【課題】 ＰＤＰ用ＭｇＯ保護膜を成膜するためのターゲット材として、膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性を付与することが可能なＭｇＯ焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化マグネシウム粉末粒子を成形焼成した酸化マグネシウム焼結体であって、前記焼結体が、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ及びＦｅを各々５〜１０００ppmの範囲で含み、純度が９９．５０質量％以上９９．９９質量％未満の範囲であり、かつ、相対密度が９７．５〜９９．５％の範囲である蒸着材用酸化マグネシウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】軟質高分子成形体に優れた金属調を実現し、トップコート層を設けた場合であっても光沢が喪失せず元来の金属調を維持することができる金属調軟質高分子成形体の提供。
【解決手段】軟質高分子成形体１１に金属薄膜層１３を有する金属調軟質高分子成形体１０について、金属薄膜層１３を、長手方向の最大長が５μｍ以内の蒸着金属粒でなる多数の島部が不連続に密集する平坦な表面構造を有するものとし、かつその層厚を２０ｎｍ〜１００ｎｍとした。 （もっと読む）

【課題】改質アルミナイド層が形成される基体の被覆のための、従来と異なる方法を提示し、そのような層を有する加工物を使用可能にすること。
【解決手段】基体を被覆するための方法が提示され、ＰｔＭＡｌの種類の白金により改質されたアルミナイドの層が基体に形成され、ここで、Ｍは鉄Ｆｅ又はニッケルＮｉ又はコバルトＣｏなどの金属、又はこれらの金属の組み合わせを示し、層が気相による物理的な堆積ＰＶＤによって形成され、アルミニウムＡｌ及び金属Ｍの少なくとも２つの成分が気相により物理的に堆積され、堆積が少なくとも０．１ｍｂａｒ、好ましくは少なくとも０．４ｍｂａｒ、特に０．４ｍｂａｒと０．６ｍｂａｒの間のプロセス圧力で実行される。この種類の方法を用いて形成された層を付着した基体を備える加工物、特にタービン翼がさらに提示される。 （もっと読む）

【解決手段】真空蒸着法により形成された薄膜であって、膜の密度が１．０５ｇ／ｃｍ^３以上である低分子有機材料からなる薄膜、該薄膜を作成可能な低分子有機材料、および該薄膜を含有してなる有機電界発光素子。
【効果】発光寿命が長く、耐久性に優れ、発光輝度が高い有機電界発光素子を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】長尺帯状基材に長手方向における膜厚が均一となるように成膜を行う真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】予め実験おいて、長尺帯状基材10に長手方向における膜厚が均一となるように成膜作業を行い、実験時の成膜作業開始時点からの経過時間とその時間における電源51の出力を測定して得られた時間と出力の関係を記憶装置9に記憶する。以後の長尺帯状基材10への成膜は次のように行う。まず、成膜作業開始前の予備加熱段階は、水晶発振式膜厚計6を用いて、所望の成膜速度で安定するように電源51の出力を制御する。次に、所望の成膜速度になった後、基材搬送装置3を駆動させて長尺帯状基材10への成膜作業を開始する。そして、成膜作業開始後は、記憶装置9により記憶した経過時間の出力と一致させるように電源51の出力を制御することで成膜作業を行う。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化合物を含む環境などの腐食作用による損傷が少なく、かつ、その腐食生成物が環境汚染原因となって、半導体加工装置の品質低下、生産コストの増大を招くことのない各種半導体装置用溶射皮膜被覆部材を得る。
【解決手段】基材の表面に形成したＡｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃またはＡｌ₂Ｏ₃−Ｙ₂Ｏ₃複酸化物などからなる溶射皮膜の表面を、電子ビーム照射処理によって、パーティクル等の付着、堆積特性に優れ、その再飛散を有効に防止できる耐プラズマエロージョン性に優れた部材とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡素な工程で、高品質な保護膜を形成することができる表示装置の製造方法およびそれに用いるマスクを提供する。
【解決手段】基板１１上にマスク１４０を配置し、マスク１４０の枠部１４２で電極パッド領域２０を覆うと共に開口部１４１内に表示領域３０を露出させ、プラズマＣＶＤ法により表示領域３０に窒化ケイ素などよりなる保護膜を形成する。枠部１４２の開口部１４１側に、傾斜面を有するガス案内部１４３を設ける。枠部１４２と基板１１との接点近傍でガスの流れが変わってしまうことがなく、マスク１４０近傍で保護膜の厚みが不均一になってしまうことがなくなる。ガス案内部１４３の下端１４３Ａと上端１４３Ｂとを結ぶ直線が、枠部１４２の基板対向面１４４に対してなす傾斜角θは、１０度以上１５度以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】蒸着源が基板の下方に位置する蒸着において、蒸着対象となる基板の自重による
撓みの抑制とマスクやマスクホルダの材質等の制約の解除とを簡素な構成で実現する。
【解決手段】基板ホルダ２０は、基板１０を収容する基板用開口２１を囲む外枠２２と、
外枠２２から内側に突出し、基板１０の周縁部の下面に接する基板受け２３と、外枠２２
に支持され、基板用開口２１をまたがって基板１０の下面に接する基板用梁２４とを備え
る。 （もっと読む）

