【課題】
本発明は、減圧雰囲気内で絶縁性のフィルムを連続的に繰り出し薄膜を蒸着する薄膜形成方法において、冷却ローラへ安定して直流電圧を印加し、フィルムを十分冷却することによってフィルムの熱変形を防止し薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】
冷却ローラへ導入する冷却媒体の体積抵抗率が１ＭΩ・ｍ以上であって、＋２５℃から−３０℃までの範囲における動粘度が２００mm²／ｓ以下である液体を用いることにより、前記冷却ローラへ安定的に電圧を印加し、前記フィルムを前記冷却ローラへ静電引力で密着させて成膜することを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】大面積樹脂フィルム上への連続的かつ均一な窒化チタン膜の工業的な成膜を可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．５μｍのＴｉＮ粉末を用い、分散剤を、ＴｉＮ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加し、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧還元性雰囲気で４００〜１０００℃で還元処理した後、大気圧窒素雰囲気中で、１８００〜２１００℃の温度で焼成し、加工し、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０、相対密度：９３〜１００％、平均空孔径が０．１〜１．５μｍの窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 キャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺樹脂フィルムとの間のギャップ部の熱コンダクタンスをほぼ均一にできるキャンロールの製造方法を提供する。
【解決手段】 筒状の基部１０とその外周面１０ａ上に設けられた最外周部１３とからなり、これら基部１０と最外周部１３との間に、最外周部１３の外周面側に放出するガスを導入する複数のガス導入路１４が埋設されたキャンロールの製造方法であって、複数のガス導入路１４の位置に、それぞれガス導入路１４と略同形状の複数の樹脂体１２を配設する工程と、複数の樹脂体１２を覆うように基部１０の外周面１０ａ上に電気鋳造法で最外周部１３を形成する工程と、最外周部１３を形成した後に複数の樹脂体１２を除去する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】 積層圧電素子の三面に、特別な構造の装置を用いることなく、膜質と膜厚が一定な外部電極を効率良く形成でき、外部電極の除去工程も必要ない製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の面（第１の側面）９４に第１の外部電極（第１の側面電極）を形成した複数の積層圧電体９を、第２の面（第２の側面）９５がターゲット１３の金属粒子が放出される面と平行な面と角度をなすように並置させて、コーティングを行い第２の外部電極（第２の側面電極）９５１と配線電極９２１を同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 特に再生処理された使用済みスパッタ材をリサイクルすることができる再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 元スパッタ面と、元非スパッタ面とを有する使用済みスパッタ材と、
前記使用済みスパッタ材の元スパッタ面に一体に形成される充填層と、
前記使用済みスパッタ材の元非スパッタ面からなる新スパッタ面とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材１の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体２および金属層３がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体２において、金属層３に最近接である第一透明導電性薄膜２１は、金属酸化物層または主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜２２は、主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜２１における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体２を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、Ｐ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／Ｔｉ＋Ｐ）が０．５〜０．８である場合やＮが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 （もっと読む）

【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明の蒸着用ボート１３は、凹溝１７が、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９Ａと、この供給用凹溝１９Ａと連通する蒸発用凹溝２０と、この蒸発用凹溝２０と連通する拡散用凹溝１９Ｂとで構成され、表面に供給用凹溝１９Ａおよび拡散用凹溝１９Ｂが形成された領域のそれぞれの基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝１９Ａ近傍の温度を下げ、供給用凹溝１９Ａ近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化させる。また凹溝１７の端部にまで均一に蒸着材料を行き渡らせることが出来る。そしてその結果、均一な粗膜層７を形成できる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでＮｉ膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたＮｉ膜を除去するにあたり、硫酸を１５〜２５wt%、硝酸を５〜１５wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ｎｉ膜を溶解、除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いて基材に金属皮膜を形成させた積層体を製造する場合に、基材と金属皮膜との間の密着強度が高い積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、金属または合金から形成された基材１と、基材１表面に形成された基材１より軟らかい金属または合金からなる中間層２と、金属または合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層２に固相状態のままで吹き付けて堆積させた金属皮膜３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｕ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に膜厚が均一で有機EL上部電極用のアルミ金属薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】セラミック製の坩堝を用いてアルミの這い上がりを防止し、同一方向に所定の角度で傾いた蒸発源３−１を少なくとも２つ以上、縦方向に並べた蒸発源列３−２を横方向に操作して蒸着する機構を用いることにより、大型化した縦置き基板１−１に対して、有機EL上部電極用金属薄膜を高速成膜し、長時間の連続成膜をすることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）