本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
（もっと読む）

フレキシブル金属ストリップ製品は、フェライトクロム鋼ストリップ材料（２）にイットリウムで安定化したジルコニアの絶縁層を被膜（３、６、８）として備え、この被膜上に導電性の層を含む第２被膜（７）を設け得る。前記被膜は、下地の鋼と熱膨張が実用上等しいため、フレキシブル太陽電池および固体薄膜電池の絶縁層として非常に有用である。
（もっと読む）

本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ（３２）内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源（３９）を具備している。ＩＣＰ源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ（４０）から、誘電性ウィンドウ（２５）またはウィンドウアレイ（２５ａ）を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル（５０）を介して、結合される。アンテナ（４０）は、稠密化して配置された複数の導体セグメント（４５）と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント（４６）と、を備えている。
（もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
（もっと読む）

本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
（もっと読む）

有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
（もっと読む）

Ｚｎ含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 （もっと読む）

半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
（もっと読む）

本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ_１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】低抵抗の浅いｐｎ接合を実現すること。
【解決手段】ガス導入２６からＩ（沃素）をアークチャンバー２１内に導入し、アークチャンバー２１の内壁に設置されたＧｅＦ₂ を含む材料板３０を、Ｉによって物理的および化学的にエッチングし、ＧｅＦ₂ イオンを発生させ、このＧｅＦ₂ イオンをｎ型半導体基板の表面に注入し、その後試料内のＧｅＦ₂ を活性化するための熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）

【課題】 有機モノマーを飽和蒸気圧の大きい高温で効率良く気化させるとともに得られた有機モノマーガスのプラズマ重合反応により有機高分子膜を高真空中で高速成長する。
【解決手段】 液体ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーをキャリアガスと混合した後、高温に保持された減圧気化室に噴霧して有機モノマーの液体微粒子からなるエアロゾルを形成し、該エアロゾルを介してＢＣＢモノマー（有機モノマー）を瞬時に気化させてＢＣＢモノマーガス（有機モノマーガス）を発生させる。これによって、比表面積の大きいエアロゾルは気化面積が大きく、高温加熱しても重合反応が生じる前に気化が生じるため、飽和蒸気圧の大きい２００℃での０．１ｇ／ｍｉｎ以上のＢＣＢモノマーガスが可能となり、プラズマ重合ＢＣＢ膜を従来の５倍以上の高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ表面上を照射するイオンビームに対して最適かつ均一な電子量を供給できるようにして、ウエハ表面でのチャージアップの問題を解消する。
【解決手段】 中和装置は、走査イオンビーム６が紙面の表から裏へ通過する中空部５ａを有するリフレクター５と、リフレクター５の電子導入口５ｂ付近から電子４を供給するアークチャンバー３と、軸２を介してアークチャンバー３を上下移動させるための駆動装置１と、イオンビームの電荷量を測定するためのファラデー箱１１と、電流計１０₁〜１０₃を介して電源１２に接続される電極８₁〜８₃とから構成される。イオン注入の準備段階にて、イオンビームをファラデー箱１１側を通過させ、その電荷量を計測する。その計測値に見合う電流が電流計１０₁〜１０₃に流れるようにチャンバー３の位置を調整する。イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。 （もっと読む）

等しくない接合特性と側面を有する基板を塗布する方法は、第１の組の被覆条件下で第１の側面を塗布し第１の組の被覆条件と異なる第２の組の動作条件下で第２の側面を被覆することにより基板を非対称に被覆し、側面の等しくない接合特性を補償する工程を含む。また基板作成法は第１及び第２の面を有しアニーリング処理された熱可塑性基板のベース層を与える工程と、ベースライン温度及び相対湿度を有する環境下で基板のベース層を安定化する工程と、ベース層をドリリング処理してビアホールを形成する工程と、ベース層の第１及び第２の面をイオン処理してビアホールのドリリング処理による汚染物を除去しスパッタリング処理用の第１及び第２の面を作成する工程と、ベース層の温度がベース層のアニーリング処理温度を越えないよう制御して、ベース層の第１の面上に少なくとも１の金属層を第１のスパッタリング処理によりオングストロームを金属化し次に第２の面上に少なくとも１の金属層をスパッタリング処理する工程と、金属化されたベース層をベースライン温度並びに相対湿度を有する環境下で安定化させ次に金属化されたベース層を更に処理して金属層を導電性パターンに変形する工程とを含む。 （もっと読む）