【課題】結晶性と均一性を高めて、さらに成膜速度を高めることが可能な保護膜の成膜方法と成膜装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、蒸着材料４０が配置された複数の蒸着ハース４１と、蒸着材料４０に電子ビーム４４を照射する電子銃４２と、蒸着材料４０からの蒸発粒子を蒸着させる前面ガラス基板３と、前面ガラス基板３を搬送する基板搬送治具４８とを備え、蒸着材料４０に電子ビーム４４を照射する照射点４５を前面ガラス基板３の搬送方向に間隔Ｄを有して離間させるとともに、照射点４５から前面ガラス基板３までを距離Ｈを有して離間させ、間隔Ｄを距離Ｈよりも小としている。 （もっと読む）

【課題】つぼの中の薄膜素子材料の残量が減少しても、ニードルバルブにより分子線量を毎時一定に調整出来るようにする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。さらに、前記成膜面に向けて放出される分子線量を検知する膜厚計１６、２６で検知された分子線量情報を帰還して、サーボモータ３６、４６によりバルブ３３、４３の開度を調節する制御手段と、前記ヒータ３２、４２の加熱のための電力を供給する加熱電源と、前記分子線量情報とバルブ開度情報とから前記加熱電源の投入電力を調整する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体デバイスにおいて、漏れ電流路が形成されることを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭素系膜を生産性良好に形成することができる真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】炭素系膜を形成するための、炭素を主成分とするカソード１１を真空アーク放電により蒸発させて炭素系膜を基材Ｗ上に形成する真空アーク蒸着装置。該装置は、１００アンペア程度以下の低アーク電流で真空アーク放電を維持するためにアーク電源１３とカソード１１との間のリアクタンス成分発生回路Ｒを有しており、アーク放電回路におけるリアクタンス成分発生のためのインダクタンスは１ｍＨ以上１０ｍＨ以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）

