことを特徴とする。基材３は、金属又は導電性樹脂からなる。導電性樹脂は導電性プラスチックでもよい。アモルファス合金層５は積層された膜からなり、主成分は、ニッケル、鉄、クロム及びコバルトの何れかである。アモルファス合金層５の材料は、３つ以上の元素からなる金属ガラスでもよい。 （もっと読む）

【課題】基板温度を迅速かつ正確に制御することが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、抵抗加熱式の真空蒸着により、基板50表面に成膜材料を成膜する装置である。成膜装置1は、成膜室10と、この成膜室10内に、基板50を保持する基板ホルダー20と、基板ホルダー20が固定される冷却ブロック30と、成膜材料を蒸発させる蒸発源40と、を備える。そして、冷却ブロック30と基板ホルダー20との間に、しわ加工を施した金属箔60が介在されている。この冷却ブロック30は、内部に冷媒が流通する冷媒流路31が形成されており、冷媒流路31を冷媒が循環することにより冷却される。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼基材表面にＡｕの付着量を低減しつつ、Ａｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕの付着量が４０００〜４００００ｎｇ／ｃｍ^２であり、表面層の（最小厚み／最大厚み）で表される比が０．７５以上の燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】搬送式両面スパッタリング装置による基板への熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない搬送式両面スパッタリング装置に用いる被処理物保持装置、いわゆる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】複数の開口を備え、対向配置される第１遮蔽板と第２遮蔽板と、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに対向し、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに挟まれ配置され、前記被処理物を保持し処理面を開放する開口部を有する保持部を備える保持部材と、を備え前記保持部材は、前記第１遮蔽板および第２遮蔽板とは相対的に移動可能に保持され、前記保持部材の前記保持部と前記第１遮蔽板の前記開口部が、平面視で重なる第１処理位置と、前記保持部材が前記第１および第２遮蔽板に対して相対的に移動し、前記保持部材の前記保持部と前記第２遮蔽板の前記開口部とが平面視で重なる第２処理位置と、を備える搬送式両面スパッタリング装置用の被処理物保持装置。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、０．００１質量％以上且つ１質量％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に複数の半導体素子を形成する工程の前に、半導体基板１の外周を減厚して外周端部３を形成し、外周端部３に、前記半導体基板より熱膨張係数が大きく、かつ、半導体素子１を形成する工程内の熱処理工程で印加されるもっとも高い温度より融点が高い金属４を、半導体基板１の半導体素子が形成される両主面より突出しない膜厚で被着する半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含む被覆層とを備え、被覆層における白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】蒸着時のスプラッシュの発生を抑制することが可能な蒸着用線材を提供することで信頼性の高い金属化フィルムコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における蒸着用芯材１は、アルミニウムとマグネシウムの合金からなる芯材２と、前記芯材２の外周面を被覆し、少なくとも前記アルミニウムと前記マグネシウムの酸化物からなる酸化層３とを備え、前記酸化層３の厚さを０．３μｍ以下とした。この結果、蒸着の際に酸化層３が溶融せず芯材２のみが蒸発することで発生するスプラッシュを抑制することができる。そして、本発明における蒸着用芯材１を用いて形成した金属化フィルムコンデンサの誘電体フィルムはスプラッシュによるダメージを受けることがなく、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る金属窒化膜は、ＴｉとＡｌとＮを含有し、該金属窒化膜のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５３以上であり、かつ、上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．３２以下であり、かつ上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いるに好適な、均一かつ微細結晶組織を有する高純度銅加工材を提供する。
【解決手段】Ｃｕ純度９９．９９９９重量％以上の高純度銅からなる鋳塊を、５５０℃以上で熱間鍛造した後急水冷し、次いで、初期温度３５０℃以上で温間鍛造した後急水冷し、次いで、５０％以上の総圧下率で冷間クロス圧延をし、次いで、２００℃以上で歪取焼鈍を行うことにより、平均結晶粒径が２０μm以下であり、かつ、個々の結晶粒についてその粒径分布を測定した場合に、平均結晶粒径の２．５倍を超える粒径の結晶粒が占める面積割合は、全結晶粒面積の１０％未満である均一かつ微細な結晶組織を有する高純度銅加工材。 （もっと読む）