【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するＤＬＣ膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、ＤＬＣ膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、マクロパーティクルを含まない良質の薄膜を高い成膜レートで形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ分離部２０とパーティクルトラップ部３０との境界部分には逆磁場発生コイル３２が設けられており、この逆磁場発生コイル３２の磁場によりパーティクルトラップ部３０に入ろうとするイオンを押し戻される。これにより、成膜チャンバ５０に入るイオンの量が増加し、成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】 ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する。
【解決手段】 真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが接続された第一第二の無終端状の搬送路１，２に沿って、基板を保持するための基板保持具５１，５２をそれぞれ周回させる第一第二の周回機構がそれぞれ設けられている。第一の基板保持具５１から基板を取り外し、第三の搬送路３に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具５２に移載する搬送系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第一ＣｏＣｒ合金粉末、Ｃｒ：５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第二ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とし、前記第一ＣｏＣｒ合金粉末および前記第二ＣｏＣｒ合金粉末のいずれか一方または両方の粉末は、さらにＢ：０．５〜８原子％を含有しても良い。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ガス噴出口を工夫することで、面方向の膜厚の均一性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置１００を用いて、円板状基体１の上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、チャンバ１０２内に円板状基体１を搬入する工程と、チャンバ１０２内の空気を排出して略真空に引く工程と、チャンバ１０２内にガスを導入する工程と、を含み、ガスを導入する工程においては、複数のガス噴出口１１４を円板状基体１の外周に沿って配置し、当該円板状基体１の半径方向に対して所定角度傾斜した方向にガスを噴出することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 （もっと読む）

【課題】 十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることのできる真空成膜装置を用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置を用いて、基体１上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品１０８、１１２の表面には、成膜材料の熱膨張率と部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層１５０を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 Ｒｕ原料粉末の特定不純物の低減を容易にかつ安価に実現すると同時に、高純度で均質性の高いＲｕスパッタリングターゲットを作製する方法を提供する。
【解決手段】 Ｒｕ原料粉末に、１００Ｐａ以下の減圧雰囲気で、温度９００〜１３００℃かつ３０分以上の加熱処理を施すことで、Ｃ：５０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ：４００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃｌ：１０ｍａｓｓｐｐｍ以下に低減するとともに前記Ｒｕ原料粉末よりも粒成長させた成長させたＲｕ粉末とし、次いで該Ｒｕ粉末を加圧焼結するＲｕスパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＣｒ−Ｍｎ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ数やスカム率が低く、コンピュータのデータ等の情報を記録する媒体としても利用可能な高品質の蒸着テープを得ることができる蒸着用 素材を提供する。
【解決手段】コバルト系蒸着用素材に含まれる炭素、マグネシウム、珪素、マンガン、アルミニウム、およびチタンの濃度を、合計で４２〜７１ｐｐｍとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を行なわずに均一な粒子径を有し、その表面に炭素被膜が形成された炭素被覆金属微粒子を提供すること。
【解決手段】金属微粒子を構成する金属材料を保持したカーボンロッドをチャンバー内で懸架し、該チャンバー内を１０^−５〜１０^−３Ｐａに減圧し、該チャンバー内の圧力が１００〜５００００Ｐａとなるように不活性ガスを導入した後、カーボンロッドに電圧を印加して通電加熱をする炭素被覆金属微粒子の製造方法、外部空間と遮断して設けられたチャンバー内で金属材料保持用カーボンロッドの一端を懸架するための導電性懸架材Ａおよびカーボンロッドの他端を懸架するための導電性懸架材Ｂが懸架されて外部電源と接続され、減圧管および不活性ガス導入管がチャンバーの内部空間と接続されている炭素被覆金属微粒子の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】膜面方向（膜面内）における成分の均一性に優れた薄膜を安定して形成することができるＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｔａを０．６〜１０．５原子％、Ｃｕを２〜１３原子％含有するＡｇ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットのスパッタリング面を画像解析したとき、（１）Ｔａ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＴａ粒の合計面積は６０面積％以上であり、且つ、Ｔａ粒の平均重心間距離は１０〜５０μｍであり、（２）Ｃｕ粒の全面積に対する、円相当直径１０〜５０μｍのＣｕ粒の合計面積は７０面積％以上であり、且つ、Ｃｕ粒の平均重心間距離は６０〜１２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクヘッド・ディスクなどの電子部品用薄膜の製造装置として使用される成膜装置に於いて、プロセス室用真空ポンプの着脱に供するためのポンプ昇降手段を架設した水平方向スライド手段を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプ７装着時は最初にスライド架台Ｓをフレーム１３の右方に置き昇降機構１１上に真空ポンプ７を積載する。スライド架台Ｓを左方に移動し、真空ポンプ７を第１スパッタ室下部の接続フランジＦの直下に置き、昇降機構１１のパンタグラフ機構を利用して真空ポンプ７を上昇させ、接続フランジＦに密着させた後締結金具で両者を緊結する。真空ポンプ７の取り外し時には上記と逆順序で真空ポンプ７を搬送室１の下部に引き出した後、真空ポンプ７をさらに下降させスライド架台Ｓから取り外して外方に移動する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）