粒子状材料を気化させて表面に堆積させることによって層を形成する方法は、シールされたインターフェイスフィッティングを有する補充容器の中に粒子状材料を供給するステップと；その補充容器を、少なくとも1つの供給用開口部を画定する供給ホッパーに取り付け、インターフェイスフィッティングの位置でシールを破るステップと；補充容器から供給ホッパーに粒子状材料を移動させるステップと；供給用開口部を通過したその粒子状材料を供給路に沿って気化ゾーンまで移動させ、その気化ゾーンにおいてその粒子状材料の少なくとも1つの成分を気化させた後、表面に供給して層を形成するステップを含んでいる。
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【課題】蒸着プロセスにおける消費電力を小さくし、温度差による蒸着厚さの変化を最小化して、熱効率を向上せしめる蒸着源を提供する。
【解決手段】供給される電力によって加熱され、内部に収容された蒸着材料20に熱を伝達し、内部で生成された蒸着材料20の蒸気を噴射させて基板表面に蒸着膜を形成する有機電界発光膜蒸着用蒸着源200であって、蒸気放出開口301Aが形成された上部プレート301、側壁302、及び底部材303を含み、さらに選択された位置に熱を供給する加熱手段C1,..Cnと、内部に収容された蒸着材料表面の高さの変化を検知する検知手段353と、前記検知手段の信号に応じて前記加熱手段の作動を選択的に制御する制御手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ダイヤモンド状炭素薄膜を、原子レベルで稠密な構造とすることで、そのガスバリア性能を高めることである。また、ダイヤモンド状炭素薄膜の可視光における着色を抑制することである。さらに、この薄膜をプラスチックフィルム、プラスチックボトル等のプラスチック成形体の表面に成膜することで、プラスチック成形体に高いガスバリア性を付与することである。
【解決手段】本発明に係るダイヤモンド状炭素薄膜は、ダイヤモンド状炭素にイオン性結合材料を含有させた組成を有し、且つ、ダイヤモンド状炭素とイオン性結合材料とにより形成される相を主相として有することを特徴とする。この薄膜を成膜する基板を、例えばプラスチックフィルムやプラスチックボトルとする。 （もっと読む）

【課題】基板に蒸着材料を真空蒸着する場合に、マスクと基板とが完全に密着することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】額縁状のマスクフレーム２４と、マスクフレーム２４の枠部に張設されたシート状のマスク２６と、マスク２６に対応する面に基板１０の一主面を配し、基板１０を介してマスク２６の裏面側に配された押さえ板２２と、マスクフレーム２４との間で基板１０と押さえ板２２とを挟持するマグネット板２０と、基板１０に対応する押さえ板２２の面の外周部に配されたリング状の弾性部材３０と有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着源の開口部の幅と被蒸着基板の幅を特定し、蒸気の運動エネルギーを増大させて、蒸着膜の密度と均一性を向上させる蒸着源を提供する。
【解決手段】供給される電力によって加熱され、内部に収容された蒸着材料20に熱を伝達し、内部で生成された蒸着材料20の蒸気を噴射させて基板表面に蒸着膜を形成する有機電界発光膜蒸着用蒸着源400であって、蒸気放出開口401Aが形成された上部プレート401、側壁402、及び底部材を含み、さらに前記蒸気放出開口401Aは、蒸着膜が蒸着される基板の幅ｂと同一か、またはその基板の幅より長い長さLを有している。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基板と金属膜との密着力を充分に得ることのできる金属膜付基板の製造方法及び該方法を用いて得られる金属膜付基板を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上にクロムまたはクロム系合金からなる第１下地層を形成する第１ステップと、第１ステップにより形成された第１下地層の上に第２の下地層の形成後，第１及び第２下地層が形成された基板を酸素雰囲気中にてプラズマ処理する第２ステップと、第２ステップによりプラズマ処理された第２下地層の上に金属層を形成する第３ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】
結合剤のない針状貯蔵燐光体パネルにおいて、良好な内部湿分耐性を有するものを提供する。
【解決手段】
蒸着装置のるつぼユニットからマトリックス成分、活性化剤成分及び／又はそれらの組み合わせを含む燐光体プリカーサ原材料を蒸着することによって専用の支持体上に被覆された燐光体層を有する貯蔵燐光体パネルの製造方法であって、前記方法が（１）前記プリカーサ原材料をるつぼユニットに加え、そして（２）前記燐光体プリカーサ原材料から燐光体層を蒸着し、蒸着がるつぼユニットにおいて高い温度で行なわれ、前記温度が前記マトリックス原材料の溶融温度を７０℃より多く越える、工程を含み、前記燐光体層の「活性化剤被覆重量数」が少なくとも７０００の値に達する。 （もっと読む）