【課題】電極の厚さのばらつきが少ないとともに有機層のダメージが少なく、高品質な発光素子を提供する。
【解決手段】 第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間に形成された発光層を含む有機層と、を有する発光素子であって、前記第２の電極は、前記有機層上に形成された該有機層を保護する導電性の保護層と、該保護層上に形成された導電性の主電極層とを含むことを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

本発明は、高粘着性抗菌フィルムでポリマ表面をコーティングするように適合されたイオンプラズマ蒸着（ＩＰＤ）法に関する。制御されたイオンプラズマ蒸着（ＩＰＤ）プロセスが、選択された金属／金属酸化物で金属またはポリマをコーティングするために使用される。コーティングされた表面を紫外線に露出させることが、堆積されたコーティングの抗菌特性をかなり改善する。本発明は以下の方法を提供する。該方法は、高粘着性抗菌コーティングを生成する方法であって、第１の実質的にマクロ粒子のない金属コーティングを、選択された基板に堆積させることと、該第１のコーティング上に表面層を形成するために、第２のマクロ粒子が密集した金属コーティングを堆積させることと、該表面層を１２０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の紫外光に露出させることとを包含する。
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【解決手段】成膜室１０には、基板ステージ１２、蒸着材料１７が充填されている蒸発源１６が備えられている。成膜室１０の外部にレーザビームを発する光源２２が設けられている。光源２２からのレーザビームは光導入窓１４を通り、蒸着材料１６に照射される。レーザビームの照射により蒸着材料１６を気化し、基板３０に膜が形成される。
【効果】気化された蒸着材料は組成比が変化しないため、緻密な薄膜、歪みや欠陥の少ない均質な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器の真空状態を維持したまま膜厚補正板の形状を変更できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１を搬送する搬送機構３と、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）を保持するハース機構４と、真空容器１０内における搬送機構３とハース機構４との間の開口部１０ｇに設けられ、Ｘ軸方向における開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させることにより、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）に対する被処理物１１の暴露時間をＹ軸方向に沿って変化させる膜厚補正板８，９と、開口部１０ｇに設けられＸ軸方向に開閉するシャッタ７ａ及び７ｂとを備える。膜厚補正板８，９は、その形状が互いに異なっており、Ｚ軸方向に並設されている。一方の膜厚補正板９はシャッタ７ａに固定されており、シャッタ７ａは、開閉の途中で停止可能となっている。 （もっと読む）

【課題】高透過率の透明性と、低抵抗の導電性とを同時に実現する透明導電性積層体を提供すること。
【解決手段】本発明では、上記課題を達成するために、透明基材（１１）上に、透明基材（１１）側より透明導電性薄膜からなる第１層（１２）、第１層（１２）および第３層（１４）よりも屈折率が低い低屈折率薄膜層からなる第２層（１３）、透明導電性薄膜からなる第３層（１４）を積層してなることを特徴とする透明導電性積層体としたものである。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ材料として優れた物質であるＣｓＩをベースとしながら、放射線照射による発光の発光効率を向上させることで発光輝度を向上し、さらに、防湿バリア等を設置しなくとも耐湿性を向上したシンチレータプレートを提供することである。
【解決手段】ＣｓＩに対して、少なくともヨウ化タリウム及びヨウ化銅を含む２種以上の添加剤をそれぞれ０．０１ｍｏｌ％以上含んでなる原材料を供給源として、蒸着により基板上に蛍光体膜を形成したシンチレータプレートにおいて、該ヨウ化銅の蒸着が全蒸着膜厚の８０％終了以降に行われることを特徴とするシンチレータプレート。 （もっと読む）

【課題】コンタミネーションの発生を抑制するとともに所望の特性を有した素子を形成する成膜装置の制御方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】積層体を構成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び積層体上に形成される陰極層を、それぞれ独立したプロセスチャンバー１２Ｐａ〜１２Ｐｅによって形成するようにするとともに、プロセスチャンバー１２Ｐａ〜１２Ｐｅでの各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極層）の形成が同時に終了するように、各蒸着用セルからの蒸着材料の蒸着レートを調整した。 （もっと読む）

【課題】 、光学部品の両面に反射防止膜を形成しても密着力、耐久性を損ねることなく、良好な特性の反射防止膜を形成する方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明に関わる反射防止膜形成方法は、基板に金属フッ化物を蒸着することで反射防止膜を形成する方法において、前記基板の表面を蒸着する基板温度が、前記基板の裏面を蒸着する基板温度より25〜60℃低いものである。また、反射防止膜付き基板は、基板に形成された赤外反射防止膜において、基板を加熱して蒸着した表面反射防止膜と、表面を蒸着した温度よりも25〜60℃低い温度で蒸着した裏面反射防止膜と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】基板とマスクを高いアライメント精度で互いに密着させる。
【解決手段】基板１０の両端を、基板支持部材１１と平面部材１３の間に挟持し、基板１０の中央部を基板押圧部材１２によって凸形状に撓ませる。マスク２０も、マスク置台２１上でマスク押圧部材２２によって基板１０に向かって凸形状に撓ませる。マスク２０と基板１０の面方向のアライメントを行った後、両者を接近させて凸形状部を初期密着させ、基板押圧部材１２およびマスク押圧部材２２を後退させながら、マスク２０と基板１０の全面を互いに密着させる。マスク押圧部材２２は省略してもよい。 （もっと読む）

