【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）のモル比が５０：５０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されている透明導電性フィルムにおいて、基材の厚みを８０μｍ以下と小さくした場合でも、透明導電体層のパターン境界が視認されることによる、見栄えの低下を抑止する。
【解決手段】本発明の製造方法は、可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、透明導電体層の一部を除去して可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程、を有する。熱処理工程における、パターン形成部の寸法変化率Ｈ_１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２の絶対値は０．０３％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下である。本発明の透明導電性フィルムは、１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_１と、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２が−０．０２％〜０．０４３％である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子１の製造方法は、基板２上に、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜５を形成する工程と、圧電体膜５を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性（特に、水蒸気バリア性）を有するフィルム及びこのフィルムを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも一方の面にアンカー層２を介して、厚み方向の少なくとも一部の領域において、下記（１）及び／又は（２）の特性を有する酸化アルミニウムの蒸着層３を形成する。（１）酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）の組成比（ｙ／ｘ）のピークが２．１〜３．０にある（２）酸化アルミニウムの密度が３．４ｇ／ｃｍ^３以上である （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する。犠牲層の上を含め第１の電極３の上に圧電薄膜４を形成する。圧電薄膜４の上に第２の電極５を形成する。圧電薄膜４の犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔４ａを形成する。このため、圧電薄膜４を確実に除去するために圧電薄膜４の厚さを超えてエッチングを行った場合であっても、圧電薄膜４の下方に位置する犠牲層がエッチングされるにとどまる。よって、犠牲層の下方に位置する第１の電極３がエッチングされることを防止することができる。その後、犠牲層を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の生産において、処理時間の違いによって生じる処理装置の待ち時間を減少させる技術を提供する。
【解決手段】第二の処理部４で基板７０を真空処理した後、大気に搬出し、移動室２の一端に接続された搬入室３１から大気に曝さずに基板７０を移動室２内に搬入し、基板７０を移動室２に接続された第一の処理部３に移動させて真空処理し、大気に曝さずに第三の処理部５で真空処理し、リチウムイオン二次電池を生産する。 （もっと読む）

【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ｔｉ、Ｐ、ＯおよびＮを必須元素とし、任意元素として、Ｖ、ｎ、Ｓｉ、Ｆｅ等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｐ））が０．５〜０．８である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったＩｎやＮｂ等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜を形成する方法として、高負荷環境で十分な耐久性を有する硬質膜が形成できる方法を提供する。
【解決手段】上レース１の軌道溝１ａと下レース２の軌道溝２ａに、炭素と珪素と水素からなるＤＬＣ膜５を形成する際に、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、メタンガスとアルゴンガスを導入した非平衡マグネトロンスパッタリング法を採用する。また、スパッタリング装置内の試料支持台をヒーターで加熱し、ヒーターの温度を制御することで、試料支持台に支持された上下のレース１，２の軌道溝１ａ，２ａの温度を１５０〜１８０℃の範囲に保持する。また、ＤＬＣ膜５の厚さが１．０〜１．６μｍとなるように時間を設定して成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、このような透明繊維複合樹脂シート上に、従前よりも緻密な無機質膜を形成し、ガスバリア性に優れる透明繊維複合樹脂層含有多層シートを製造することができる方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る透明繊維複合樹脂層含有多層シート製造方法では、透明繊維複合樹脂シート又は透明繊維複合樹脂層含有多層シートが加熱されながら透明繊維複合樹脂シートまたは透明繊維複合樹脂層含有多層シートの少なくとも片面上に透明無機質膜が成形される。なお、加熱は、透明繊維複合樹脂シート又は透明繊維複合樹脂層含有多層シートの温度が１５０度Ｃ以上「樹脂成分の劣化温度」以下の温度になるようになされるのが好ましい。 （もっと読む）