【課題】原料粒子に超微粒子を均一に付着させることが可能な粉体処理装置の提供。
【解決手段】移動機構によって原料粒子を移動させながら、真空雰囲気中で超微粒子を付着させる粉体処理装置１であり、振動発生装置２９によって原料粒子を転がり移動させながら、蒸気を到達させる。蒸気中の超微粒子が均一に付着する。偏向装置５２によって電荷質量比が大きな微小荷電粒子を偏向させて原料粒子に到達させ、中性粒子や巨大荷電粒子が到達しないようにすると、超微粒子によって均一な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】高表面積を有す製品を提供する。
【解決手段】基材と、その少なくとも１表面に存在し、最高約５０ミクロンの範囲で総厚を有し、複数の個別の隣接した層から成る多孔質皮膜であって、各個別の層を、多孔質界面を含めて多孔質とし、金属と金属酸化物から成る群から選択する少なくとも１物質から作製する多孔質皮膜と、を含む製品に関する。この製品を、金属を真空条件下で、選択的には酸化性雰囲気中で、所定の時間間隔を置いて蒸発させ、それにより所望の総厚の堆積を基材上に、複数の個別の隣接する層から成る皮膜として形成して、作製する。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＴＯ電極に代わる、ＩＴＯの欠点を示さない電極の製造方法を提供する。
【解決手段】第１層が、ポリマーアニオン及び一般式（I）：


［式中、Ａはアルキレン基を表し、Ｒは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等を表す。］で示される反復単位を有するポリチオフェン含む分散体を基材に塗布し、第２層が、有機正孔注入物質及びアニオンを第１層に塗布する少なくとも２層を有する電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ材料として優れた物質であるＣｓＩをベースとしながら、放射線照射による発光の発光効率を向上させることで発光輝度を向上し、さらに、防湿バリア等を設置しなくとも耐湿性を向上したシンチレータプレートを提供することである。
【解決手段】ＣｓＩに対して、少なくともヨウ化タリウム及びヨウ化銅を含む２種以上の添加剤をそれぞれ０．０１ｍｏｌ％以上含んでなる原材料を、供給源として抵抗加熱ルツボ２３に充填し、蒸着により基板１上に蛍光体膜を形成したシンチレータプレートとする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】粒子Ｐに被覆材料をスパッタする又は蒸着させることにより粒子Ｐ表面に薄膜をコーティングする方法であって、粒子容器３に粒子Ｐを収容し、圧電素子式振動発生器４により粒子容器３を上下に微動させて粒子容器３を介して粒子Ｐを振動させながら粒子Ｐに被覆材料をスパッタする又は蒸着させる方法。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】分子線セル坩堝にパイロリティックカーボンを被覆することにより、耐久性等に優れた珪素用分子線セル坩堝を提供する。
【解決手段】珪素用分子線セル坩堝は、グラファイト製の外管１と、パイロリティックカーボン４が被覆されたグラファイト製の内管とから構成された二重管である。前記内管は、開口管の上部３と、片閉口管の下部２とから構成され、この下部２は、下部２の深さｄと内径Ｄ４の比が１以下であり、熱化学気相蒸着法によりパイロリティックカーボン４が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質の薄膜を形成することができる成膜装置の提供。
【解決手段】
ターゲット１１を保持するターゲットホルダ１０と、ターゲットホルダ１０を回転可能な回転機構８０と、成膜用基板２１を保持する基板ホルダ２０と、電子線を発生する電子線発生装置３０と、電子線収束装置４０と、レーザ光照射装置５０とを備えた回転ターゲット式成膜装置である。電子線収束装置４０は、回転機構８０により回転するターゲット１１に対して、電子レンズを形成することにより電子線発生装置３０から発生された電子線を収束させ、もってターゲット１１の少なくとも一部を液体化する。レーザ光照射装置５０は、液体化されたターゲット１１の少なくとも一部にレーザ光を照射してアブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、るつぼの開口部から溶湯があふれ出すのを抑制すると同時にるつぼ内部の温度を安定させることの可能な蒸着用るつぼとその製造方法を提供することを課題とする。また、るつぼが多層構造を有する場合、上記課題に加えてるつぼ内壁からるつぼ内層への溶湯の侵食を防ぐことのできる蒸着用るつぼとその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】蒸着材料を納め加熱するための収容部と、気化した蒸着材料が蒸着対象へ放出されるための開口部とを備えたるつぼであって、前記るつぼの内壁はスパイラル状の凹凸を備えていることを特徴とする蒸着用るつぼとする。 （もっと読む）

【課題】強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器にGa(III族元素)粒子ビーム源、As(V族元素)粒子ビーム源、及びN(窒素)粒子ビーム源を設け、GaNAs層(N含有層)を形成する際にのみプラズマを点火して窒素粒子ビームを生成し、GaAs層(N非含有層)を形成する際にはプラズマを消火することによりGaAs層のN原子含量を1%未満としかつGaNAs層のN原子含量を1〜10%とする化合物半導体多層積層体の製造が可能となった。 （もっと読む）